Surface-modified high-k oxide gate dielectrics for low-voltage high-performance pentacene thin-film transistors

Advanced Functional Materials

Volumn 17, Issue 6, 2007, Pages 958-962

  Kim, Chang Su ^a   Jo, Sung Jin ^a   Lee, Sung Won ^a   Kim, Woo Jin ^a   Baik, Hong Koo ^a   Lee, Se Jong ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Kyungsung University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GRAIN BOUNDARIES; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; HYSTERESIS; LEAKAGE CURRENTS; SILICON COMPOUNDS; SURFACE TREATMENT; THIN FILM TRANSISTORS;

HYSTERESIS-FREE TRANSISTORS; POLYMERIC DIELECTRICS;

GATE DIELECTRICS;

EID: 34248579664     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200600747     Document Type: Article

References (34)

1. H. Sirringhaus, Adv. Mater. 2005, 17, 2411.
2. P. Gorrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kroger, E. Becker, H. H. Johannes, W. Kowalsky, T. Riedl, Adv. Mater. 2006, 18, 738.
3. C. S. Kim, W. J. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, S. J. Lee, H. K. Baik, Electro-chem. Solid-State Lett. 2006, 9, G96.
4. J. Veres, S. Ogier, G. Lloyd, D. Leeuw, Chem. Mater. 2004, 16, 4543.
5. A. Facchetti, M. H. Yoon, T. J. Marks, Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
6. Y. Sun, Y. Liu, D. Zhu, J. Mater. Chem. 2005, 15, 53.
7. D. G. Oteyza, E. Barrena, J. Osso, H. Dosch, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 183 504.
8. S. J. Kang, Y. Yi, C. Y. Kim, C. N. Whang, T. A. Callcott, K. Krochak, A. Moewes, G. S. Chang, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 232 103.
9. I. Yagi, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 103 502.
10. Y. Wu, P. Liu, B. S. Ong, T. Srikumar, N. Zhao, G. Botton, S. Zhu, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 142 102.
11. A. L. Deman, J. Tardy, Org. Electron. 2005, 6, 78.
12. K. Shin, C. Yang, S. Y. Yang, H. Jeon, C. E. Park, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 072 109.
13. C. S. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, W. J. Kim, H. K. Baik, S. J. Lee, D. K. Hwang, S. I. Im, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 243 515.
14. R. Ruiz, D. Choudhary, B. Nickel, T. Toccoli, K. C. Chang, A. C. Mayer, P. Clancy, J. M. Blakely, R. L. Headrick, S. Iannotta, G. G. Malliaras, Chem. Mater. 2004, 16, 4497.
15. Y. Y. Noh, J. J. Kim, Y. Yoshida, Y. Yase, Adv. Mater. 2005, 15, 699.
16. K. Shin, C. Yang, S. Y. Yang, H. Jeon, C. E. Park, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 072 109.
17. D. Knipp, R. A. Street, A. R. Volkel, Appl. Phys. Lett. 2002, 82, 3907.
18. D. J. Gundlach, J. A. Nichols, L. Zhou, T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2925.
19. M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benziger, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
20. S. Steudel, S. D. Vusser, S. D. Jonge, D. Janssen, S. Verlaak, J. Genoe, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4400.
21. S. E. Fritz, T. W. Kelley, C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 10 574.
22. A. D. Carlo, F. Piacenza, A. Bolognesi, B. Stadlober, H. Maresch, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 263 501.
23. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, J. Appl. Phys. 2002, 92, 5259.
24. T. B. Singh, F. Meghdadi, S. Gunes, N. Marjanovic, G. Horowitz, P. Lang, S. Bauer, N. S. Sariciftci, Adv. Mater. 2005, 17, 2315.
25. S. Y. Yang, K. Shin, C. E. Park, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1806.
26. R. W. I. De Boer, N. N. Losad, A. F. Stassen, T. M. Klapwijk, A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 032 103.
27. J. Wang, X. Yan, Y. Xu, J. Zhang, D. Yan, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5424.
28. Y. S. Kim, Y. H. Lee, K. M. Lim, M. Y. Sung, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2800.
29. Y. P. Zhao, G. C. Wang, T. M. Lu, G. Palasantzas, D. Hosson, Phys. Rev. B: Condens. Matter 1999, 60, 9157.
30. E. M. Muller, J. A. Marohn, Adv. Mater. 2005, 17, 1410.
31. A. Salleo, F. Endicott, R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 263 505.
32. W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, Q. Wang, Y. Li, H. Dai, Nano Lett. 2003, 3, 193.
33. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed., Wiley, New York 1998.
34. A. Ulman, An Introduction to Ultrathin Films: From Langmuir-Blodgen to Self-Assembly, Academic, New York 1991.