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Advanced Materials

Volumn 21, Issue 27, 2009, Pages 2829-2832

Impurity doping in silicon nanowires

(1) Fukata, Naoki a

a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE (Japan)

Author keywords

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CHARACTERIZATION METHODS; DOPANT ATOMS; IMPURITY DOPING; KEY TECHNIQUES; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; MOSFETS; SILICON NANOWIRES; VERTICAL STRUCTURES;

ATOMS; BORON; BORON COMPOUNDS; ELECTRIC WIRE; NANOWIRES; PHOSPHORUS; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 67651121619 PISSN: 09359648 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1002/adma.200900376 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.