-
1
-
-
33646574983
-
-
Jacobsen, R. S.; Andersen, K. N.; Borel, P. I.; Fage-Pedersen, J.; Frandsen, L. H.; Hansen, O.; et al. Nature 2006, 441, 199-202
-
(2006)
Nature
, vol.441
, pp. 199-202
-
-
Jacobsen, R.S.1
Andersen, K.N.2
Borel, P.I.3
Fage-Pedersen, J.4
Frandsen, L.H.5
Hansen, O.6
-
2
-
-
19944433396
-
-
Lee, M. L.; Fitzgerald, E. A.; Bulsara, M. T.; Currie, M. T.; Lochtefeld, A. J. Appl. Phys. 2005, 97 011101
-
(2005)
J. Appl. Phys.
, vol.97
, pp. 011101
-
-
Lee, M.L.1
Fitzgerald, E.A.2
Bulsara, M.T.3
Currie, M.T.4
Lochtefeld, A.5
-
3
-
-
3442895826
-
-
Chaparro, S. A.; Drucker, J.; Zhang, Y.; Chandrasekhar, D.; McCartney, M. R.; Smith, D. J. Phys. Rev. Lett. 1999, 83, 1199-1202
-
(1999)
Phys. Rev. Lett.
, vol.83
, pp. 1199-1202
-
-
Chaparro, S.A.1
Drucker, J.2
Zhang, Y.3
Chandrasekhar, D.4
McCartney, M.R.5
Smith, D.J.6
-
4
-
-
58149247925
-
-
Smith, A. M.; Mohs, A. M.; Nie, S. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 56-63
-
(2009)
Nat. Nanotechnol.
, vol.4
, pp. 56-63
-
-
Smith, A.M.1
Mohs, A.M.2
Nie, S.3
-
6
-
-
29644435494
-
-
Lang, C.; Cockayne, D. J. H.; Nguyen-Manh, D. Phys. Rev. B 2005, 72, 155328
-
(2005)
Phys. Rev. B
, vol.72
, pp. 155328
-
-
Lang, C.1
Cockayne, D.J.H.2
Nguyen-Manh, D.3
-
9
-
-
3042774722
-
-
Malachias, A.; Kycia, S.; Medeiros-Ribeiro, G.; Magalhães-Paniago, R.; Kamins, T. I.; Williams, R. S. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 176101
-
(2003)
Phys. Rev. Lett.
, vol.91
, pp. 176101
-
-
Malachias, A.1
Kycia, S.2
Medeiros-Ribeiro, G.3
Magalhães-Paniago, R.4
Kamins, T.I.5
Williams, R.S.6
-
10
-
-
0037435812
-
-
Schülli, T. U.; Stangl, J.; Zhong, Z.; Lechner, R. T.; Sztucki, M.; Metzger, T. H.; Bauer, G. Phys. Rev. Lett. 2003, 90 066105
-
(2003)
Phys. Rev. Lett.
, vol.90
, pp. 066105
-
-
Schülli, T.U.1
Stangl, J.2
Zhong, Z.3
Lechner, R.T.4
Sztucki, M.5
Metzger, T.H.6
Bauer, G.7
-
11
-
-
0037116130
-
-
Magalhães-Paniago, R.; Medeiros-Ribeiro, G.; Malachias, A.; Kycia, S.; Kamins, T. I.; Williams, R. S. Phys. Rev. B 2002, 66, 245312
-
(2002)
Phys. Rev. B
, vol.66
, pp. 245312
-
-
Magalhães-Paniago, R.1
Medeiros-Ribeiro, G.2
Malachias, A.3
Kycia, S.4
Kamins, T.I.5
Williams, R.S.6
-
12
-
-
34547248576
-
-
Schade, M.; Heyroth, F.; Syrowatka, F.; Leipner, H. S.; Boeck, T.; Hanke, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 263101
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.90
, pp. 263101
-
-
Schade, M.1
Heyroth, F.2
Syrowatka, F.3
Leipner, H.S.4
Boeck, T.5
Hanke, M.6
-
13
-
-
33846896370
-
-
Houdelier, F.; Roucau, C.; Casanove, M.-J. Microelectron. Eng. 2007, 84, 464-467
-
(2007)
Microelectron. Eng.
, vol.84
, pp. 464-467
-
-
Houdelier, F.1
Roucau, C.2
Casanove, M.-J.3
-
14
-
-
63149099751
-
-
Wilkinson, A. J.; Meaden, G.; Dingley, D. J. Superlattices Microstruct. 2009, 45, 285-294
-
(2009)
Superlattices Microstruct.
