Carbon nanotubes coated with alumina as gate dielectrics of field-effect transistors

Advanced Materials

Volumn 18, Issue 2, 2006, Pages 181-185

  Fu, Lei ^a,b   Liu, Yunqi ^a   Liu, Zhimin ^a   Han, Buxing ^a   Cao, Lingchao ^a,b   Wei, Dacheng ^a,b   Yu, Gui ^a   Zhu, Daoben ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; EVAPORATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; LEAKAGE CURRENTS; SILICON;

AU/TI CONTACT PADS; BAND GAP; GATE STRUCTURE; OXIDIZED SILICON SURFACE;

CARBON NANOTUBES;

EID: 31144441659     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200501324     Document Type: Article

References (22)

1. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature 1998, 393, 49.
2. R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, Ph. Avouris, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
3. S. D. Li, Z. Yu, S. F. Yen, W. C. Tang, P. J. Burke, Nano Lett. 2004, 4, 753.
4. V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller, Ph. Avouris, Nano Lett. 2001, 1, 453.
5. A. Bachtold, P. Hadley, T. Nakanishi, C. Dekker, Science 2001, 294, 1317.
6. S. J. Wind, J. Appenzeller, R. Martel, V. Derycke, P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3817.
7. A. Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIntyre, P. McEuen, M. Lundstrom, H. J. Dai, Nat. Mater. 2002, 1, 241.
8. A. Javey, J. Guo, D. B. Farmer, Q. Wang, D. W. Wang, R. G. Gordon, M. Lundstrom, H. J. Dai, Nano Lett. 2004, 4, 447.
9. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H. J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, J. Bude, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 180.
10. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, Science 1999, 283, 1897.
11. T. I. T. Okpalugo, P. Papakonstantinou, H. Murphy, J. McLaughlin, N. M. D. Brown, Carbon 2005, 43, 153.
12. V. Gopal, V. R. Radmilovic, C. Daraio, S. Jin, P. Yang, E. A. Stach, Nano Lett. 2004, 4, 2059.
13. S. J. Wind, M. Radosavljevic, J. Appenzeller, P. Avouris, J. Vac. Sci. Technol., B 2003, 21, 2856.
14. K. Xiao, Y. Q. Liu, P. A. Hu, G. Yu, L. Fu, D. B. Zhu, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4824.
15. X. L. Liu, C. L. Lee, C. W. Zhou, J. Han, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3329.
16. S. A. Campbell, H. S. Kim, D. C. Gilmer, B. He, T. Ma, W. L. Gladfelter, IBM J. Res. Dev. 1999, 43, 383.
17. A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom, H. J. Dai, Nature 2003, 424, 654.
18. X. M. Meng, J. Q. Hu, Y. Jiang, C. S. Lee, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2241.
19. J. S. Lee, B. Min, K. Cho, S. Kim, J. Park, Y. T. Lee, N. S. Kim, M. S. Lee, S. O. Park, J. T. Moon, J. Cryst. Growth 2003, 254, 443.
20. E. A. Whitsitt, A. R. Barron, Nano Lett. 2003, 3, 775.
21. L. Dai, X. L. Chen, X. Zhang, T. Zhou, B. Hu, Appl. Phys. A 2004, 78, 557.
22. X. B. Wang, Y. Q. Liu, D. B. Zhu, Adv. Mater. 2002, 14, 165.