FinFET doping; material science, metrology, and process modeling studies for optimized device performance

AIP Conference Proceedings

Volumn 1321, Issue , 2010, Pages 17-22

  Duffy, R ^a   Shayesteh, M ^a  

^a UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

Author keywords

doping; FinFETs; Ion implantation; multi gate devices

Indexed keywords

EID: 79251564737     PISSN: 0094243X     EISSN: 15517616     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1063/1.3548341     Document Type: Conference Paper

References (34)

1. "FinFETs and Other Multi-Gate Transistors", J.P. Colinge (Ed.), Springer, 350 pages, November 2007 (ISBN: 978-0-387-71751-7)
2. L. Pelaz, R. Duffy, M. Aboy, L. Marques, P. Lopez, I. Santos, B. J. Pawlak, M. J. H. van Dal, B. Duriez, T. Merelle, G. Doornbos, N. Collaert, L. Witters, R. Rooyackers, W. Vandervorst, M. Jurczak, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, J. G. M. van Berkum, P. Breimer, and R. J. P. Lander, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meeting 2008, 535.
3. W. Vandervorst, P. Eyben, J. Mody, M. Jurczak, D. Nguyen, S. Takeuchi, F. Leys, R. Loo, M. Caymax, and J. Everaert, AIP Conference Proceedings 1066, 449 (2008).
4. M. J. H. van Dal, R. Duffy, B. Pawlak, N. Collaert, M. Jurczak, R. Lander, Materials Research Society Symposium Proceedings 1070, 67 (2008).
5. W. Vandervorst, J. L. Everaert, E. Rosseel, M. Jurczak, T. Hoffman, P. Eyben, J. Mody, G. Zschatzsch, S. Koelling, M. Gilbert, T. Poon, J. del Agua Borniquel, M. Foad, R. Duffy, and B. J. Pawlak, Proc. VLSI-TSA 2008. DOI: 10.1109/VTSA.2008.4530845.
6. I. Santos, "Multiscale Modeling of Dopant Implantation and Diffusion in Crystalline and Amorphous Silicon", Ph.D. Thesis, Universidad de Valladolid, 2010.
7. L. Pelaz, L.A. Marques, M. Aboy, P. Lopez, and I. Santos, European Physical Journal B 72, 323, (2009).
8. H. Kawasaki, M. Khater, M. Guillorn, N. Fuller, J. Chang, S. Kanakasabapathy, L. Chang, R. Muralidhar, K. Babich, Q. Yang, J. Ott, D. Klaus, E. Kratschmer, E. Sikorski, R. Miller, R. Viswanathan, Y. Zhang, J. Silverman, Q. Ouyang, A. Yagishita, M. Takayanagi, W. Haensch, and K. Ishimaru, Int. Electron Devices Meeting 2009, 237.
9. M. Posselt, L. Drechsler, R. Grotzschel, R. Klabes, G. Otto, A. Schoneich, E. Sobeslavsky, and H. Syhre, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 67, 443 (1992).
10. M. Posselt, E. Sobeslavsky, and G. Otto, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 55, 220 (1991)
11. R. Duffy, G. Curatola, B. J. Pawlak, G. Doornbos, K. van der Tak, P. Breimer, J. G. M. van Berkum, and F. Roozeboom, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 402 (2008).
12. A. A. Khajetoorians, J. Li, C. K. Shih, X.-D. Wang, D. Garcia-Gutierrez, M. Jose-Yacaman, D. Pham, H. Celio, and A. Diebold, J. Appl. Phys. 101, 034505 (2007).
13. S. M. Kluth, D. Alverez, St. Trellenkamp, J. Moers, S. Mantl, J. Kretz, and W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 76 (2005).
14. J. Mody, P. Eyben, W. Polspoel, M. Jurczak, and W. Vandervorst, Materials Research Society Symposium Proceedings, vol. 1070 (2008).
