SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 7 PART 1, 2012, Pages

Impact of deposition temperature of the silicon oxide passivation on the performance of indium zinc oxide thin-film transistors

(7) Li, Min a Lan, Linfeng a Xu, Miao a Xu, Hua a Luo, Dongxiang a Xiong, Nana a Peng, Junbiao a

a SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION TEMPERATURES; HYDROGEN CONTENTS; INDIUM ZINC OXIDES; OXYGEN IMPURITY; POSITIVE BIAS; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS);

OXYGEN; PHOTOELECTRONS; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SILICA; SILICON OXIDES; THIN FILM TRANSISTORS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

PASSIVATION;

EID: 84863806134 PISSN: 00214922 EISSN: 13474065 Source Type: Journal
DOI: 10.1143/JJAP.51.076501 Document Type: Article

Times cited : (32)

References (33)

1
- 9744248669
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
- (2004) Nature , vol.432 , pp. 488
- Nomura, K.¹ Ohta, H.² Takagi, A.³ Kamiya, T.⁴ Hirano, M.⁵ Hosono, H.⁶

2
- 78149382528
- T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono: Sci. Technol. Adv. Mater. 11 (2010) 044305.
- (2010) Sci. Technol. Adv. Mater , vol.11 , pp. 044305
- Kamiya, T.¹ Nomura, K.² Hosono, H.³

3
- 84859410780
- L. Lan, N. Xiong, P. Xiao, W. Shi, M. Xu, W. Xu, R. Yao, and J. Peng: J. Soc. Inf. Disp. 20 (2012) 175.
- (2012) J. Soc. Inf. Disp , vol.20 , pp. 175
- Lan, L.¹ Xiong, N.² Xiao, P.³ Shi, W.⁴ Xu, M.⁵ Xu, W.⁶ Yao, R.⁷ Peng, J.⁸

4
- 52949097961
- J. Jeong, H. Yang, J. Jeong, Y. Mo, and H. Kim: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 123508.
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.93 , pp. 123508
- Jeong, J.¹ Yang, H.² Jeong, J.³ Mo, Y.⁴ Kim, H.⁵

5
- 51849102800
- J. Park, S. Kim, C. Kim, S. Kim, I. Song, H. Yin, K. Kim, S. Lee, K. Hong, J. Lee, J. Jung, E. Lee, K. Kwon, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 053505.
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.93 , pp. 053505
- Park, J.¹ Kim, S.² Kim, C.³ Kim, S.⁴ Song, I.⁵ Yin, H.⁶ Kim, K.⁷ Lee, S.⁸ Hong, K.⁹ Lee, J.¹⁰ Jung, J.¹¹ Lee, E.¹² Kwon, K.¹³ Park, Y.¹⁴

6
- 77954325555
- J. Park, T. Kim, K. Son, K. Lee, W. Maeng, H. Kim, E. Kim, K. Park, J. Seon, W. Choi, M. Ryu, and S. Lee: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 262109.
- (2010) Appl. Phys. Lett , vol.96 , pp. 262109
- Park, J.¹ Kim, T.² Son, K.³ Lee, K.⁴ Maeng, W.⁵ Kim, H.⁶ Kim, E.⁷ Park, K.⁸ Seon, J.⁹ Choi, W.¹⁰ Ryu, M.¹¹ Lee, S.¹²

7
- 80051964002
- J. Hong, S. Kim, and K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 08KE02.
- (2011) Jpn. J. Appl. Phys , vol.50
- Hong, J.¹ Kim, S.² Kim, K.³

8
- 79955549843
- L. Lan and J. Peng: IEEE Trans. Electron Devices 58 (2011) 1452.
- (2011) IEEE Trans Electron Devices , vol.58 , pp. 1452
- Lan, L.¹ Peng, J.²

9
- 77956252679
- S. Yang, D. Cho, M. Ryu, S. Park, C. Hwang, J. Jang, and J. Jeong: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 213511.
- (2010) Appl. Phys. Lett , vol.96 , pp. 213511
- Yang, S.¹ Cho, D.² Ryu, M.³ Park, S.⁴ Hwang, C.⁵ Jang, J.⁶ Jeong, J.⁷

10
- 79951917293
- S. Huang, T. Chang, M. Chen, S. Chen, C. Tsai, M. Hung, C. Tu, C. Chen, J. Chang, and W. Liau: Electrochem. Solid-State Lett. 14 (2011) H177.
- (2011) Electrochem. Solid-State Lett , vol.14
- Huang, S.¹ Chang, T.² Chen, M.³ Chen, S.⁴ Tsai, C.⁵ Hung, M.⁶ Tu, C.⁷ Chen, C.⁸ Chang, J.⁹ Liau, W.¹⁰

