Phonon confinement and self-limiting oxidation effect of silicon nanowires synthesized by laser ablation

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 2, 2006, Pages

  Fukata, N ^a,b   Oshima, T ^b   Okada, N ^b   Murakami, K ^b   Kizuka, T ^b   Tsurui, T ^c   Ito, S ^c  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^c TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRESS; CRYSTALLINE MATERIALS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OXIDATION; PHONONS; SILICON COMPOUNDS;

PHONON CONFINEMENT; SELF-LIMITING OXIDATION EFFECT; SILICON NANOWIRES (SINW); THERMAL OXIDATION;

LASER ABLATION;

EID: 33746813955     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2218386     Document Type: Article

References (26)

1. Y. Cui and C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
2. J. F. Wang, M. S. Gudiksen, X. F. Duan, Y. Cui, and C. M. Lieber, Science 293, 1455 (2001).
3. X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London) 409, 66 (2001).
4. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
5. T. Arai and M. Tomitori, Appl. Phys. Lett. 86, 073110 (2005).
6. N. Fukata, T. Oshima, T. Tsurui, S. Ito, and K. Murakami, Sci. Technol. Adv. Mater. 6, 628 (2005).
7. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
8. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 72, 1835 (1998).
9. S. T. Lee, N. Wang, and C. S. Lee, Mater. Sci. Eng., A 286, 16 (2000).
10. N. Fukata, T. Oshima, K. Murakami, T. Kizuka, T. Tsurai, and S. Ito, Appl. Phys. Lett. 86, 213112 (2005).
11. J. Westwater, D. P. Gosain, and S. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6204 (1997).
12. Y. Cui, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, J. Wang, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 78, 2214 (2001).
13. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
14. E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth 31, 20 (1975).
15. X. Zhao, C. M. Wei, L. Yang, and M. Y. Chou, Phys. Rev. Lett. 92, 236805 (2004).
16. D. P. Yu et al., Phys. Rev. 59, R2498 (1999).
17. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, and S. T. Lee, Science 299, 1874 (2003).
18. S. Piscanec, M. Cantro, A. C. Ferrari, J. A. Zapien, Y. Lifshitz, S. T. Lee, S. Hofmann, and J. Robertson, Phys. Rev. B 68, 241312 (2003).
19. S. Bhattachayya and S. Samui, Appl. Phys. Lett. 84, 1564 (2004).
20. K. W. Adu, H. R. Gutierrez, U. J. Kim, G. U. Sumanasekera, and P. C. Eklund, Nano Lett. 5, 400 (2005).
21. N. Fukata, T. Oshima, N. Okada, T. Kizuka, T. Tsurui, S. Ito, and K. Murakami, Physica B 376-377, 864 (2006).
22. H. I. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson, and R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 64, 1383 (1994).
23. H. Fukuda, J. L. Hoyt, M. A. McCord, and R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 70, 333 (1997).
24. H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981).
25. I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
26. T. P. Mernagh and L. G. Liu, J. Phys. Chem. Solids 52, 507 (1991).