, vol.45
, pp. 285-294
-
-
Wilkinson, A.J.1
Meaden, G.2
Dingley, D.J.3
-
16
-
-
0030124869
-
-
Rosenauer, A.; Kaiser, S.; Reisinger, T.; Zweck, J.; Gebhardt, W. Optik 1996, 102, 63-69
-
(1996)
Optik
, vol.102
, pp. 63-69
-
-
Rosenauer, A.1
Kaiser, S.2
Reisinger, T.3
Zweck, J.4
Gebhardt, W.5
-
17
-
-
0037519622
-
-
Hÿtch, M. J.; Snoeck, E.; Kilaas, R. Ultramicroscopy 1998, 74, 131-146
-
(1998)
Ultramicroscopy
, vol.74
, pp. 131-146
-
-
Hÿtch, M.J.1
Snoeck, E.2
Kilaas, R.3
-
18
-
-
34548329658
-
-
Galindo, P. L.; Kret, S.; Sanchez, A. M.; Laval, J. Y.; Yanez, A.; Pizarro, J.; Guerrero, E.; Bem, T.; Molina, S. I. Ultramicroscopy 2007, 107, 1186-1193
-
(2007)
Ultramicroscopy
, vol.107
, pp. 1186-1193
-
-
Galindo, P.L.1
Kret, S.2
Sanchez, A.M.3
Laval, J.Y.4
Yanez, A.5
Pizarro, J.6
Guerrero, E.7
Bem, T.8
Molina, S.I.9
-
19
-
-
25444530634
-
-
Taraci, J. L.; Hÿtch, M. J.; Clement, T.; Peralta, P.; McCartney, M. R.; Drucker, J.; Picraux, S. T. Nanotechnology 2005, 16, 2365-2371
-
(2005)
Nanotechnology
, vol.16
, pp. 2365-2371
-
-
Taraci, J.L.1
Hÿtch, M.J.2
Clement, T.3
Peralta, P.4
McCartney, M.R.5
Drucker, J.6
Picraux, S.T.7
-
21
-
-
38549093243
-
-
Johnson, C. L.; Snoeck, E.; Ezcurdia, M.; Rodríguez- González, B.; Pastoriza-Santos, I.; Liz-Marzán, L. M.; Hÿtch, M. J. Nat. Mater. 2008, 7, 120-124
-
(2008)
Nat. Mater.
, vol.7
, pp. 120-124
-
-
Johnson, C.L.1
Snoeck, E.2
Ezcurdia, M.3
Rodríguez-González, B.4
Pastoriza-Santos, I.5
Liz-Marzán, L.M.6
Hÿtch, M.J.7
-
22
-
-
42449161474
-
-
Hüe, F.; Hÿtch, M. J.; Bender, H.; Houdellier, F.; Claverie, A. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 156602
-
(2008)
Phys. Rev. Lett.
, vol.100
, pp. 156602
-
-
Hüe, F.1
Hÿtch, M.J.2
Bender, H.3
Houdellier, F.4
Claverie, A.5
-
23
-
-
67649207403
-
-
Montoro, L. A.; Leite, M. S.; Biggemann, D.; Peternella, F. G.; Batenburg, K. J.; Medeiros-Ribeiro, G.; Ramirez, A. J. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 9018-9022
-
(2009)
J. Phys. Chem. C
, vol.113
, pp. 9018-9022
-
-
Montoro, L.A.1
Leite, M.S.2
Biggemann, D.3
Peternella, F.G.4
Batenburg, K.J.5
Medeiros-Ribeiro, G.6
Ramirez, A.J.7
-
24
-
-
0000533566
-
-
Kamins, T. I.; Carr, E. C.; Williams, R. S.; Rosner, S. J. J. Appl. Phys. 1997, 81, 211-219
-
(1997)
J. Appl. Phys.
, vol.81
, pp. 211-219
-
-
Kamins, T.I.1
Carr, E.C.2
Williams, R.S.3
Rosner, S.J.4
-
25
-
-
0029633671
-
-
Kasper, E.; Schuh, A.; Bauer, G.; Hollländer, B.; Kibbel, H. J. Cryst. Growth 1995, 157, 68-72
-
(1995)
J. Cryst. Growth
, vol.157
, pp. 68-72
-
-
Kasper, E.1
Schuh, A.2
Bauer, G.3
Hollländer, B.4
Kibbel, H.5
-
27
-
-
5444247603
-
-
Hÿtch, M. J.; Putaux, J. L.; Pennison, J. M. Nature 2003, 423, 270-273
-
(2003)
Nature
, vol.423
, pp. 270-273
-
-
Hÿtch, M.J.1
Putaux, J.L.2
Pennison, J.M.3
-
29
-
-
0037070668
-
-
Raiteri, P.; Valentinotti, F.; Miglio, L. Appl. Surf. Sci. 2002, 188, 4-8
-
(2002)
Appl. Surf. Sci.
, vol.188
, pp. 4-8
-
-
Raiteri, P.1
Valentinotti, F.2
Miglio, L.3
-
31
-
-
83655206699
-
-
Kasper, E.; Lyutovich, K., Eds.; INSPEC: London
-
Baker, S. P.; Arzt, E. Elastic stiffness constants of SiGe, in Properties of Silicon Germanium and SiGe:Carbon; Kasper, E.; Lyutovich, K., Eds.; INSPEC: London, 2000; pp 91 - 93.
-
(2000)
Elastic Stiffness Constants of SiGe, in Properties of Silicon Germanium and SiGe:Carbon
, pp. 91-93
-
-
Baker, S.P.1
Arzt, E.2
-
32
-
-
0003426859
-
-
Levinshtein, M. E.; Rumyantsev, S. L.; Shur, M. S., Eds
-
Schaffler, F. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe; Levinshtein, M. E.; Rumyantsev, S. L.; Shur, M. S., Eds.; John Wiley & Sons: New York, 2001; pp 149 - 188.
-
(2001)
Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe
, pp. 149-188
-
-
Schaffler, F.1
Levinshtein, M.E.2
Rumyantsev, S.L.3
Shur, M.S.4
-
34
-
-
35348859472
-
-
Jacob, K. T.; Raj, S.; Rannesh, L. Int. J. Mater. Res. 2007, 98, 776-779
-
(2007)
Int. J. Mater. Res.
, vol.98
, pp. 776-779
-
-
Jacob, K.T.1
Raj, S.2
Rannesh, L.3
|