Electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors under monochromatic light illumination

Applied Physics Letters

Volumn 100, Issue 24, 2012, Pages

  Huang, Xiaoming ^a   Wu, Chenfei ^a   Lu, Hai ^a   Ren, Fangfang ^a   Xu, Qingyu ^b   Ou, Huiling ^b   Zhang, Rong ^a   Zheng, Youdou ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

^b SOUTHEAST UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; CONDUCTION BAND EDGE; ELECTRICAL INSTABILITY; FIELD-EFFECT MOBILITIES; HIGH ENERGY PHOTONS; INCIDENT LIGHT; MONOCHROMATIC LIGHT; NEGATIVE SHIFT; OXIDE THIN FILMS; PHOTO-EXCITATIONS; PHYSICAL MODEL; SHORTER WAVELENGTH; SINGLY IONIZED OXYGEN; SUBTHRESHOLD SWING; TRAP STATE; TRAPPED ELECTRONS;

DEGRADATION; GALLIUM; INDIUM; OXYGEN VACANCIES; PHOTOIONIZATION; THIN FILM TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

MONOCHROMATORS;

EID: 84863328333     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4729478     Document Type: Article

References (22)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London) 432, 488 (2004). 10.1038/nature03090
2. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006). 10.1063/1.2353811
3. K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 95, 013502 (2009). 10.1063/1.3159831
4. B. Kim, E. Chong, D. H. Kim, Y. W. Jeon, D. H. Kim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 99, 062108 (2011). 10.1063/1.3615304
5. S. W. Tsao, T. C. Chang, S. Y. Huang, M. C. Chen, S. C. Chen, C. T. Tsai, Y. J. Kuo, Y. C. Chen, and W. C. Wu, Solid-State Electron. 54, 1497 (2010). 10.1016/j.sse.2010.08.001
6. K. Nomura, T. Kamiya, H. Yanagi, E. Ikenaga, K. Yang, K. Kobayashi, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 92, 202117 (2008). 10.1063/1.2927306
7. T. C. Chen, T. C. Chang, C. T. Tsai, T. Y. Hsieh, S. C. Chen, C. S. Lin, M. C. Hung, C. H. Tu, J. J. Chang, and P. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 97, 112104 (2010). 10.1063/1.3481676
8. J. Lee, J. S. Park, Y. S. Pyo, D. B. Lee, E. H. Kim, D. Stryakhilev, T. W. Kim, D. U. Jin, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett. 95, 123502 (2009). 10.1063/1.3232179
9. A. Suresh and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 92, 033502 (2008). 10.1063/1.2824758
10. K. Lee, G. Ko, G. H. Lee, G. Han, M. M. Sung, T. W. Ha, J. H. Kim, and S. Im1, Appl. Phys. Lett. 97, 082110 (2010). 10.1063/1.3483763
11. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. Dong, Appl. Phys. Lett. 90, 212114 (2007). 10.1063/1.2742790
12. Y. Kagan and P. W. E. Andry, Thin Film Transistors (Marcel Dekker, New York, 2003), Chap., p. 87.
13. T. Kamiya, K. Nomura, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Status Solidi A 206, 860 (2009). 10.1002/pssa.200881303
14. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 87, 122102 (2005). 10.1063/1.2053360
15. H. Seo, C. J. Park, Y. J. Cho, Y. B. Kim, and D. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 96, 232101 (2010). 10.1063/1.3424790
16. H. Oh, S. M. Yoon, M. K. Ryu, C. C. Hwang, S. Yang, and S. H. K. Park, Appl. Phys. Lett. 97, 183502 (2010). 10.1063/1.3510471
17. B. Ryu, H. K. Noh, E. A. Choi, and K. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 97, 022108 (2010). 10.1063/1.3464964
18. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 486, 38 (2005). 10.1016/j.tsf.2004.11.223
19. J. M. Lee, I. T. Cho, J. H. Lee, W. S. Cheong, C. S. Hwang, and H. I. Kwon, Appl. Phys. Lett. 94, 222112 (2009). 10.1063/1.3151865
20. F. De Angelis, S. Cipolloni, L. Mariucci, and G. Fortunato, Appl. Phys. Lett. 88, 193508 (2006). 10.1063/1.2203742
21. S. Lee, K. Ghaffarzadeh, A. Nathan, J. Robertson, S. Jeon, C. Kim, I. H. Song, and U. I. Chung, Appl. Phys. Lett. 98, 203508 (2011). 10.1063/1.3589371
22. H. S. Wang, M. X. Wang, Z. Y. Yang, H. Hao, and M. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 54, 3276 (2007). 10.1109/TED.2007.908907