Schottky barrier mediated single-polarity resistive switching in Pt layer-included TiOx memory device

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 3, Issue 6, 2011, Pages 1918-1924

  Chung, Yu Lung ^a   Lai, Pei Ying ^a   Chen, Ying Chiuan ^a   Chen, Jen Sue ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Conductive atomic force microscopy; Rectify; Resistive switching; RRAM; Schottky barrier; TiOx

Indexed keywords

CONDUCTIVE ATOMIC FORCE MICROSCOPY; RECTIFY; RESISTIVE SWITCHING; RRAM; SCHOTTKY BARRIERS; TIO;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DISTILLATION; PLATINUM; RANDOM ACCESS STORAGE; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SWITCHING; SWITCHING SYSTEMS;

ELECTRIC RECTIFIERS;

PLATINUM; TITANIUM;

ARTICLE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMISTRY; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRODE; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ELECTROCHEMISTRY; ELECTRODES; MICROSCOPY, ATOMIC FORCE; MICROSCOPY, ELECTRON, TRANSMISSION; NANOTECHNOLOGY; PLATINUM; TITANIUM;

EID: 80054784687     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am200106z     Document Type: Article

References (37)

1. Goux, L.; Lisoni, J. G.; Jurczak, M.; Wouters, D. J.; Courtade, L.; Muller, C. J. Appl. Phys. 2010, 107, 024512.
2. Seo, S.; Lee, M. J.; Seo, D. H.; Jeoung, E. J.; Suh, D. S.; Joung, Y. S.; Yoo, I. K.; Hwang, I. R.; Kim, S. H.; Byun, I. S.; Kim, J. S.; Choi, J. S.; Park, B. H. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655-5657.
3. Seo, S.; Lee, M. J.; Seo, D. H.; Choi, S. K.; Suh, D. S.; Joung, Y. S.; Yoo, I. K.; Byun, I. S.; Hwang, I. R.; Kim, S. H.; Park, B. H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 093509.
4. Seo, S.; Lee, M. J.; Kim, D. C.; Ahn, S. E.; Park, B. H.; Kim, Y. S.; Yoo, I. K.; Byun, I. S.; Hwang, I. R.; Kim, S. H.; Kim, J. S.; Choi, J. S.; Lee, J. H.; Jeon, S. H.; Hong, S. H. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 263507.
5. Park, W. Y.; Kim, G. H.; Seok, J. Y.; Kim, K. M.; Song, S. J.; Lee, M. H.; Hwang, C. S. Nanotechnology 2010, 21, 195201.
6. Yang, J. J.; Pickett, M. D.; Li, X. M.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429-433.
7. Kim, K. M.; Kim, G. H.; Song, S. J.; Seok, J. Y.; Lee, M. H.; Yoon, J. H.; Hwang, C. S. Nanotechnology 2010, 21, 305203.
8. Lee, S.; Kim, H.; Yun, D. J.; Rhee, S. W.; Yong, K. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 262113.
9. Lin, C. Y.; Wu, C. Y.; Tseng, T. Y.; Hu, C. M. J. Appl. Phys. 2007, 102, 094101.
10. Kwon, D. H.; Kim, K. M.; Jang, J. H.; Jeon, J. M.; Lee, M. H.; Kim, G. H.; Li, X. S.; Park, G. S.; Lee, B.; Han, S.; Kim, M.; Hwang, C. S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148-153.
11. Jeong, H. Y.; Lee, J. Y.; Choi, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 042109.
12. Kinoshtia, K.; Okutani, T.; Tanaka, H.; Hinoki, T.; Yazawa, K.; Ohmi, K.; Kishida, S. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 143505.
13. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663.
