Preparation of bulk AlN seeds by spontaneous nucleation of freestanding crystals

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 52, Issue 8 PART 2, 2013, Pages

  Hartmann, Carsten ^a   Wollweber, Juergen ^a   Dittmar, Andrea ^a   Irmscher, Klaus ^a   Kwasniewski, Albert ^a   Langhans, Frank ^a   Neugut, Tom ^a   Bickermann, Matthias ^a  

^a LEIBNIZ INSTITUTE FOR CRYSTAL GROWTH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN SINGLE CRYSTALS; CRYSTAL HABITS; DEEP UV TRANSPARENCY; LOW DEFECT DENSITIES; PHYSICAL VAPOR TRANSPORT; SPONTANEOUS NUCLEATION; STRUCTURAL QUALITIES; ZONAR STRUCTURE;

CRYSTAL STRUCTURE; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY;

ALUMINUM NITRIDE;

EID: 84883187453     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.52.08JA06     Document Type: Article

References (39)

1. D. Ehrentraut and Z. Sitar: MRS Bull. 34 [04] (2009) 259.
2. M. Feneberg, R. A. R. Leute, B. Neuschl, K. Thonke, and M. Bickermann: Phys. Rev. B 82 (2010) 075208.
3. G. A. Slack, R. A. Tanzilli, R. O. Pohl, and J. W. Vandersande: J. Phys. Chem. Solids 48 (1987) 641.
4. H. Hirayama, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, and N. Kamata: Phys. Status Solidi C 6 (2009) S356.
5. R. T. Bondokov, S. G. Mueller, K. E. Morgan, G. A. Slack, S. Schujman, M. C. Wood, J. A. Smart, and L. J. Schowalter: J. Cryst. Growth 310 (2008) 4020.
6. R. Dalmau, B. Moody, R. Schlesser, S. Mita, J. Xie, M. Feneberg, B. Neuschl, K. Thonke, R. Collazo, A. Rice, J. Tweedie, and Z. Sitar: J. Electrochem. Soc. 158 (2011) H530.
7. Y. Taniyasu and M. Kasu: Diamond Relat. Mater. 17 (2008) 1273.
8. M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer, H. Rodriguez, S. Einfeldt, Z. Yang, N. M. Johnson, and M. Weyers: Semicond. Sci. Technol. 26 (2011) 014036.
9. J. R. Grandusky, S. R. Gibb, M. C. Mendrick, C. Moe, M. Wraback, and L. J. Schowalter: Appl. Phys. Express 4 (2011) 082101.
10. T. Wunderer, C. L. Chua, Z. H. Yang, J. E. Northrup, N. M. Johnson, G. A. Garrett, H. G. Shen, and M. Wraback: Appl. Phys. Express 4 (2011) 092101.
11. T. Erlbacher, M. Bickermann, B. Kallinger, E. Meissner, A. J. Bauer, and L. Frey: Phys. Status Solidi C 9 (2012) 968.
12. X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M. S. Shur, C. Q. Chen, J. Yang, G. Simin, M. A. Khan, J. C. Rojo, and L. J. Schowalter: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 1299.
13. G. Bu, D. Ciplys, M. Shur, L. J. Schowalter, S. Schujman, and R. Gaska: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 53 (2006) 251.
14. V. Noveski, R. Schlesser, B. Raghothamachar, M. Dudley, S. Mahajan, S. Beaudoin, and Z. Sitar: J. Cryst. Growth 279 (2005) 13.
15. Z. G. Herro, D. Zhuang, R. Schlesser, R. Collazo, and Z. Sitar: J. Cryst. Growth 286 (2006) 205.
16. G. A. Slack and T. F. McNelly: J. Cryst. Growth 34 (1976) 263.
17. G. A. Slack and T. F. McNelly: J. Cryst. Growth 42 (1977) 560.
18. B. M. Epelbaum, M. Bickermann, S. Nagata, P. Heimann, O. Filip, and A. Winnacker: J. Cryst. Growth 305 (2007) 317.
19. P. Lu, J. H. Edgar, C. Cao, K. Hohn, R. Dalmau, R. Schlesser, and Z. Sitar: J. Cryst. Growth 310 (2008) 2464.
20. I. Nagai, T. Kato, T. Miura, H. Kamata, K. Naoe, K. Sanada, and H. Okumura: J. Cryst. Growth 312 (2010) 2699.
21. Y. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Y. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Y. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, and H. Helava: J. Cryst. Growth 310 (2008) 881.
22. Y. Kumagai, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, and A. Koukitu: Phys. Status Solidi C 5 (2008) 1512.
23. V. Soukhoveev, O. Kovalenkov, V. Ivantsov, A. Syrkin, A. Usikov, V. Maslennikov, and V. Dmitriev: Phys. Status Solidi C 3 (2006) 1653.
24. K. Kamei, Y. Shirai, T. Tanaka, N. Okada, A. Yauchi, and H. Amano: Phys. Status Solidi C 4 (2007) 2211.
25. C. Hartmann, J. Wollweber, C. Seitz, M. Albrecht, and R. Fornari: J. Cryst. Growth 310 (2008) 930.
26. M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, P. Heimann, S. Nagata, and A. Winnacker: Phys. Status Solidi C 5 (2008) 1502.
27. T. Y. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Y. N. Makarov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, and H. Helava: Phys. Status Solidi C 5 (2008) 1612.
28. C. Hartmann, M. Albrecht, J. Wollweber, J. Schuppang, U. Juda, C. Guguschev, S. Golka, A. Dittmar, and R. Fornari: J. Cryst. Growth 344 (2012) 19.
29. R. R. Sumathi, R. U. Barz, A. M. Gigler, T. Straubinger, and P. Gille: Phys. Status Solidi A 209 (2012) 415.
30. Z. G. Herro, D. Zhuang, R. Schlesser, and Z. Sitar: J. Cryst. Growth 312 (2010) 2519.
31. A. Dittmar, C. Guguschev, C. Hartmann, S. Golka, A. Kwasniewski, J. Wollweber, and R. Fornari: J. Eur. Ceram. Soc. 31 (2011) 2733.
32. A. S. Segal, S. Y. Karpov, Y. N. Makarov, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, M. G. Ramm, and Y. A. Vodakov: J. Cryst. Growth 211 (2000) 68.
33. B. M. Epelbaum, M. Bickermann, and A. Winnacker: Mater. Sci. Forum 457-460 (2004) 1537.
34. Our measurements were limited to 200 cm-1 because of the wafer thickness of 490 -m. - was roughly corrected for reflection assuming nAlN 2.
35. M. Bickermann, B. M. Epelbaum, O. Filip, B. Tautz, P. Heimann, and A. Winnacker: Phys. Status Solidi C 9 (2012) 449.
36. R. Dalmau, B. Moody, J. Xie, R. Collazo, and Z. Sitar: Phys. Status Solidi A 208 (2011) 1545.
37. O. Filip, B. M. Epelbaum, M. Bickermann, P. Heimann, and A. Winnacker: J. Cryst. Growth 318 (2011) 427.
38. B. Raghothamachar, R. Dalmau, B. Moody, S. Craft, R. Schlesser, J. Q. Xie, R. Collazo, M. Dudley, and Z. Sitar: Mater. Sci. Forum 717-720 (2012) 1287.
39. R. Collazo, J. Q. Xie, B. E. Gaddy, Z. Bryan, R. Kirste, M. Hoffmann, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, D. L. Irving, and Z. Sitar: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 191914.