Light induced instabilities in amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Applied Physics Letters

Volumn 97, Issue 17, 2010, Pages

  Chowdhury, Md Delwar Hossain ^a   Migliorato, Piero ^a,b   Jang, Jin ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; BIAS STRESS; EXPOSURE-TIME; NEGATIVE SHIFT; NEUTRAL OXYGEN VACANCY; SUBTHRESHOLD;

AMORPHOUS FILMS; GALLIUM; INDIUM; OXYGEN; OXYGEN VACANCIES; ULTRAVIOLET RADIATION; ZINC;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 78149458396     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3503971     Document Type: Article

References (16)

1. J. K. Jeong, J. H. Jeong, J. H. Choi, J. S. Im, S. H. Kim, H. W. Yang, K. N. Kang, K. S. Kim, T. K. Ahn, H. J. Chung, M. Kim, B. S. Gu, J. S. Park, Y. G. Mo, H. D. Kim, and H. K. Chung, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers DTPSDS 0003-966X 2008, 1.
2. T. Kamiya and H. Hosono, Asia Materials 2, 15 (2010).
3. T. C. Fung, K. Abe, H. Kumomi, and J. Kanicki, J. Disp. Technol. IJDTAL 1551-319X 5, 452 (2009). 10.1109/JDT.2009.2020611
4. K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 95, 013502 (2009). 10.1063/1.3159831
5. J. M. Lee, I. T. Cho, J. H. Lee, and H. I. Kwon, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 93, 093504 (2008). 10.1063/1.2977865
6. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 93, 123508 (2008). 10.1063/1.2990657
7. M. E. Lopes, H. L. Gomes, M. C. R. Medeiros, P. Barquinha, L. Pereira, E. Fortunato, R. Martins, and I. Ferreira, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 95, 063502 (2009). 10.1063/1.3187532
8. M. K. Ryu, S. H. K. Park, S. H. Yang, C. W. Byun, O. S. Kwon, E. S. Park, K. I. Cho, and C. S. Hwang, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers DTPSDS 0003-966X 2010, 1.
9. D. H. Lee, K. I. Kawamura, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090 518, 3000 (2010). 10.1016/j.tsf.2009.10.129
10. L. S. Vlasenko and G. D. Watkins, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 71, 125210 (2005). 10.1103/PhysRevB.71.125210 (Pubitemid 40777633)
11. R. Laiho, L. S. Vlasenko, and M. P. Vlasenko, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 103, 123709 (2008). 10.1063/1.2942403
12. S. Lany and A. Zunger, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 72, 035215 (2005). 10.1103/PhysRevB.72.035215 (Pubitemid 41509287)
13. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 76, 165202 (2007). 10.1103/PhysRevB.76.165202
14. S. J. Clark, J. Robertson, S. Lany, and A. Zunger, Phys. Rev. B PLRBAQ 0556-2805 81, 115311 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.115311
15. W. J. Lee, B. Ryu, and K. J. Chang, Physica B PHYBE3 0921-4526 404, 4794 (2009). 10.1016/j.physb.2009.08.178
16. B. Ryu, H. K. Noh, E. A. Choi, and K. J. Chang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 97, 022108 (2010). 10.1063/1.3464964