Bi1.5 Zn1.0 Nb1.5 O7 Mn -doped Ba0.6 Sr0.4 Ti O3 heterolayered thin films with enhanced tunable performance

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 18, 2008, Pages

  Fu, Wangyang ^a   Wang, Hong ^b   Cao, Lingzhu ^c   Zhou, Yueliang ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY   (China)

^c BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; DIELECTRIC LOSSES; DOPING (ADDITIVES); PERMITTIVITY; PULSED LASER DEPOSITION;

HETEROLAYERED THIN FILMS; TUNABLE MATERIALS;

THIN FILMS;

EID: 43349097530     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2924278     Document Type: Article

References (24)

1. A. K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, and N. Setter, J. Electroceram. 11, 5 (2003).
2. Z. Yuan, Y. Lin, J. Weaver, X. Chen, C. L. Chen, G. Subramanyam, J. C. Jiang, and E. I. Meletis, Appl. Phys. Lett. 87, 152901 (2005).
3. C. M. Carlson, T. V. Rivkin, P. A. Parilla, J. D. Perkins, D. S. Ginley, A. B. Kozyrev, V. N. Oshadchy, and A. S. Pavlov, Appl. Phys. Lett. 76, 1920 (2000).
4. B. H. Park, E. J. Peterson, Q. X. Jia, J. Lee, X. Zeng, W. Si, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 78, 533 (2001).
5. S. S. Gevorgian and E. L. Kollberg, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 49, 2117 (2001).
6. A. Vorobiev, P. Rundqvist, K. Khamchane, and S. Gevorgian, Appl. Phys. Lett. 83, 3144 (2003).
7. B. L. Cheng, C. Wang, S. Y. Wang, T. W. Button, H. B. Lu, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 84, 5431 (2004).
8. N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N. Y. Park, G. B. Stephenson, I. Stolitchnov, A. K. Taganstev, D. V. Taylor, T. Yamada, and S. Streiffer, J. Appl. Phys. 100, 051606 (2006).
9. J. F. Scott, Science 315, 954 (2007).
10. M. W. Cole, W. D. Nothwang, C. Hubbard, E. Ngo, and M. Ervin, J. Appl. Phys. 93, 9218 (2003).
11. X. H. Zhu, D. N. Zheng, W. Peng, J. Li, and Y. F. Chen, Mater. Lett. 60, 1224 (2006).
12. V. Reymond, D. Michau, S. Payan, and M. Maglione, Ceram. Int. 30, 1085 (2004).
13. V. O. Sherman, A. K. Tagantsev, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 90, 162901 (2007).
14. L. Yan, L. B. Kong, L. F. Chen, K. B. Chong, C. Y. Tan, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 3522 (2004).
15. S. X. Wang, M. S. Guo, X. H. Sun, T. Liu, M. Y. Li, and X. Z. Zhao, Appl. Phys. Lett. 89, 212907 (2006).
16. W. Y. Fu, L. Z. Cao, S. F. Wang, Z. H. Sun, B. L. Cheng, Q. Wang, and H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 132908 (2006).
17. P. Shi, W. Ren, X. Wu, R. Huang, L. Zhang, and X. Yao, Ferroelectrics 357, 138 (2007).
18. W. Ren, S. Trolier-McKinstry, C. A. Randall, and T. R. Shrout, J. Appl. Phys. 89, 767 (2001).
19. H. Wang, H. L. Du, and X. Yao, Mater. Sci. Eng., B 99, 20 (2003).
20. J. W. Lu and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 83, 2411 (2003).
21. J. G. Cheng, J. L. Wang, T. Dechakupt, and S. Trolier-McKinstry, Appl. Phys. Lett. 87, 232905 (2005).
22. J. Park, J. W. Lu, S. Stemmer, and R. A. York, J. Appl. Phys. 97, 084110 (2005).
23. R. L. Thayer, C. A. Randall, and S. Trolier-McKinstry, J. Appl. Phys. 94, 1941 (2003).
24. J. W. Lu, S. Schmidt, D. S. Boesch, N. Pervez, R. A. York, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 88, 112905 (2006).