Ion implantation for low-resistive source/drain contacts in FinFET devices

Materials Research Society Symposium Proceedings

Volumn 1070, Issue , 2008, Pages 67-78

  Van Dal, Mark J H ^a   Duffy, Ray ^a   Pawlak, Bartek J ^a   Collaert, Nadine ^b   Jurczak, Malgorzata ^b   Lander, Robert J P ^a  

^a NXP TSMC Research Center   (Belgium)

^b IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FINS (HEAT EXCHANGE); ION IMPLANTATION;

CMOS TECHNOLOGY; DEVICE DEGRADATION; FINFET DEVICES; PARASITIC SOURCE-DRAIN RESISTANCES; SHORT-CHANNEL EFFECT; SIDE-WALL DOPING; SILICON CRYSTAL; SOURCE-DRAIN CONTACTS;

FINFET;

EID: 62949169984     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-1070-e02-01     Document Type: Conference Paper

References (17)

1. D. Hisamoto, T. Kaga, Y. Kawamoto, and E. Takeda, IEDM Tech. Dig., 833 (1989).
2. F.-L. Yang, D.-H. Lee, H.-Y. Chen, C.-Y. Chang, S.-D. Liu, C.-C. Huang, T.-X. Chung, H.-W. Chen, C.-C. Huang, Y.-H. Liu, C.-C. Wu, C.-C. Chen, S.-C. Chen, Y.-T. Chen, Y.-H. Chen, C.-J. Chen, B.-W. Chan, P.-F. Hsu, J.-H. Shieh, H.-J. Tao, Y.-C. Yeo, Y. Li, J.-W. Lee, P. Chen, M.-S. Liang, and C. Hu., Symp. VLSI Tech. Dig., 196 (2004).
3. B. Yu, L. Chang; S. Ahmed, W. Haihong, S. Bell, C.-Y. Yang, C. Tabery, H. Chau, X. Qi, T.-J. King, J. Bokor, C.-M. Hu, M.-R. Lin, and D. Kyser, IEDM Tech. Dig., 251 (2002).
4. H. Lee, L.-E. Yu, S.-W. Ryu, J.-W. Han, K. Jeon, D.-Y. Jang, K.H. Kim, J. Lee, J.-H. Kim, S. C. Jeon, G. S. Lee, J. S. Oh, Y. C. Park, W. H. Bae, H. M. Lee, J. M. Yang, J. J. Yoo, S. I. Kim, and Y.-K. Choi, Symp. VLSI Tech. Dig., 70 (2006).
5. M.J.H. van Dal, N. Collaert, G. Doornbos, G. Vellianitis, G. Curatola, B.J. Pawlak, R. Duffy, C. Jonville, B. Degroote, E. Altamirano, E. Kunnen, M. Demand, S. Beckx, T. Vandeweyer, C. Delvaux, F. Leys, A. Hikavyy, R. Rooyackers, M. Kaiser, R.G.R. Weemaes, S. Biesemans, M. Jurczak, K. Anil, L. Witters, and R.J.P. Lander, Symp. VLSI Tech. Dig., 110 (2007)
6. D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K. Asano, C. Kuo, E. Anderson, T.-J. King, J. Bokor, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 2320 (2000).
7. X. Huang, W.-C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, Y.-K. Choi, K. Asano, V. Subramnian, T.-J. King, J. Bokor, and C. Hu, IEDM Tech. Dig., 67 (1999).
8. D. Lenoble, K.G. Anil, A. De Keersgieter, P. Eybens, N. Collaert, R. Rooyackers, S. Brus, P. Zimmerman, M. Goodwin, D. Vanhaeren, W. Vandervorst, S. Radovanov, L. Godet, C. Cardinaud, S. Biesemans, T. Skotnicki, and M. Jurczak, Symp. VLSI Tech. Dig., 212 (2006).
9. A. Kaneko, A. Yagishita, K. Yahasi, T. Kubota, M. Omura, K. Matsuo, I. Mizishima, K. Okano, H. Kawasaki, S. Inaba, T. Izumida, T. Kanemura, N. Aoki, K. Ishimura, H. Ishiuchi, K. Suguro, K. Eguchi, and Y. Tsunashima, IEDM Tech. Dig., (2006).
10. G. Vellianitis, M. J. H. van Dal, L. Witters, G. Curatola, G. Doornbos, N. Collaert, C. Jonville, C. Torregiani, L. S. Lai, J. Perry, B.J. Pawlak, R. Duffy, M. Demand, S. Beckx, S. Mertens, A. Delabie, T. Vandeweyer, C. Delvaux, F. Leys, A. Hikavyy, R. Rooyackers, M. Kaiser, R.G.R. Weemaes, F. Voogt, H. Roberts, D. Donnet, S. Biesemans, M. Jurczak, and R. J. P. Lander, IEDM Tech. Dig., 681 (2007).
11. A. A. Khajetoorians, J. Li, C. K. Shih, X.-D. Wang, D. Garcia-Gutierrez, M. Jose-Yacaman, D. Pham, H. Celio, and A. Diebold, J. Appl. Phys. 101, 034505 (2007).
12. R. Duffy, G. Curatola, B. J. Pawlak, G. Doonbos, K. van der Tak, P. Breimer, J. G. M. vna Berkum, and F. Roozboom, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 402 (2008).
13. J. S. Custer, M. O. Thompson, D. C. Jacobson, J. M. Poate, S. Roorda, W. C. Sinke, and F. Spaepen, Appl. Phys. Lett. 64, 437 (1994).
14. R. Duffy, M. J. H. van Dal, B. J. Pawlak, M. Kaiser, and R. G. R. Weemaes, Appl. Phys. Lett., 90, 241912 (2007).
15. R. Drosd and J. Washburn, J. Appl. Phys. 53, 397 (1982).
16. B. J. Pawlak, R. Duffy, M. J. H. van Dal, F. C. Voogt, F. Roozeboom, R. G. R. Weemaes, P. Breimer, and P. Zalm, MRS Spring meeting, 2008, San Francisco.
17. M. J. H. van Dal, G. Vellianitis, R. Duffy, G. Doornbos, B. J. Pawlak, B. Duriez, L-S Lai, A. Hikavyy, T. Vandeweyer, M. Demand, E. Altamirano, R. Rooyackers, L. Witters, N. Collaert, M. Jurczak, M. Kaiser, R. G. R. Weemaes, and R. J. P. Lander, ECS Spring meeting 2008, Phoenix.