Thickness dependence of properties of ZnO thin films on porous silicon grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 59, Issue 3, 2011, Pages 2354-2361

  Kim, Min Su ^a   Yim, Kwang Gug ^a   Leem, Jae Young ^a   Kim, Soaram ^a   Nam, Giwoong ^a   Lee, Dong Yul ^b   Kim, Jin Soo ^c   Kim, Jong Su ^d  

^a Inje University   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^c Chonbuk National University   (South Korea)

^d Yeungnam University   (South Korea)

Author keywords

Photoluminescence; Plasma assisted molecular beam epitaxy; Porous silicon; Thin film; Zinc oxide

Indexed keywords

EID: 80052879998     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.59.2354     Document Type: Article

References (44)

1. J. B. Webb, D. F. Williams and M. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 39, 640 (1981).
2. S. Pizzini, N. Butta, D. Narducci and M. Palladino, J. Electrochem. Soc. 136, 1945 (1989).
3. G. S. Kino and R. S. Wagner, J. Appl. Phys. 44, 1480 (1973).
4. Z-C. Jin, I. Hamberg, C. G. Granqvist, B. E. Sernelius and K. F. Berggren, Thin Solid Films 164, 381 (1988).
5. J. S. Ahn and K. B. Lee, J. Korean Phys. Soc. 57, 1244 (2010).
6. T. Makino, C. H. Chia, T. T. Nguen and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 77, 1632 (2000).
7. S. C. Gong, S. Bang, H. Jeon, H-H. Park, Y. C. Chang and H. J. Chang, Met. Mater. Int. 16, 953 (2010).
8. K. Yang and J. Dho, J. Korean Phys. Soc. 55, 188 (2009).
9. Y. Zhang, G. Du, B. Zhang, Y. Cui, H. Zhu and Y. Chang, Semicond. Sci. Technol. 20, 1132 (2005).
10. U. N. Maiti, P. K. Ghosh, S. Nandy and K. K. Chattopadhyay, Physica B 387, 103 (2007).
11. H-M. Kim, K. Bae and S. Sohn, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 045801 (2011).
12. S-J. An, W. I. Park, G-C. Yi and S. Cho, Appl. Phys. A 74, 509 (2002).
13. M. Y. Cho, M. S. Kim, H. Y. Choi, S. M. Jeon, G. S. Kim, D. Y. Kim, K. G. Yim, D-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J. I. Lee and J-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 56, 1833 (2010).
14. X. Du, M. Murakami, H. Iwaki, Y. Ishitani and A. Yoshikawa, Jpn, J. Appl. Phys. 41, L1043 (2001).
15. A. Setiawan, Z. Vashaei, M. W. Cho, T. Yao, H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, I. Yonenaga and H. J. Ko, J. Appl. Phys. 96, 3763 (2004).
16. Y. M. Lu, X. Wang, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, S. C. Su, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, X. W. Fan and Z. K. Tang, J. Cryst. Growth 301-302, 373 (2007).
17. F. Xiu, Z. Yang, D. Zhao, J. Liu, K. A. Alim, A. A. Balandin, M. E. Itkis and R. C. Haddon, J. Cryst. Growth 286, 61 (2006).
18. E. Ş. Tüzemen, S. Eker, H. Kavak and R. Esen, Appl. Surf. Sci. 255, 6195 (2009).
19. S. M. Yang, S. K. Han, D. S. Kang, J. G. Kim, S. K. Hong, J. W. Lee, J. Y. Lee, J. H. Song and T. Yao, J. Korean Phys. Soc. 53, 276 (2008).
20. A. Miyake, H. Kominami, H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nakanishi and Y. Hatanaka, J. Cryst. Growth 214-215, 294 (2000).
21. M. S. Kim et al., J. Cryst. Growth 311, 3568 (2009).
22. Y. Feng, Y. Zhou, Y. Liu, G. Zhang and X. Zhang, J. Lumin. 119-120, 233 (2006).
23. D. J. Park, J. Y. Lee, T. E. Park, Y. Y. Kim and H. K. Cho, Thin Solid Films 515, 6721 (2007).
24. Y. C. Lee, S. Y. Hu, W. Water, K. K. Tiong, Z. C. Feng, Y. T. Chen, J. C. Huang, J. W. Lee, C. C. Huang, J. L. Shen and M. H. Cheng, J. Lumin. 129, 148 (2009).
25. M. S. Kim, G. S. Kim, M. Y. Cho, D. Y. Kim, H. Y. Choi, S. M. Jeon, K. G. Yim, D-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J-S. Son, J. I. Lee and J-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 56, 827 (2010).
26. A. B. M. A. Ashrafi, Y. Segawa, K. Shin, J. Yoo and T. Yao, Appl. Surf. Sci. 249, 139 (2005).
27. Y. F. Chen, D. M. Bagnall, Z. Q. Zhu, T. Sekiuchi, K. T. Park, K. Hiraga, T. Yao, S. Kovama, M. Y. Shen and T. Goto, J. Cryst. Growth 181, 165 (1997).
28. L. S. Chuah, Z. Hassan and S. N. H. A. Hassan, J. Alloys Compd. 479, L54 (2009).
29. K. K. Kim, J. H. Jong, H. J. Jung, W. K. Choi, S. J. Par and J. H. Song, J. Appl. Phys. 87, 3573 (2000).
30. J. B. You, X. W. Zhang, Y. M. Fan, Z. G. Yin, P. F. Gai and N. F. Chen, Appl. Surf. Sci. 255, 5876 (2009).
31. R. Hong, J. Huang, H. He, Z. Fan and J. Shao, Appl. Surf. Sci. 242, 346 (2005).
32. H. Cai, H. Shen, Y. Yin, L. Lu, J. Shen and Z. Tang, J. Phys. Chem. Solids 70, 967 (2009).
33. B. Ling, Y. Wang, X. W. Sun, Z. L. Dong and N. X. Yang, IEEE J. Sel. Top. Quant. (In press)
34. P. K. Basu, E. Bontempi, S. Maji, H. Saha and S. Basu, J. Mater. Sci.-Mater. Electron. 20, 1203 (2009).
35. Y. Yan, Y. Zhang, G. Meng and L. Zhang, J. Cryst. Growth 294, 184 (2006).
36. L. Xu, X. Li, Y. Chen and F. Xu, Appl. Surf. Sci. 257, 4031 (2011).
37. D. H. Zhang, Z. Y. Xue and Q. P. Wang, J. Phys. D: Appl. Phys. 35, 2837 (2002).
38. J. Zhang, H. Feng, W. Hao and T. Wang, J. Sol-Gel Sci. Technol. 39, 37 (2006).
39. S. Anas, R. V. Mangalaraja and S. Ananthakumar, J. Hazard. Mater. 175, 889 (2010).
40. M. Z. Sahdan, M. H. Mamat, M. Salina, Z. Khusaimi, U. M. Noor and M. Rusop, Phys. Status Solidi C 7, 2286 (2010).
41. K. Shin, K. Prabakar, W. P. Tai, J. H. Oh, C. Lee, D. W. Park and W. S. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 45, 1288 (2004).
42. Y. Y. Peng, T. E. Hsieh and C. H. Hsu, Nanotechnology 17, 147 (2006).
43. R. G. Singh, F. Singh, D. Kanjilal, V. Agarwal and R. M. Mehra, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 062002 (2009).
44. T. Nobis, E. M. Kaidashev, A. Rahm, M. Lorenz and M. Grundmann, Phys. Rev. Lett. 93, 103903 (2004).