Impact of high- k TiOx dielectric on device performance of indium-gallium-zinc oxide transistors

Applied Physics Letters

Volumn 94, Issue 4, 2009, Pages

  Park, Jin Seong ^a   Jeong, Jae Kyeong ^a   Mo, Yeon Gon ^a   Kim, Sangwook ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); INDIUM; OXIDES; TRANSISTORS; ZINC; ZINC OXIDE;

COULOMB SCATTERINGS; DEVICE PERFORMANCE; GATE DIELECTRIC LAYERS; PHONON-SCATTERING MECHANISMS; TEMPERATURE DEPENDENTS;

SCATTERING;

EID: 59349084932     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3075612     Document Type: Article

References (19)

1. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2742790 90, 212114 (2007).
2. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2753107 90, 262106 (2007).
3. J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2783961 91, 113505 (2007).
4. M. H. Lim, K. T. Kang, H. G. Kim, I. D. Kim, Y. W. Choi, and H. L. Tuller, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2387985 89, 202908 (2006).
5. I. D. Kim, M. H. Lim, K. T. Kang, H. G. Kim, and S. Y. Choi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2220485 89, 022905 (2006).
6. Dhananjay and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2748863 101, 123717 (2007).
7. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, and J. M. Shaw, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.283.5403.822 283, 822 (1999).
8. L. A. Majewski, R. Scheoder, and M. Grell, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) ADVMEW 0935-9648 10.1002/adma.200400809 17, 192 (2005).
9. D. H. Kim, N. G. Cho, H. G. Kim, H. S. Kim, J. M. Hong, and I. D. Kim, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2954014 93, 032901 (2008).
10. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/nature03090 432, 488 (2004).
11. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2353811 89, 112123 (2006).
12. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.1083212 300, 1269 (2003).
13. S. H. Park, C. S. Hwang, H. Y. Jeong, H. Y. Chu, and K. I. Cho, Electrochem. Solid-State Lett. ESLEF6 1099-0062 10.1149/1.2801017 11, H10 (2008).
14. D. H. Levy, D. Freeman, S. F. Nelson, P. J. Cowdery-Corvan, and L. M. Irving, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2924768 92, 192101 (2008).
15. W. Jeon, H. S. Chung, D. Joo, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett. ESLEF6 1099-0062 10.1149/1.2813881 11, H19 (2008).
16. W. J. Zhu and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 10.1109/LED.2003.822648 25, 89 (2004).
17. S. J. Rhee, C. Y. Kang, C. S. Kang, R. Choi, C. H. Choi, M. S. Akbar, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1773370 85, 1286 (2004).
18. O. Weber, M. Casse, L. Thevenod, F. Ducroquet, T. Ernst, and S. Deleonibus, Solid-State Electron. SSELA5 0038-1101 10.1016/j.sse.2006.03.034 50, 626 (2006).
19. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, J. Kavalieros, and M. Metz, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ 0741-3106 10.1109/LED.2004.828570 25, 408 (2004).