14. Xu, Z.; Bando, Y.; Wang, W. L.; Bai, X. D.; Golberg, D. ACS Nano 2010, 4, 2515-2522.
15. Hsiung, C. P.; Liao, H. W.; Gan, J. Y.; Wu, T. B.; Hwang, J. C.; Chen, F.; Tsai, M. J. ACS Nano 2010, 4, 5414-5420.
16. Sawa, A.; Fujii, T.; Kawasaki, M.; Tokura, Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4073-4075.
17. Asanuma, S.; Akoh, H.; Yamada, H.; Sawa, A. Phys. Rev. B 2009, 80, 235113.
18. Lee, M. J.; Park, Y.; Suh, D. S.; Lee, E. H.; Seo, S.; Kim, D. C.; Jung, R.; Kang, B. S.; Ahn, S. E.; Lee, C. B.; Seo, D. H.; Cha, Y. K.; Yoo, I. K.; Kim, J. S.; Park, B. H. Adv. Mater. 2007, 19, 3919-3923.
19. Cho, B.; Kim, T. W.; Song, S.; Ji, Y.; Jo, M.; Hwang, H.; Jung, G. Y.; Lee, T. Adv. Mater. 2010, 22, 1228-1232.
20. Lee, M. J.; Kim, S. I.; Lee, C. B.; Yin, H. X.; Ahn, S. E.; Kang, B. S.; Kim, K.H.; Park, J.C.; Kim, C. J.; Song, I.; Kim, S.W.; Stefanovich,G.; Lee, J. H.; Chung, S. J.; Kim, Y. H.; Park, Y. Adv. Funct.Mater. 2009, 19, 1587-1593.
21. Shima, H.; Takano, F.; Muramatsu, H.; Akinaga, H.; Inoue, I. H.; Takagi, H. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 043510.
22. Huang, J. J.; Kuo, C. W.; Chang, W. C.; Hou, T. H. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 262901.
23. Smyth, D. M. In The Defect Chemistry of Metal Oxides; Oxford University Press: New York, 2000; Chapter 10.
24. Jameson, J. R.; Fukuzumi, Y.; Wang, Z.; Griffin, P.; Tsunoda, K.; Meijer, G. I.; Nishi, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 112101.
25. Lue, H. T.; Liu, C. Y.; Tseng, T. Y. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 553-555.
26. Campera, A.; Iannaccone, G.; Crupi, F. IEEE Trans. Electron Devices 2007, 54, 83-89.
27. Crupi, F.; Ciofi, C.; Germano, A.; Iannaccone, G.; Stathis, J. H.; Lombardo, S. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4597-4599.
28. Choi, B. J.; Jeong, D. S.; Kim, S. K.; Rohde, C.; Choi, S.; Oh, J. H.; Kim, H. J.; Hwang, C. S.; Szot, K.; Waser, R.; Reichenberg, B.; Tiedke, S. J. Appl. Phys. 2005, 98, 033715.
29. Moulder, J. F.; Stickle, W. F.; Sobol, P. E.; Bomben, K. D. In Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy; Chastain, J., King, R. C., Eds.; Physical Electronics Inc.: MN, 1995.
30. Ohsaki, H.; Tachibana, Y.; Mitsui, A.; Kamiyama, T.; Hayashi, Y. Thin Solid Films 2001, 392, 169.
31. Liu, G. M.; Jaegermann, W.; He, J. J.; Sundstrom, V.; Sun, L. C. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5814.
32. Hossain, F. M.; Murch, G. E.; Sheppard, L.; Nowotny, J. Defect and Diffusion Forum 2006, 251-252, 1.
33. Gu, D. F.; Dey, S. K.; Majhi, P. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 082907.
34. Schierbaum, K. D.; Fischer, S.; Torquemada, M. C.; deSegovia, J. L.; Roman, E.; MartinGago, J. A. Surf. Sci. 1996, 345, 261-273.
35. Beise, A. In Concepts of Modern Physics, 6th ed.; McGraw-Hill Companies: New York, 2003; p185.
36. Kim, K. M.; Choi, B. J.; Shin, Y. C.; Choi, S.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 012907.
37. Kim, K. M.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 122109.