Ferroelectric gated electrical transport in CdS nanotetrapods

Nano Letters

Volumn 11, Issue 5, 2011, Pages 1913-1918

  Fu, Wangyang ^a   Qin, Shengyong ^b   Liu, Lei ^a   Kim, Tae Hwan ^b   Hellstrom, Sondra ^d   Wang, Wenlong ^a   Liang, Wenjie ^a   Bai, Xuedong ^a   Li, An Ping ^b   Wang, Enge ^c  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c PEKING UNIVERSITY   (China)

^d Stanford University   (United States)

Author keywords

band alignment; ferroelectric; field effect; Nanotetrapod; nonvolatile memory; scanning probe microscopy

Indexed keywords

BAND ALIGNMENTS; FERROELECTRIC; FIELD EFFECTS; NANOTETRAPODS; NON-VOLATILE MEMORIES;

BARIUM; BEHAVIORAL RESEARCH; CADMIUM COMPOUNDS; CADMIUM SULFIDE; ELECTRIC PROPERTIES; FERROELECTRICITY; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); POLARIZATION; PROBES; SCANNING PROBE MICROSCOPY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SINGLE ELECTRON TRANSISTORS; TRANSIENTS; TRANSISTORS; TRANSPORT PROPERTIES;

ELECTRIC FIELD EFFECTS;

EID: 79955908816     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl104398v     Document Type: Article

References (41)

1. Avouris, Ph. Acc. Chem. Res. 2002, 35, 1026-1034
2. Iijima, S. Nature 1991, 354, 56-58
3. Tans, S.; Verschueren, A.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52
4. Fuhrer, M. S.; Kim, B. M.; Durkop, T.; Brintlinger, T. Nano Lett. 2002, 2, 755-759
5. Radosavljevic, M.; Freitag, M.; Thadani, K. V.; Johnson, A. T. Nano Lett. 2002, 2, 761-764
6. Javey, A. Nat. Mater. 2002, 1, 241-246
7. Fu, L.; Liu, Y. Q.; Liu, Z. M.; Han, B. X.; Cao, L. C.; Wei, D. C.; Yu, G.; Zhu, D. B. Adv. Mater. 2006, 18, 181-185
8. Wei, S. H.; Zhang, S. B. Phys. Rev. B 2000, 62, 6944-6947
9. Li, J.; Wang, L. W. Nano Lett. 2003, 3, 1357-1363
10. Tari, D.; Giorgi, M.; Sala, F.; Carbone, L.; Krahne, R.; Manna, L.; Cingolani, R.; Kudera, S.; Parak, W. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 224101
11. Manna, L.; Milliron, D. J.; Meisel, A.; Scher, E. C.; Alivisatos, A. P. Nat. Mater. 2003, 2, 382-385
12. Cui, Y.; Banin, U.; Bjork, M. T.; Alivisatos, A. P. Nano Lett. 2005, 5, 1519-1523
13. Teich-McGoldrick, S. L.; Bellanger, M.; Caussanel, M.; Tsetseris, L.; Pantelides, S. T.; Glotzer, S. C.; Schrimpf, R. D. Nano Lett. 2009, 9, 3683-3688
14. Pang, Q.; Zhao, L. J.; Cai, Y.; Nguyen, D. P.; Regnault, N.; Wang, N.; Yang, S. H.; Ge, W. K.; Ferreira, R.; Bastard, G.; Wang, J. N. Chem. Mater. 2005, 17, 5263-5267
15. Bai, Z. K.; Xie, C. S.; Hu, M. L.; Zhang, S. P.; Zeng, D. W. Mater. Sci. Eng., B 2008, 149, 12-17
16. Malkmus, S.; Kudera, S.; Manna, L.; Parak, W. J.; Braun, M. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 17334-17338
17. Zhang, Z. X.; Sun, L. F.; Zhao, Y. C.; Liu, Z.; Liu, D. F.; Cao, L.; Zou, B. S.; Zhou, W. Y.; Gu, C. Z.; Xie, S. S. Nano Lett. 2008, 8, 652-655
18. Manna, L.; Scher, E. C.; Alivisatos, A. P. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 12700-12706
19. Peng, X. Adv. Mater. 2003, 15, 459
20. Wang, W. L; Bai, F. L. ChemPhysChem 2003, 4, 761
21. Wang, W. L; Bai, F. L. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 193109
22. Kingon, A. I.; Maria, J. P.; Streiffer, S. K. Nature 2000, 406, 1032-1038
23. Mathews, S.; Ramesh, R.; Venkatesan, T.; Benedetto, J. Science 1997, 276, 238-240
24. Ma, T. P.; Han, J. P. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 386-388
25. Arimoto, Y.; Ishiwara, H. MRS Bull. 2004, 100, 823-828
26. Scott, J. F. Science 2007, 315, 954-959
27. Sakaia, S.; Takahashia, M.; Takeuchib, K.; Lia, Q. H.; Horiuchia, T.; Wang, S. Y.; Yuna, K. Y.; Takamiyac, M.; Sakuraic, T. NVSMW / ICMTD 2008, 36, 103-105
28. Lei, B.; Li, C.; Zhang, D.; Zhou, Q. F.; Shung, K. K.; Zhou, C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4553
29. Sakurai, T.; Yoshimura, T.; Akita, S.; Fujimura, N.; Nakayama, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 1036
30. Ohishi, M.; Shiraishi, M.; Ochi, K.; Kubozono, Y.; Kataura, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 203505
31. Paruch, P.; Posadas, A. B.; Dawber, M.; Ahn, C. H.; McEuen, P. L. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 132901
32. Cheah, J. W.; Shi, Y.; Ong, H. G.; Lee, C. W.; Li, L. J.; Wang, J. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 082103
33. Nishio, T.; Miyato, Y.; Kobayashi, K.; Ishida, K.; Matsushige, K.; Yamada, H. Nanotechnology 2008, 19, 035202
34. Liao, L.; Fan, H. J.; Yan, B.; Zhang, Z.; Chen, L. L.; Li, B. S.; Xing, G. Z.; Shen, Z. X.; Wu, T.; Sun, X. W.; Wang, J.; Yu, T. ACS Nano 2009, 3, 700
35. Fu, W. Y.; Xu, Z.; Bai, X. D.; Gu, C. Z.; Wang, E. G. Nano Lett. 2009, 9, 921
36. Fu, W. Y.; Xu, Z.; Liu, L.; Bai, X. D.; Wang, E. G. Nanotechnology 2009, 20, 475305
37. Kim, T. H.; Wang, Z.; Wendelken, J. F.; Weitering, H. H.; Li, W.; Li, A. P. Rev. Sci. Instrum. 2007, 78, 123701
38. Fu, W. Y.; Wang, H.; Cao, L. Z.; Zhou, Y. L. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 182910
39. Guo, L. J.; Leobandung, E.; Chou, S. Y. Science 1997, 275, 649
40. Thelander, C.; Nilsson, H. A.; Jensen, L. E.; Samuelson, L. Nano Lett. 2005, 5, 635
41. Zhou, Y.; Han, W.; Wang, Y.; Xiu, F.; Zou, J.; Kawakami, R. K.; Wang, K. L. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 102103