Enhanced bias stress stability of a-InGaZnO thin film transistors by inserting an ultra-thin interfacial InGaZnO:N layer

Applied Physics Letters

Volumn 102, Issue 19, 2013, Pages

  Huang, Xiaoming ^a   Wu, Chenfei ^a   Lu, Hai ^a   Ren, Fangfang ^a   Chen, Dunjun ^a   Zhang, Rong ^a   Zheng, Youdou ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAS STRESS STABILITIES; DIELECTRIC INTERFACE; INDIUM-GALLIUM-ZINC OXIDES; INTERFACE QUALITY; LOW-FREQUENCY NOISE; NITROGEN CONTENT; POSITIVE GATE BIAS; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS);

GALLIUM; NITROGEN; PHOTOELECTRONS; THIN FILM TRANSISTORS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

THIN FILMS;

EID: 84877996029     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4805354     Document Type: Article

References (26)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London) 432, 488 (2004). 10.1038/nature03090
2. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006). 10.1063/1.2353811
3. A. Suresh and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 92, 033502 (2008). 10.1063/1.2824758
4. K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 95, 013502 (2009). 10.1063/1.3159831
5. P. T. Liu, Y. T. Chou, L. F. Teng, F. H. Li, and H. P. Shieh, Appl. Phys. Lett. 98, 052102 (2011). 10.1063/1.3551537
6. S. Y. Huang, T. C. Chang, M. C. Chen, S. W. Tsao, S. C. Chen, C. T. Tsai, and H. P. Lo, Solid State Electron. 61, 96 (2011). 10.1016/j.sse.2011.01.001
7. P. T. Liu, Y. T. Chou, L. F. Teng, F. H. Li, C. S. Fuh, and H. P. Shieh, IEEE Electron Device Lett. 32, 1397 (2011). 10.1109/LED.2011.2163181
8. J. Lee, J. S. Park, Y. S. Pyo, D. B. Lee, E. H. Kim, D. Stryakhilev, T. W. Kim, D. U. Jin, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett. 95, 123502 (2009). 10.1063/1.3232179
9. K. Maeda, K. Teramura, T. Takata, M. Hara, N. Saito, K. Toda, Y. Inoue, H. Kobayashi, and K. Domen, J. Phys. Chem. B 109, 20504 (2005). 10.1021/jp053499y
10. S. Yang, K. H. Ji, U. K. Kim, C. S. Hwang, S. K. Park, C. S. Hwang, J. Jang, and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett. 99, 102103 (2011). 10.1063/1.3634053
11. K. W. Lee, K. M. Kim, K. Y. Heo, S. K. Park, S. K. Lee, and H. J. Kim, Curr. Appl. Phys. 11, 280 (2011). 10.1016/j.cap.2010.07.020
12. S. H. Jeon, S. I. Kim, S. H. Park, I. H. Song, J. C. Park, S. W. Kim, and C. J. Kim, IEEE Electron Device Lett. 31, 1128 (2010). 10.1109/LED.2010.2059694
13. G. Giusi, F. Crupi, C. Pace, C. Ciofi, and G. Groeseneken, IEEE Trans. Electron Device 53, 823 (2006). 10.1109/TED.2006.870287
14. H. S. Choi, S. Jeon, H. Kim, J. Shin, C. Kim, and U. I. Chung, Appl. Phys. Lett. 99, 183502 (2011). 10.1063/1.3658460
15. P. Magnone, F. Crupi, G. Giusi, C. Pace, E. Simoen, C. Claeys, L. Pantisano, D. Maji, V. R. Rao, and P. Srinivasan, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 9, 180 (2009). 10.1109/TDMR.2009.2020406
16. K. K. Hung, P. K. Ko, C. Hu, and Y. C. Cheng, IEEE Trans. Electron Devices 37, 654 (1990). 10.1109/16.47770
17. G. R. Lina, C. J. Lin, and H. C. Kuo, Appl. Phys. Lett. 91, 093122 (2007). 10.1063/1.2778352
18. S. Christensson, I. Lundström, and C. Svensson, Solid State Electron. 11, 797 (1968). 10.1016/0038-1101(68)90100-7
19. E. A. Douglas, A. Scheurmann, R. P. Davies, B. P. Gila, H. Cho, V. Craciun, E. S. Lambers, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 98, 242110 (2011). 10.1063/1.3600340
20. B. Ryu, H. K. Noh, E. A. Choi, and K. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 97, 022108 (2010). 10.1063/1.3464964
21. D. H. Kim, D. Y. Yoo, H. K. Jung, D. H. Kim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 99, 172106 (2011) 10.1063/1.3657511.
22. A. H. Chen, H. T. Cao, H. Z. Zhang, L. Y. Liang, Z. M. Liu, Z. Yu, and Q. Wan, Microelectron. Eng. 87, 2019 (2010). 10.1016/j.mee.2009.12.081
23. Y. L. Wang, F. Ren, W. Lim, D. P. Norton, S. J. Pearton, I. I. Kravchenko, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 90, 232103 (2007). 10.1063/1.2746084
24. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 94, 042105 (2009). 10.1063/1.3075612
25. Y. R. Sui, B. Yao, J. H. Yang, H. F. Cui, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, R. Deng, and D. Z. Shen, Appl. Surf. Sci. 256, 2726 (2010). 10.1016/j.apsusc.2009.11.017
26. G. H. Kim, B. D. Ahn, H. S. Shin, W. H. Jeong, H. J. Kim, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 94, 233501 (2009). 10.1063/1.3151827