15. J. Mody, P. Eyben, E. Augendre, O. Richard, and W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 351 (2008).
16. G. L. Kellogg and T. T. Tsong, J. Appl. Phys. 51, 1184 (1980).
17. K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, T. Tsunomura, T. Toyama, Y. Nagai, and M. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 92, 103506 (2008).
18. W. Vandervorst, J. L. Everaert, E. Rosseel, M. Jurzack, T. Hoffman, P. Eyben, J. Mody, G. Zschätzsch, S. Koelling, M. Gilbert, T. Poon, J. del Agua Borniquel, M. Foad, R. Duffy, B. J. Pawlak., 17th International Conference on Ion Implantation Technology, Monterey (2008).
19. J. Mody, R. Duffy, P. Eyben, J. Goossens, A. Moussa. W. Polspoel B. Berghmans, M. J. H. van Dal B. J. Pawlak, M. Kaiser R. G. R. Weemaes, and W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B 28 C1H5 (2010).
20. R. Drosd and J. Washburn, J. Appl. Phys. 53, 397 (1982).
21. Y. Kunii, M. Tabe, and K. Kajiyama, J. Appl. Phys. 56, 279 (1984).
22. R. Duffy, M. J. H. Van Dal, B. J. Pawlak, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, B. Degroote, E. Kunnen, and E. Altamirano, Appl. Phys. Lett. 90, 241912 (2007).
23. L. Pelaz, L. Marques, M. Aboy, P. Lopez, I. Santos, and R. Duffy, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meeting 2009, 513.
24. The Stopping and Range of Ions in Matter, www.srim.org
25. H.-J. Gossmann, A. Agarwal, T. Parrill, L. M. Rubin, and J. M. Poate, IEEE Trans. Nanotechnology, 2, 285, (2003).
26. V. Trivedi, J. G. Fossum, and M. M. Chowdhury, IEEE Trans. Electron Devices 52, 56, (2005).
27. N. Collaert, A. Dixit, M. Goodwin, K. G. Anil, R. Rooyackers, B. Degroote, L. H. A. Leunissen, A. Veloso, R. Jonckheere, K. De Meyer, M. Jurczak, and S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett. 25, 568, (2004).
28. J. Kedzierski, M. Ieong, E. Novak, T. S. Kanarsky, Y. Zhang, D. Boyd, D. Fried, and H.-S. Philip Wong, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 952, (2003)
29. D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K. Asano, C. Kuo, E. Anderson, T.-J. King, J. Bokor, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 2320, (2000).
30. W.-J. Cho and S.-M. Koo, Thin Solid Films, 515, 3709, (2007).
31. N. Collaert, A. De Keersgieter, A. Dixit, I. Ferain, L. -S. Lai, D. Lenoble, A. Mercha, A. Nackaerts, B. J. Pawlak, R. Rooyackers, T. Schulz, K. T. San, N. J. Son, M. J. H. van Dal, P. Verheyen, K. von Arnim, L. Witters, K. de Meyer, S. Biesemans, M. Jurczak, Sol. St. Elec. 52, 1291 (2008).
32. I. Ferain, R. Duffy, N. Collaert, M. J. H van Dal, B. J. Pawlak, B. O'Sullivan, L. Witters, R. Rooyackers, T. Conard, M. Popovici, S. van Elshocht, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, J. Swerts, M. Jurczak, R. J. P. Lander, and K. De Meyer, Sol. St. Elec. 53, 760 (2009).
33. A. Dixit, K. G. Anil, R. Rooyackers, F. Leys, M. Kaiser, N. Collaert, K. De Meyer, M. Jurczak, and S. Biesemans, Sol. St. Electr. 50, 587 (2006)
34. R. Duffy, M. J. H. van Dal,. B. J. Pawlak, N. Collaert, L. Witters, R. Rooyackers, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, M. Jurczak, R. Lander, Proc. European Solid-State Device Research Conference 2008, 334.