Anomalous piezoresistance effect in ultrastrained silicon nanowires

Nano Letters

Volumn 10, Issue 8, 2010, Pages 3204-3208

  Lugstein, A ^a   Steinmair, M ^a   Steiger, A ^a   Kosina, H ^b   Bertagnolli, E ^a  

^a VIENNA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

^b INSTITUTE FOR MICROELECTRONICS   (Austria)

Author keywords

mobility; Nanowire; piezoresitivity; strained silicon

Indexed keywords

CRYSTALLINITIES; FATIGUE FAILURES; GROWTH DIRECTIONS; HIGH STRAINS; LOADING CYCLES; LOW STRAINS; MICRO-ELECTRO-MECHANICAL; MONOLITHICALLY INTEGRATED; P-TYPE; PIEZORESISTANCE; PIEZORESISTANCE EFFECTS; SI NANOWIRE; SILICON NANOWIRES; SINGLE CRYSTAL NANOWIRES; SINGLE CRYSTAL SILICON; STRAIN CONDITIONS; STRAIN LEVELS; STRAINED SILICON; STRUCTURAL DEFECT; UNIAXIAL TENSILE STRAIN; VAPOR-LIQUID-SOLID;

MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS; NANOWIRES; SILICON; SILICON WAFERS; SINGLE CRYSTALS;

TENSILE STRAIN;

EID: 77955561358     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl102179c     Document Type: Article

References (39)

1. Smith, C. S. Phys. Rev. 1954, 94, 42
2. Chidambaram, P. R.; Bowen, C.; Chakravarthi, S.; Machala, C.; Wise, R. IEEE Trans. Electron Devices 2006, 53, 944
3. Craddock, R. Colloquium on Sensing Via Strain. IEE Conf. Publ. 1993, 191, 5/1-5/4.
4. Smith, C.; Jones, M. E. Superlattices Microstruct. 1998, 4, 391
5. Chao, C. Y. P.; Chuang, S. L. Phys. Rev. B 1992, 46, 4110
6. Huang, L. J. Electron Eng. 2002, 74, 34
7. Fischetti, M. V.; Gamiz, F.; Hansch, W. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7320
8. Thompson, S. E.; Armstrong, M.; Auth, C. A. IEEE Trans. Electron Devices 2004, 25, 191
9. Richter, J.; Hansen, O.; Larsen, A. N. Sens. Actuators, A 2005, 123-124, 388
10. Rim, K.; Welser, J.; Hoyt, J. L.; Gibbons, J. F. IEDM Tech. Dig. 1995, 1026
11. Nayak, D. K.; Goto, K.; Yutani, A.; Murota, J.; Shiraki, Y. IEEE Trans. Electron Devices 1996, 43, 1709
12. Ghani, T.; Armstrong, M.; Auth, C.; Bost, M.; Charvat, P.; Glass, G.; Hoffmann, T.; Johnson, K.; Kenyon, C.; Klaus, J.; McIntyre, B.; Mistry, K.; Murthy, A.; Sandford, J.; Silberstein, M.; Sivakumar, S.; Smith, P.; Zawadzki, K.; Thompson, S.; Bohr, M. A. Proc. IEDM 2003, 978
13. Fischetti, M. V.; Laux, S. E. J. Appl. Phys. 1996, 80, 2234
14. Chidambaram, P. R.; Smith, B. A.; Hall, L. H.; Bu, H.; Chakravarthi, S.; Kim, Y.; Samoilov, A. V.; Kim, A. T.; Jones, P. J.; Irwin, R. B.; Kim, M. J.; Rotondaro, A. L. P.; Machala, C. F.; Grider, D. T. VLSI Symp. Tech. Dig. 2004, 48
15. Ghani, T.; Armstrong, M.; Auth, C.; Bost, M.; Charvat, P.; Glass, G.; Hoffmann, T.; Johnson, K.; Kenyon, C.; Klaus, J.; McIntyre, B.; Mistry, K.; Murthy, A.; Sandford, J.; Silberstein, M.; Sivakumar, S.; Smith, P.; Zawadzki, P.; Thompson, S.; Bohr, M. IEDM Tech. Dig. 2003, 1161
16. Ota, K.; Sugihara, K.; Sayama, H.; Uchida, Z.; Oda, H.; Eimori, T.; Morimoto, H.; Inoue, Y. IEDM Tech. Dig. 2002, 27
17. Lee, M. L. J. Appl. Phys. 2005, 97, 11101
18. Pearson, G. L.; Read, W. T. R.; Feldmann, W. L. Acta Metall. 1957, 5, 181
19. Gordon, M. J.; Baron, T.; Dhalluin, F.; Gentile, P.; Ferret, P. Nano Lett. 2009, 9 (2) 525
20. Han, X.; Zheng, K.; Zhang, Y. F.; Zhang, X.; Zhang, Z.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2007, 19, 2112
21. Lund, E.; Finstada, T. G. Rev. Sci. Instrum. 2004, 11, 75
22. Han, X. D.; Zheng, K.; Zhang, Y. F.; Zhang, X. N.; Zhang, Z.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2007, 19, 2112
23. Li, X. X.; Ono, T.; Wang, Y. L.; Esashi, M. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3081
24. Hoffmann, S.; Utke, I.; Moser, B.; Michler, J.; Christiansen, S. H.; Schmidt, V.; Senz, S.; Werner, P.; Gösele, U.; Ballif, C. Nano Lett. 2006, 6, 622
25. Paulo, A. S.; Arellano, N.; Plaza, J. A.; He, R.; Carraro, C.; Maboudian, R.; Howe, R. T.; Bokor, J.; Yang, P. D. Nano Lett. 2007, 7, 1100
26. Heidelberg, A.; Ngo, L. T.; Wu, B.; Phillips, M. A.; Sharma, S.; Kamins, T. I.; Sader, J. E.; Boland, J. J. Nano Lett. 2006, 6, 1101
27. Lund, E.; Finstad, T. G. Rev. Sci. Instrum. 2004, 75, 4960
28. Lugstein, A.; Hyun, J. Y.; Steinmair, M.; Dielacher, B.; Hauer, G.; Bertagnolli, E. Nanotechnology 2008, 19, 485606
29. Lugstein, A.; Steinmair, M.; Hyun, Y.; Hauer, G.; Pongratz, P.; Bertagnolli, E. Nano Lett. 2008, 8 (8) 2310
30. Westwater, J.; Gosain, D. P.; Tomiya, S.; Usui, S.; Ruda, H. J. Vac. Sci. Technol., B 1997, 15, 554
31. Lugstein, A.; Steinmair, M.; Henkel, C.; Bertagnolli, E. Nano Lett. 2009, 9 (5) 1830
32. Cui, Y.; Xiangfeng, D.; Jiangtao, H.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5213
33. Lin, Y. C.; Lu, K. C.; Wu, W. W.; Bai, J.; Chen, L. J.; Tu, K. N.; Huang, Y. Nano Lett. 2008, 8, 913
34. He, R.; Yang, P. Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 42
35. Grinberg, A. A.; Luyri, S.; Pinto, M. R.; Schryer, N. L. IEEE Trans. Electron Devices 1989, 36, 1162
36. Talin, A. A.; Leonard, F.; Swartzentruber, B. S.; Wang, X.; Hersee, S. D. Phys. Rev. Lett. 2008, 101 076892
37. Toriyama, T.; Sugiyama, S. Sens. Actuators, A 2003, 108, 244
38. Buca, D.; Holländer, B.; Feste, S.; Lenk, St.; Trinkaus, H.; Mantl, S.; Loo, R.; Caymax, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 032108
39. Rowe, A. C. H. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 311