11
- 67651230706
- H. Seo, J. Bae, D. Kim, Y. Park, C. Kim, I. Kang, I. Chung, J. Choi, and J. Myoung: Electrochem. Solid-State Lett. 12 (2009) H348.
- (2009) Electrochem. Solid-State Lett , vol.12
- Seo, H.¹ Bae, J.² Kim, D.³ Park, Y.⁴ Kim, C.⁵ Kang, I.⁶ Chung, I.⁷ Choi, J.⁸ Myoung, J.⁹

12
- 53649092548
- D. Cho, S. Yang, C. Byun, J. Shin, M. Ryu, S. Park, C. Hwang, S. Chung, W. Cheong, S. Yoon, and H. Chu: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 142111.
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.93 , pp. 142111
- Cho, D.¹ Yang, S.² Byun, C.³ Shin, J.⁴ Ryu, M.⁵ Park, S.⁶ Hwang, C.⁷ Chung, S.⁸ Cheong, W.⁹ Yoon, S.¹⁰ Chu, H.¹¹

13
- 56249136526
- K. Lee, K. Kim, K. Lee, G. Lee, M. Oh, J. Choi, S. Im, S. Jang, and E. Kim: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 193514.
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.93 , pp. 193514
- Lee, K.¹ Kim, K.² Lee, K.³ Lee, G.⁴ Oh, M.⁵ Choi, J.⁶ Im, S.⁷ Jang, S.⁸ Kim, E.⁹

14
- 77957740514
- A. Olziersky, P. Barquinha, A. Vila, L. Pereira, G. Goncalves, E. Fortunato, R. Martins, and J. Morante: J. Appl. Phys. 108 (2010) 064505.
- (2010) J. Appl. Phys , vol.108 , pp. 064505
- Olziersky, A.¹ Barquinha, P.² Vila, A.³ Pereira, L.⁴ Goncalves, G.⁵ Fortunato, E.⁶ Martins, R.⁷ Morante, J.⁸

15
- 80055093330
- M. Li, L. Lan, M. Xu, L. Wang, H. Xu, D. Luo, J. Zou, H. Tao, R. Yao, and J. Peng: J. Phys. D 44 (2011) 455102.
- (2011) J. Phys D , vol.44 , pp. 455102
- Li, M.¹ Lan, L.² Xu, M.³ Wang, L.⁴ Xu, H.⁵ Luo, D.⁶ Zou, J.⁷ Tao, H.⁸ Yao, R.⁹ Peng, J.¹⁰

16
- 84555190794
- H. Xu, L. Lan, M. Xu, J. Zou, L. Wang, D. Wang, and J. Peng: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 253501.
- (2011) Appl. Phys. Lett , vol.99 , pp. 253501
- Xu, H.¹ Lan, L.² Xu, M.³ Zou, J.⁴ Wang, L.⁵ Wang, D.⁶ Peng, J.⁷

17
- 82555163325
- L. Lan, M. Xu, J. Peng, H. Xu, M. Li, D. Luo, J. Zou, H. Tao, L. Wang, and R. Yao: J. Appl. Phys. 110 (2011) 103703.
- (2011) J Appl Phys , vol.110 , pp. 103703
- Lan, L.¹ Xu, M.² Peng, J.³ Xu, H.⁴ Li, M.⁵ Luo, D.⁶ Zou, J.⁷ Tao, H.⁸ Wang, L.⁹ Yao, R.¹⁰

18
- 18244430368
- C. Van de Walle: Phys. Rev. Lett. 85 (2002) 1012.
- (2002) Phys. Rev. Lett , vol.85 , pp. 1012
- Walle De C.Van¹

19
- 84863807863
- C. Gonzalez and J. Pincock: Photochem. Photobiol. 82 (2006) 191.
- (2006) Photochem Photobiol , vol.82 , pp. 191
- Gonzalez, C.¹ Pincock, J.²

20
- 0034516767
- M. Chen, Z. Pei, C. Sun, L. Wen, and X. Wang: J. Cryst. Growth 220 (2000) 254.
- (2000) J Cryst Growth , vol.220 , pp. 254
- Chen, M.¹ Pei, Z.² Sun, C.³ Wen, L.⁴ Wang, X.⁵

21
- 79951673458
- K. Lee, K. Kim, K. Heo, S. Park, S. Lee, and H. Kim: Curr. Appl. Phys. 11 (2011) 280.
- (2011) Curr. Appl. Phys , vol.11 , pp. 280
- Lee, K.¹ Kim, K.² Heo, K.³ Park, S.⁴ Lee, S.⁵ Kim, H.⁶

