The bias stress effect on poly-silicon TFTs

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 54, Issue 1 PART 2, 2009, Pages 484-488

  Park, Sung Jin ^a   Hong, Seon Pyo ^a   Jeon, Ho Sik ^a   Moon, Chang Bum ^a   Bae, Byung Seong ^a  

^a Hoseo University   (South Korea)

Author keywords

Polycrystalline silicon; Stability; Thin film transistor

Indexed keywords

EID: 60049086093     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.54.484     Document Type: Conference Paper

References (26)

1. H. K. Chung, H. D. Kim and B. Kristal, SID '06 Digest, 1447 (2006).
2. B. D. Choi, W. S. Kim, D. C. Choi, J. W. Seo, K. Y. Lee and H. K. Chung, J. Korean Phys. Soc. 48, S10 (2006).
3. T. Hasumi, S. Takasugi, K. Kanoh and Y. Kobayashi, SID '06 Digest, 1547 (2006).
4. N. D. Young and A. Gill, Semicond. Sci. Technol. 5, 72 (1990).
5. N. D. Young and A. Gill, Semicond. Sci. Technol. 5, 728 (1990).
6. I.-W. Wu, W. B. Jackson, T-Y. Huang, A. G. Lewis and A. Chiang, IEEE Electron Devices Lett. 11, 167 (1990).
7. E.-C. Lee and H. Ju, J. Korean Phys. Soc. 52, 337 (2008).
8. F. J. Feigl, D. R. Young, D. J. DiMaria, S. Lai and J. Calise, J. Appl. Phys. 52, 5665 (1981).
9. M. V. Fischetti, J. Appl. Phys. 57, 2860 (1985).
10. L. P. Trombetta, F. J. Feigl and R. J. Zeto, J. Appl. Phy. 69, 2512 (1991).
11. N. D. Young and A. Gill, J. Appl. Phys. 66, 187 (1989).
12. G. Fortunate, A. Pecora, G. Tallarida, L. Mariucci, C. Reita and P. Migliorato, IEEE Trans. Electron Devices 41, 340 (1994).
13. Y. Uraoka, H. Yano, T. Hatayama and T. Fuyki, J. Korean Phys. Soc. 48, S55 (2006).
14. Y. Uraoka, M. Miyashita, Y. Sugawara and T. Serikawa, J. Korean Phys. Soc. 49, 1477 (2006).
15. M. J. Powell, C. van Berkel and J. R. Hughes, Appl. Phys. Lett. 54, 1323 (1989).
16. N. D. Young and A. Gill, Microelectronic Eng. 19, 105 (1992).
17. L. P. Trombetta, F. J. Feigl and R. J. Zeto, J. Appl. Phys. 69, 2512 (1991).
18. S. K. Lai, J. Appl. Phys. 54, 2540 (1983).
19. J. H. Koo, J. W. choi, Y. S. Kim, M. H. Kang, S. H. Kim, E. B. Kim, H. Uchike, S.-W. Lee and J. Jang, J. Korean Phys. Soc. 50, L933 (2007).
20. B. S. Bae and C. Lee, Phil. Mag. B 65, 933 (1992).
21. J. Y. Lee, C. Lee, J. Jang and B. S. Bae, Solid State Comm. 83, 833 (1992).
22. D. A. Buchanan, D. J. DiMaria, C.-A. Chang and Y. Taur, Appl. Phys. Lett. 65, 1820 (1994).
23. P. Samanta and C. K. Sarkar, Solid-State Electronics 41, 459 (1997).
24. D. A. Buchanan and D. J. DiMaria, J. Appl. Phys. 67, 7439 (1990).
25. D. J. DiMaria, E. Cartier and D. Arnold, J. Appl. Phys. 67, 7439 (1993).
26. J. M. M. de Nijs, K. G. Druijf, V. V. Afanas'ev, E. van der Drift and P. Balk, Appl. Phys. Lett. 65, 2428 (1994).