Complementary metal oxide semiconductor compatible Hf-based resistive random access memory with ultralow switching current/power

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 4 PART 2, 2012, Pages

  Zhang, Feifei ^a   Li, Xiang ^b   Gao, Bin ^a   Chen, Bing ^a   Huang, Peng ^a   Fu, Yihan ^a   Chen, Yuansha ^a   Liu, Lifeng ^a   Kang, Jinfeng ^a   Singh, Navab ^b   Guo Qiang, Lo ^b   Kwong, Dim Lee ^b  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOTTOM ELECTRODES; COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY; ELECTRONIC HOPPING; NON-VOLATILE MEMORIES; OXYGEN VACANCY DEFECTS; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE SWITCHING; SCHOTTKY EMISSIONS; SWITCHING CURRENTS;

DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; HAFNIUM; TITANIUM NITRIDE;

SWITCHING SYSTEMS;

EID: 84860369073     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.04DD08     Document Type: Article

References (29)

1. C. Walczyk, C. Wenger, R. Sohal, M. Lukosius, A. Fox, J. Dabrowski, D. Wolansky, B. Tillack, H. J. Müssig, and T. Schroeder: J. Appl. Phys. 105 (2009) 114103.
2. H. Y. Lee, P. S. Chen, C. C. Wang, S. Maikap, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee, and M. J. Tsai: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2175.
3. H. Y. Lee, Y. S. Chen, P. S. Chen, T. Y. Wu, F. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, M.-J. Tsai, and C. Lien: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 44.
4. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. C. Lee, F. L. Yang, C. M. Hu, and T. Y. Tseng: IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 366.
5. B. Sun, Y. X. Liu, L. F. Liu, N. Xu, Y. Wang, X. Y. Liu, R. Q. Han, and J. F. Kang: J. Appl. Phys. 105 (2009) 061630.
6. W. Y. Chang, Y. C. Lai, T. B. Wu, S. F. Wang, F. Chen, and M. J. Tsai: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 022110.
7. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, X. Y. Liu, D. D. Han, Y. Wang, R. Q. Han, J. F. Kang, and B. Yu: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 232112.
8. D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang: Nat. NanoTechnol. 5 (2010) 148.
9. Y. C. Shin, J. Song, K. M. Kim, B. J. Choi, S. Choi, H. J. Lee, G. H. Kim, T. Eom, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 162904.
10. C. B. Lee, B. S. Kang, A. Benayad, M. J. Lee, S. E. Ahn, K. H. Kim, G. Stefanovich, Y. Park, and I. K. Yoo: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 042115.
11. F. Nardi, D. Ielmini, C. Cagli, S. Spiga, M. Fanciulli, L. Goux, and D. J. Wouters: Solid-State Electron. 58 (2011) 42.
12. M. Liu, Q. Liu, S. Long, and W. Guan: Proc. Int. Symp. Circuits and Systems, 2010, p. 1.
13. N. Xu, B. Gao, L. F. Liu, B. Sun, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, and B. Yu: Symp. VLSI Technology, 2008, p. 100.
14. B. Gao, B. Sun, H. W. Zhang, L. F. Liu, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, and B. Yu: IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 1326.
15. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot: Adv. Mater. 21 (2009) 2632.
16. Z. Wei, Y. Kanzawaw, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muroka, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. Lijima, T. Mikawa, T. Ninomiya, R. Miyanaga, Y. Kawashima, T. Tsuji, A. Himeno, T. Okada, R. Azuma, K. Shimakawa, H. Sugaya, T. Takagi, R. Yasuhara, K. Horiba, H. Kumigashira, and M. Oshima: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 1.
17. J. J. Huang, C. W. Kuo, W. C. Chang, and T. H. Hou: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 262901.
18. T. H. Hou, K. L. Lin, J. Shieh, J. H. Lin, C. T. Chou, and Y. J. Lee: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 103511.
19. C. H. Cheng, A. Chin, and F. S. Yeh: Symp. VLSI Technology, 2010, p. 85.
20. C. H. Cheng, A. Chin, and F. S. Yeh: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 448.
21. C. H. Cheng, A. Chin, and F. S. Yeh: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 052905.
22. Y. Wu, B. Lee, and H. P. Wong: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 1449.
23. L. Kang, K. Onishi, Y. Jeon, B. H. Lee, C. Kang, W. J. Qi, R. Nieh, S. Gopalan, R. Choi, and J. C. Lee: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 35.
24. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 341.
25. B. Chen, B. Gao, S. W. Shen, L. F. Liu, X. Y. Liu, Y. S. Chen, Y. Wang, R. Q. Han, B. Yu, and J. F. Kang: IEEE Electron Device Lett. 32 (2000) 282.
26. M. C. Wu, Y. W. Lin, W. Y. Jang, C. H. Lin, and T. Y. Tseng: IEEE Electron Device Lett. 32 (2011) 1026.
27. H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, C. H. Lien, and M. J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 297.
28. Y. Sakotsubo, M. Terai, S. Kotsuji, Y. Saito, M. Tada, Y. Yabe, and H. Hada: Symp. VLSI Technology, 2010, p. 26.
29. K. Aratani, K. Ohba, T. Mizuguchi, S. Yasuda, T. Shiimoto, T. Tsushima, T. Sone, K. Endo, A. Kouchiyama, S. Sasaki, A. Maesaka, N. Yamada, and H. Narisawa: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 783.