High performance indium-zinc-oxide thin-film transistors fabricated with a back-channel-etch-technique

Applied Physics Letters

Volumn 99, Issue 25, 2011, Pages

  Xu, Hua ^a   Lan, Linfeng ^a   Xu, Miao ^a   Zou, Jianhua ^a   Wang, Lei ^a   Wang, Dan ^a   Peng, Junbiao ^a  

^a SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING PROFILE; FIELD-EFFECT MOBILITIES; INDIUM ZINC OXIDES; LOW COSTS; SOURCE/DRAIN ELECTRODES; STACKED STRUCTURE; SUBTHRESHOLD SWING;

INDIUM; ZINC;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84555190794     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3670336     Document Type: Article

References (19)

1. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003). 10.1063/1.1553997
2. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007). 10.1063/1.2753107
3. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006). 10.1143/JJAP.45.4303
4. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003). 10.1063/1.1542677
5. M. Li, L. Lan, M. Xu, L. Wang, H. Xu, D. Luo, J. Zou, H. Tao, R. Yao, and J. Peng, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 455102 (2011). 10.1088/0022-3727/44/45/ 455102
6. S. H. Lee, B. H. Seo, and J. H. Seo, J. Korean Phys. Soc. 53, 2603 (2008). 10.3938/jkps.53.2603
7. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005). 10.1063/1.1992666
8. J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, T. S. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, B. W. Yoo, J. W. Kim, Y. G. Lee, C. Park, IEEE Electron Device Lett. 29, 1309 (2008). 10.1109/LED.2008.2006637
9. J. Y. Kwon, D. J. Lee, and K. B. Kim, Electron. Mater. Lett. 7, 1 (2011). 10.1007/s13391-011-0301-x
10. J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, K.-H. Lee, J. S. Park, T. S. Sim, K. H. Ji, R. Choi, J. K. Jeong, B. Koo, Electrochem. Solid-State Lett. 13, H213 (2010). 10.1149/1.3381023
11. J. K. Jeong, J. H. Jeong, J. H. Choi, J. S. Im, S. H. Kim, H. W. Yang, K. N. Kang, K. S. Kim, T. K. Ahn, and H. J. Chung, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers 39, 1 (2008). 10.1889/1.3069591
12. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 212114 (2007). 10.1063/1.2742790
13. T. Arai, N. Morosawa, K. Tokunaga, Y. Terai, E. Fukumoto, T. Fujimori, T. Nakayama, T. Yamaguchi, and T. Sasaoka, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers 69, 1033 (2010). 10.1889/1.3499825
14. A. Sato, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 94, 133502 (2009). 10.1063/1.3112566
15. L. Lan and J. Peng, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1452 (2011). 10.1109/TED.2011.2115248
16. M. Kimura, T. Nakanishi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 92, 133512 (2008). 10.1063/1.2904704
17. D. H. Kang, H. Lim, C. J. Kim, I. H. Song, J. C. Park, and Y. S. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 192101 (2007). 10.1063/1.2723543
18. H. S. Seo, J. U. Bae, D. H. Kim, Y. Park, C. D. Kim, I. B. Kang, I. J. Chung, J. H. Choi, and J. M. Myoung, Electrochem. Solid-State Lett. 12, 348 (2009). 10.1149/1.3168522
19. L. Lan, M. Xu, J. Peng, H. Xu, M. Li, D. Luo, J. Zou, H. Tao, L. Wang, and R. Yao, J. Appl. Phys. 110, 103703 (2011). 10.1063/1.3660791