Nanoimprint molds with circumferentially aligned patterns fabricated by liftoff process

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 12, 2011, Pages

  Okada, Takeru ^a   Fujimori, Jiro ^a   Iida, Tetsuya ^a  

^a PIONEER CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALIGNED PATTERNS; DENSE PATTERNS; ETCHING MASKS; HIGH-DENSITY; HYDROGEN SILSESQUIOXANE; LIFT-OFF PROCESS; MULTILAYERED RESISTS; NANOIMPRINT MOLDS; NEGATIVE TONES; POSITIVE TONE; RESIN LAYERS; UV-NANOIMPRINT;

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; ETCHING; FABRICATION; HYDROGEN; NANOIMPRINT LITHOGRAPHY; QUARTZ; RESINS;

MOLDS;

EID: 82955237746     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.126502     Document Type: Article

References (32)

1. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3114.
2. J. Haisma, M. Verheijen, and K. Heuvel: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 4124.
3. S. Y. Chou, P. R. Krauss, W. Zhang, L. Guo, and L. Zhuang: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 2897.
4. J. Taniguchi, M. Komuro, S. Inoue, N. Kimura, Y. Tokano, H. Hiroshima, and S. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 7070.
5. H. Schift: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 458.
6. L. Guo, P. R. Krauss, and S. Y. Chou: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1881.
7. W. Zhang and S. Y. Chou: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1632.
8. E. Lambert, I. L. Saunders, A. M. Patlach, M. T. Krounbi, and S. R. Hetzler: J. Appl. Phys. 69 (1991) 4724.
9. S. Y. Chou, M. Wei, P. R. Krauss, and P. B. Fisher: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 3695.
10. R. L. White, R. M. H. New, and R. F. W. Pease: IEEE Trans. Magn. 33 (1997) 990.
11. W. Wu, B. Cui, X. Sun, W. Zhang, L. Zhuang, L. Kong, and S. Y. Chou: J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 3825.
12. C. A. Ross, H. I. Smith, T. Savas, M. Schatenburg, M. Farhoud, M. Hwang, M. Walsh, M. C. Abraham, and R. J. Ram: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 3168.
13. X. Yang, Y. Xu, C. Seiler, L. Wan, and S. Xiao: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 2604.
14. E. L. Tan, K. O. Aung, R. Sbiaa, S. K. Wong, H. K. Tan, W. C. Poh, and S. N. Piramanayagam: J. Vac. Sci. Technol. B 27 (2009) 2259.
15. X. Yang, Y. Xu, K. Lee, S. Xiao, D. Kuo, and D. Weller: IEEE Trans. Magn. 45 (2009) 833.
16. K. H. Smith, J. R. Wasson, P. J. S. Mangat, W. J. Dauksher, and D. J. Resnick: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 2906.
17. W. J. Dauksher, D. P. Mancini, K. J. Nordquist, D. J. Resnick, D. L. Standfast, D. Convey, and Y. Wei: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 2771.
18. Z. Yu, H. Gao, W. Wu, H. Ge, and S. Y. Chou: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 2874.
19. H. Y. Jung, S. Y. Hwang, J. Bae, and H. Lee: J. Vac. Sci. Technol. B 27 (2009) 1861.
20. J. Tallal, K. Berton, M. Gordon, and D. Peyrade: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 2914.
21. K. Nakamatsu, K. Tone, and S. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 8186.
22. V. Auzelyte, H. H. Solak, Y. Ekinci, R. MacKenzie, J. Voros, S. Olliges, and R. Spolenak: Microelectro. Eng. 85 (2008) 1131.
23. H. Yang, A. Jin, Q. Luo, J. Li, C. Gu, and Z. Cui: Microelectro. Eng. 85 (2008) 814.
24. S. Buyukkose, B. Vratzov, and W. G. Wiel: J. Vac. Sci. Technol. B 29 (2011) 021602.
25. G. M. Schmid, M. Miller, C. Brooks, N. Khusnatdinov, D. LaBrake, D. J. Resnick, S. V. Sreenivasan, G. Gauzner, K. Lee, D. Kuo, D. Weller, and X. Yang: J. Vac. Sci. Technol. B 27 (2009) 573.
26. H. Kitahara, Y. Uno, H. Suzuki, T. Kobayashi, H. Tanaka, Y. Kojima, M. Kobayashi, M. Katsumura, Y. Wada, and T. Iida: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 06GE02.
27. W. Hu, K. Sarveswaran, M. Lieberman, and G. H. Bernstein: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 1711.
28. L. E. Ocola and A. Stein: J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) 3061.
29. M. Yan, S. Choi, K. R. V. Subramanian, and I. Adesida: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 2306.
30. J. Reinspach, M. Lindblom, O. von Hofsten, M. Bertilson, H. M. Hertz, and A. Holmberg: J. Vac. Sci. Technol. B 27 (2009) 2593.
31. T. Okada, J. Fujimori, M. Aida, M. Fujimura, T. Yoshizawa, M. Katsumura, and T. Iida: J. Vac. Sci. Technol. B 29 (2011) 021604.
32. M. Fujimura, Y. Hosoda, M. Katsumura, M. Kobayashi, H. Kitahara, K. Hashimoto, O. Kasono, T. Iida, K. Kuriyama, and F. Yokogawa: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 1414.