Investigation of tow-step electrical degradation behavior in a-InGaZnO thin-film transistors with Sm2O3 gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 3, 2013, Pages

  Chen, Fa Hsyang ^a   Her, Jim Long ^a   Hung, Meng Ning ^a   Pan, Tung Ming ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS INDIUMGALLIUM-ZINC OXIDE (A-IGZO) THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); DEGRADATION BEHAVIOR; DRAIN VOLTAGE; ELECTRICAL DEGRADATION; NEGATIVE SHIFT; POSITIVE SHIFT; STRESS-INDUCED INSTABILITIES; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS);

OXYGEN VACANCIES; THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE;

GATE DIELECTRICS;

EID: 84881494076     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4816057     Document Type: Article

References (31)

1. J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, T. S. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, B. W. Yoo, J. W. Kim, Y. G. Lee, K. C. Park, S. Y. Lee, and J. M. Kim, IEEE Electron Device Lett. 29, 1309 (2008). 10.1109/LED.2008.2006637
2. J. S. Park, T. W. Kim, D. Stryakhilev, J. S. Lee, S. G. An, Y. S. Pyo, D. B. Lee, Y. G. Mo, D. U. Jin, and H. K. Chung, Appl. Phys. Lett. 95, 013503 (2009). 10.1063/1.3159832
3. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 94, 042105 (2009). 10.1063/1.3075612
4. J. S. Lee, S. Chang, S. M. Koo, and S. Y. Lee, IEEE Electron Device Lett. 31, 225 (2010). 10.1109/LED.2009.2038806
5. F. C. Chiu, Electrochem. Solid-State Lett. 11, H135 (2008). 10.1149/1.2897755
6. H. S. Ho, I. Y. K. Chang, and J. Y. M. Lee, Appl. Phys. Lett. 91, 173510 (2007). 10.1063/1.2802729
7. T. M. Pan, C. C. Huang, S. X. You, and C. C. Yeh, Electrochem. Solid-State Lett. 11, G62 (2008). 10.1149/1.2990226
8. W. F. Chung, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, Y. C. Chen, T. Y. Tseng, and Y. H. Tai, Appl. Phys. Lett. 98, 152109 (2011). 10.1063/1.3580614
9. H. Oh, S. M. Yoon, M. K. Ryu, C. S. Hwang, S. Yang, and S. H. Ko Park, Appl. Phys. Lett. 98, 033504 (2011). 10.1063/1.3540500
10. K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, and H. Sirringhaus, Nature Mater. 10, 45 (2011). 10.1038/nmat2914
11. Y. H. Kim, J. S. Heo, T. H. Kim, S. Park, M. H. Yoon, J. Kim, M. S. Oh, G. R. Yi, Y. Y. Noh, and S. K. Park, Nature 489, 128 (2012). 10.1038/nature11434
12. K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 95, 013502 (2009). 10.1063/1.3159831
13. Y. Uwamino, Y. Ishizuka, and H. Yamatera, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 34, 67 (1984). 10.1016/0368-2048(84)80060-2
14. Y. Zhao, M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 88, 072904 (2006). 10.1063/1.2174840
15. B. Kim, E. Chong, D. H. Kim, Y. W. Jeon, D. H. Kim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 99, 062108 (2011). 10.1063/1.3615304
16. H. Kim, C. O. Chui, K. C. Saraswat, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 83, 2647 (2003). 10.1063/1.1613031
17. R. R. M. Cross and M. M. D. Souza, Appl. Phys. Lett. 89, 263513 (2006). 10.1063/1.2425020
18. K. Takechi, M. Nakata, T. Eguchi, H. Yamaguchi, and S. Kaneko, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 48, 010203 (2009). 10.1143/JJAP.48.010203
19. M. D. H. Chowdhury, P. Migliorato, and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 97, 173506 (2010). 10.1063/1.3503971
20. K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 99, 053505 (2011). 10.1063/1.3622121
21. K. Ghaffarzadeh, A. Nathan, J. Robertson, S. Kim, S. Jeon, C. Kim, U. I. Chung, and J. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 97, 113504 (2010). 10.1063/1.3480547
22. S. H. Choi and M. K. Han, Appl. Phys. Lett. 100, 043503 (2012). 10.1063/1.3679109
23. J. H. Kim, D. K. Seo, C. H. Ahn, S. W. Shin, H. H. Cho, and H. K. Cho, J. Mater. Chem. 22, 16312 (2012). 10.1039/C2JM16887A
24. H. S. Yang, D. G. Cahill, X. Liu, J. L. Feldman, R. S. Crandall, B. A. Sperling, and J. R. Abelson, Phys. Rev. B 81, 104203 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.104203
25. M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoak, T. Fuyuki, J. S. Jung, and J. Y. Kwon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 47, 6236 (2008). 10.1143/JJAP.47.6236
26. T. Y. Hsieh, T. C. Chang, T. C. Chen, M. Y. Tsai, Y. T. Chen, Y. C. Chung, H. C. Ting, and C. Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 100, 232101 (2012). 10.1063/1.4723573
27. Y. Uraoka, N. Hirai, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, IEEE Trans. Electron Devices 51, 28 (2004). 10.1109/TED.2003.820937
28. S. J. Park, S. P. Hong, H. S. Jeon, C. B. Moon, and B. S. Bae, J. Korean Phys. Soc. 54, 484 (2009). 10.3938/jkps.54.484
29. C. S. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, W. J. Kim, H. K. Baik, and S. J. Lee, Adv. Funct. Mater. 17, 958 (2007). 10.1002/adfm.200600747
30. J. A. Thornton, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 3059 (1986). 10.1116/1.573628
31. R. C. Ross and R. Messier, J. Appl. Phys. 52, 5329 (1981). 10.1063/1.329391