22
- 84859294750
- D. Luo, L. Lan, M. Xu, H. Xu, M. Li, L. Wang, and J. Peng: J. Electrochem. Soc. 159 (2012) H502.
- (2012) J Electrochem Soc , vol.159
- Luo, D.¹ Lan, L.² Xu, M.³ Xu, H.⁴ Li, M.⁵ Wang, L.⁶ Peng, J.⁷

23
- 84861683410
- L. Lan, M. Zhao, N. Xiong, P. Xiao, W. Shi, M. Xu, and J. Peng: IEEE Electron Device Lett. 33 (2012) 827.
- (2012) IEEE Electron Device Lett , vol.33 , pp. 827
- Lan, L.¹ Zhao, M.² Xiong, N.³ Xiao, P.⁴ Shi, W.⁵ Xu, M.⁶ Peng, J.⁷

24
- 79955379099
- K. Nomura, T. Kamiya, E. Ikenaga, H. Yanagi, K. Kobayashi, and H. Hosono: J. Appl. Phys. 109 (2011) 073726.
- (2011) J Appl Phys , vol.109 , pp. 073726
- Nomura, K.¹ Kamiya, T.² Ikenaga, E.³ Yanagi, H.⁴ Kobayashi, K.⁵ Hosono, H.⁶

25
- 61349167819
- J. Shin, J. Lee, C. Hwang, S. Park, W. Cheong, M. Ryu, C. Byun, J. Lee, and H. Chu: ETRI J. 31 (2009) 62.
- (2009) ETRI J , vol.31 , pp. 62
- Shin, J.¹ Lee, J.² Hwang, C.³ Park, S.⁴ Cheong, W.⁵ Ryu, M.⁶ Byun, C.⁷ Lee, J.⁸ Chu, H.⁹

26
- 77951877430
- J. Park, T. Kim, K. Son, K. Lee, J. Jung, W. Maeng, H. Kim, E. Kim, K. Park, J. Seon, J. Kwon, M. Ryu, and S. Lee: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 440.
- (2010) IEEE Electron Device Lett , vol.31 , pp. 440
- Park, J.¹ Kim, T.² Son, K.³ Lee, K.⁴ Jung, J.⁵ Maeng, W.⁶ Kim, H.⁷ Kim, E.⁸ Park, K.⁹ Seon, J.¹⁰ Kwon, J.¹¹ Ryu, M.¹² Lee, S.¹³

27
- 33846070644
- R. Cross and M. De Souza: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 263513.
- (2006) Appl. Phys. Lett , vol.89 , pp. 263513
- Cross, R.¹ De Souza, M.²

28
- 39749191514
- J. Park, J. Jeong, H. Chung, Y. Mo, and H. Kim: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 072104.
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.92 , pp. 072104
- Park, J.¹ Jeong, J.² Chung, H.³ Mo, Y.⁴ Kim, H.⁵

29
- 77952510389
- M. Fujii, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Jung, and J. Kwon: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C091.
- (2009) Jpn. J. Appl. Phys , vol.48
- Fujii, M.¹ Uraoka, Y.² Fuyuki, T.³ Jung, J.⁴ Kwon, J.⁵

30
- 80052785261
- S. Yang, K. Ji, U. Kim, C. Hwang, S. Park, C. Hwang, J. Jang, and J. Jeong: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 102103.
- (2011) Appl. Phys. Lett , vol.99 , pp. 102103
- Yang, S.¹ Ji, K.² Kim, U.³ Hwang, C.⁴ Park, S.⁵ Hwang, C.⁶ Jang, J.⁷ Jeong, J.⁸

31
- 79952687049
- K. Ji, J. Kim, H. Jung, S. Park, R. Choi, U. Kim, C. Hwang, D. Lee, H. Hwang, and J. Jeong: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 103509.
- (2011) Appl. Phys. Lett , vol.98 , pp. 103509
- Ji, K.¹ Kim, J.² Jung, H.³ Park, S.⁴ Choi, R.⁵ Kim, U.⁶ Hwang, C.⁷ Lee, D.⁸ Hwang, H.⁹ Jeong, J.¹⁰

32
- 79954575401
- W. Chung, T. Chang, H. Li, S. Chen, Y. Chen, T. Tseng, and Y. Tai: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 152109.
- (2011) Appl. Phys. Lett , vol.98 , pp. 152109
- Chung, W.¹ Chang, T.² Li, H.³ Chen, S.⁴ Chen, Y.⁵ Tseng, T.⁶ Tai, Y.⁷

33
- 59649098932
- K. Takechi, M. Nakata, T. Eguchi, H. Yamaguchi, and S. Kaneko: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 011301.
- (2009) Jpn. J. Appl. Phys , vol.48 , pp. 011301
- Takechi, K.¹ Nakata, M.² Eguchi, T.³ Yamaguchi, H.⁴ Kaneko, S.⁵

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.