Segregation behaviors and radial distribution of dopant atoms in silicon nanowires

Nano Letters

Volumn 11, Issue 2, 2011, Pages 651-656

  Fukata, Naoki ^a,b   Ishida, Shinya ^c   Yokono, Shigeki ^c   Takiguchi, Ryo ^c   Chen, Jun ^a   Sekiguchi, Takashi ^a   Murakami, Kouichi ^c  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^c UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

Author keywords

boron; phosphorus; radial distribution; segregation behaviors; Silicon nanowires

Indexed keywords

B ATOMS; CONDUCTION ELECTRONS; DOPANT ATOMS; DYNAMIC BEHAVIORS; ELECTRON SPIN RESONANCE; HIGH-SPEED TRANSISTORS; LOW POWER; MICRO-RAMAN SCATTERING; OPTICAL PHONON PEAK; RADIAL DISTRIBUTIONS; SEGREGATION BEHAVIORS; SILICON NANOWIRES; SURFACE OXIDE LAYER; THERMAL OXIDATION;

ATOMS; BORON; DOPING (ADDITIVES); NANOWIRES; PHOSPHORUS; SEGREGATION (METALLOGRAPHY); SPIN DYNAMICS;

BEHAVIORAL RESEARCH;

NANOMATERIAL; SILICON;

ARTICLE; CHEMISTRY; MATERIALS TESTING; PARTICLE SIZE; ULTRASTRUCTURE;

MATERIALS TESTING; NANOSTRUCTURES; PARTICLE SIZE; SILICON;

EID: 79851483790     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl103773e     Document Type: Article

References (40)

1. Chung, S. W.; Yu, J. Y.; Heath, J. R. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2068-2070
2. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851-853
3. Wang, Y.; Lew, K. K.; Ho, T. T.; Pan, L.; Novak, S. W.; Dickey, E. C.; Redwing, J. M.; Mayer, T. S. Nano Lett. 2005, 5, 2139-2143
4. Schmidt, V.; Riel, H.; Senz, S.; Karg, S.; Riess, W.; Gösele, U. Small 2006, 2, 85-88
5. Goldberger, J.; Hochbaum, A. I.; Fan, R.; Yang, P. Nano Lett. 2006, 6, 973-977
6. Weber, W. M.; Geelhaar, L.; Graham, A. P.; Unger, E.; Duesberg, G. S.; Liebau, M.; Pamler, W.; Chèze, C.; Riechert, H.; Lugli, P.; Kreupl, F. Nano Lett. 2006, 6, 2660-2666
7. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89-90
8. Cui, Y.; Duan, X.; Hu, J.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. 2000, B104, 5213-5216
9. Ma, D. D. D.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2468-2470
10. Zheng, G.; Lu, W.; Jin, S.; Lieber, C. M. Adv. Mater. 2004, 16, 1890-1893
11. Pan, L.; Lew, K. K.; Redwing, J. M.; Dickey, E. C. J. Cryst. Growth 2005, 277, 428-436
12. Yang, C.; Zhong, Z.; Lieber, C. M. Science 2005, 310, 1304-1307
13. Fukata, N.; Chen, J.; Sekiguchi, T.; Okada, N.; Murakami, K.; Tsurui, T.; Ito, S. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 203109
14. Fukata, N.; Chen, J.; Sekiguchi, T.; Matsushita, S.; Oshima, T.; Uchida, N.; Murakami, K.; Tsurui, T.; Ito, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 153117
15. Fukata, N Adv. Mater. 2009, 21, 2829-2832
16. Fukata, N.; Sato, K.; Mitome, M.; Bando, Y.; Sekiguchi, T.; Kirkham, M; Hong, J. I.; Wang, Z. L.; Snyder, R. L ACS NANO 2010, 4, 3807-3816
17. Perea, D. E.; Hemesath, E. R.; Schwalbach, E. J.; Lensch-Falk, J. L.; Voorhees, P. W.; Lauhon, L. J. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 315-319
18. Schlitz, R. A.; Perea, D. E.; Lensch-Falk, J. L.; Lauhon, L. J. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 162101
19. Koren, E.; Berkovitch, N.; Rosenwaks, Y. Nano Lett. 2010, 10, 1163-1167
20. Fukata, N.; Oshima, T.; Murakami, K.; Kizuka, T.; Tsurui, T.; Ito, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 213112
21. Fukata, N.; Oshima, T.; Okada, N.; Kizuka, T.; Tsurui, T.; Ito, S.; Murakami, K. J. Appl. Phys. 2006, 100 024311
22. Sakamoto, K.; Nishi, K.; Ichikawa, F.; Ushio, S. J. Appl. Phys. 1987, 61, 1553-1555
23. Grove, A. S.; Leistiko, O.; Sah, C. T. J. Apply. Phys. 1964, 35, 2695-2701
24. Piscanec, S; Cantoro, M; Ferrari, A. C.; Zapien, J. A.; Lifshitz, Y.; Lee, S. T.; Hofmann, S.; Robertson, J. Phys. Rev. B 2003, 68 241312(R)
25. Baumer, A.; Stutzmann, M.; Brandt, M. S.; Au, F. C. K.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 943-945
26. Wang, R. P. Appl. Phys. Lett. 2006, 88 142104
27. Masetti, G.; Solmi, S.; Soncini, G. Philos. Mag. 1976, 33, 613-621
28. Hu, S. M. J. Appl. Phys. 1974, 45, 1567-1573
29. Matsumoto, S.; Ishikawa, Y.; Niimi, T. J. Appl. Phys. 1983, 54, 5049-5054
30. Gossmann, H. J.; Rafferty, C. S.; Luftman, H. S.; Unterwald, F. C.; Boone, T.; Poate, J. M. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 639-641
31. Stolk, P. A.; Gossmann, H. J.; Eaglesham, D. J.; Poate, J. M. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 1995, B 96, 187-195
32. Jain, S. C.; Schoenmaker, W.; Lindsay, R.; Stolk, P. A.; Decouter, S.; Willander, M.; Maes, H. E. J. Appl. Phys. 2002, 91, 8919-8941
33. Kageshima, H.; Uematsu, M.; Akagi, K.; Tsuneyuki, S.; Akiyama, T.; Shiraishi, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 8223-8226
34. Fahey, P. M.; Griffin, P. B.; Plummer, J. D. Rev. Mod. Phys. 1989, 61, 289-384
35. Sadigh, B.; Lenosky, T. J.; Theiss, S. K.; Caturla, M. J.; Rubia, T. D.; de la.; Foad, M. A. Phys. Rev. Lett. 1999, 83, 4341-4344
36. Fukata, N.; Mitome, M.; Bando, Y.; Seoka, M.; Matsushita, S.; Murakami, K.; Chen, J.; Sekiguchi, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 93 203106
37. Peelaers, Hartwin; Partoens, Bart; Peeters, Francois M. Nano Lett. 2006, 6, 2781-2784
38. Liu, H. I.; Biegelsen, D. K.; Ponce, F. A.; Johnson, N. M.; Pease, R. F. W. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1383-1385
39. Fukuda, H.; Hoyt, J. L.; McCord, M. A.; Pease, R. F. W. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 333-335
40. Mernagh, T. P.; Liu, L. G. J. Appl. Phys. Chem. Solids 1991, 52, 507-512