Modified resistive switching behavior of Zr O2 memory films based on the interface layer formed by using Ti top electrode

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 9, 2007, Pages

  Lin, Chih Yang ^a   Wu, Chung Yi ^a   Wu, Chen Yu ^a   Tseng, Tseung Yuen ^a   Hu, Chenming ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; DATA STORAGE EQUIPMENT; INTERFACES (MATERIALS); TITANIUM; ZIRCONIA;

BIAS POLARITY; MEMORY FILM; RESISTIVE SWITCHING;

THIN FILMS;

EID: 37549046069     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2802990     Document Type: Article

References (17)

1. S. Seo, M. J. Lee, D. C. Kim, S. E. Ahn, B.-H. Park, Y. S. Kim, I. K. Yoo, I. S. Byun, I. R. Hwang, S. H. Kim, J.-S. Kim, J. S. Choi, J. H. Lee, S. H. Jeon, S. H. Hong, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 87, 263507 (2005).
2. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
3. W. C. Peng, J. G. Lin, and J. H. Wu, J. Appl. Phys. 100, 093704 (2006).
4. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004).
5. H. Sim, H. Choi, D. Lee, M. Chang, D. Choi, Y. Son, E.-H. Lee, W. Kim, Y. Park, I. K. Yoo, and H. Hwang, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 777.
6. C. Y. Liu, P. H. Wu, A. Wang, W. Y. Jang, J. C. Young, K. Y. Chiu, and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 26, 351 (2005).
7. C. C. Lin, B. C. Tu, C. C. Lin, C. H. Lin, and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 27, 725 (2006).
8. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T.-C. Lee, F.-L. Yang, C. Hu, and T.-Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 28, 366 (2007).
9. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, C. Hu, and T. Y. Tseng, J. Electrochem. Soc. 154, G189 (2007).
10. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 89, 103509 (2006).
11. A. Chen, S. Haddad, Y.-C. Wu, T.-N. Fang, Z. Lan, S. Avanzino, S. Pangrle, M. Buynoski, M. Rathor, W. Cai, N. Tripsas, C. Bill, M. VanBuskirk, and M. Taguchi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 765.
12. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
13. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 262907 (2005).
14. B. J. Choi, S. Choi, K. M. Kim, Y. C. Shin, C. S. Hwang, S.-Y. Hwang, S.-s. Cho, S. Park, and S.-K. Hong, Appl. Phys. Lett. 89, 012906 (2006).
15. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 88, 232106 (2006).
16. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D.-S. Suh, M. J. Lee, B.-H. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H.-J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 88, 202102 (2006).
17. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi, and N. Awaya, Appl. Phys. Lett. 89, 223509 (2006).