Controlled III/V nanowire growth by selective-area vapour phase epitaxy

ECS Transactions

Volumn 19, Issue 5, 2009, Pages 309-329

  Cantoro, M ^a,b   Brammertz, G ^a   Richard, O ^a   Bender, H ^a   Clemente F ^a   Leys, M ^a   Degroote, S ^a   Caymax, M ^a   Heyns, M ^a,b   De Gendt, S ^a,b  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; GALLIUM ARSENIDE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM ARSENIDE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; VAPOR PHASE EPITAXY;

GROWTH CONDITIONS; GROWTH DIRECTIONS; LATTICE-MATCHED; MISMATCHED SUBSTRATES; NANOWIRE GROWTH; SCANNING AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; SELECTIVE AREAS; VAPOUR PHASE EPITAXY;

NANOWIRES;

EID: 77149128080     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3119555     Document Type: Conference Paper

References (56)

1. C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L. F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B. J. Ohlsson, U. Gösele and L. Samuelson, Mater. Today, 9, 28 (2006).
2. G. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, W. U. Wang and C. M. Lieber, Nature Biotech., 23, 1294 (2005).
3. H. Yonezu, Y. Furukawa and A. Wakahara, J. Crystal Growth, 310, 4757 (2008).
4. C. P. T. Svensson, T. MÅrtensson, J. Trägårdh, C. Larsson, M. Rask, D. Hessman, L. Samleuson and J. Ohlsson, Nanotechnology, 19, 305201 (2008).
5. Y. Li, F. Qian, J. Xiang and C. M. Lieber, Mater. Today, 9, 18 (2006).
6. International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net
7. L. V. Titova, T. B. Hoang, H. E. Jackson, L. M. Smith, J. M. Yarrison-Rice, Y. Kim, H. J. Joyce, H. H. Tan and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett., 89, 173126 (2006).
8. Y. Ding, J. Motohisa, B. Hua, S. Hara and T. Fukui, Nano Lett., 7, 3214 (2007).
9. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith and C. M. Lieber, Nature, 415, 617 (2002).
10. M. T. Björk, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg and L. Samuelson, Nano Lett., 2, 87 (2002).
11. A. G. Milnes, A. Y. Polyakov. Mater. Sci. Eng. B, 18, 237 (1993).
12. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi and H. Kakibayashi, J. Appl. Phys., 77, 447 (1995).
13. J. Motohisa, J. Noborisaka, J. Takeda, M. Inari and T. Fukui, J. Crystal Growth, 272, 180 (2004).
14. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science, 279, 208 (1998).
15. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong and S. T. Lee, Science, 299, 1874 (2003).
16. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964).
17. D. V. Lang, H. G. Grimmeiss, E. Meijer and M. Jaros, Phys. Rev. B, 22, 3917 (1980).
18. A. Bailly, O. Renault, N. Barrett, L. F. Zagonel, P. Gentile, N. Pauc, F. Dhalluin, T. Baron, A. Chabli, J. C. Cezar and N. B. Brookes, Nano Lett., 8, 3709 (2008).
19. P. J. Alet, L. Yu, G. Patriarche, S. Palacin and P. R. i Cabarrocas, J. Mater. Chem., 18, 5187 (2008).
20. Y. Wang, V. Schmidt, S. Senz and U. Gösele, Nature Nanotech., 1, 186 (2006).
21. A. C. Ford, J. C. Ho, Z. Fan, O. Ergen, V. Altoe, S. Aloni, H. Razavi and A. Javey, arXv/0807.0946 (2008).
22. B. Mandl, J. Stangl, T. MÅrtensson, A. Mikkelsen, J. Eriksson, L. S. Karlsson, G. Bauer, L. Samuelson and W. Seifert, Nano Lett., 6, 1817 (2006).
23. K. Tang, Y. Qian, J. Zeng and X. Yang, Adv. Mater., 15, 448 (2003).
24. K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui, Nano Lett., 8, 3475 (2008).
25. S. Guha, N. A. Bojarczuk, M. A. L. Johnson and J. F. Schetzina, Appl. Phys. Lett., 75, 463 (1999).
26. C. J. Novotny and P. K. L. Yu, Appl. Phys. Lett., 87, 203111 (2005).
27. J. Noborisaka, J. Motohisa and T. Fukui, Appl. Phys. Lett., 86, 213102 (2005).
28. K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, K. Hiruma, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui, Nanotechnology, 19, 265604 (2008).
29. S. Ando, N. Kobayashi and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L105 (1998).
30. T. Hayakawa and M. Morishima, Appl. Phys. Lett., 59, 3321 (1991).
31. J. Johansson, L. S. Karlsson, C. P. T. Svensson, T. MÅrtensson, B. A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson and W. Seifert, Nature Mater., 5, 574 (2006).
32. J. Bao, D. C. Bell, F. Capasso, J. B. Wagner, T. MÅrtensson, J. Trägårdh and L. Samuelson, Nano Lett., 8, 836 (2008).
33. M. A. Verheijen, R. E. Algra, M. T. Borgström, G. Immink, E. Sourty, W. J. P. van Enckevort, E. Vlieg and E. P. A. M. Bakkers, Nano Lett., 7, 3051 (2007).
34. N. E. Christensen, S. Satpathy and Z. Pawloska, Phys. Rev. B, 36, 1032 (1987).
35. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., 45, L275 (2006).
36. H. Wu, H. Y. Cha, M. Chandrashekhar, M. G. Spencer and G. Koley, J. Electron. Mater., 35, 670(2006).
37. P. Caroff, J. B. Wagner, K. A. Dick, H. A. Nilsson, M. Jeppsson, K. Deppert, L. Samuelson, L. R. Wallenberg and L. E. Wernersson, Small, 4, 878 (2008).
38. M. Jeppsson, K. A. Dick, J. B. Wagner, P. Caroff, K. Deppert, L. Samuelson and L. E. Wemersson, J. Crystal Growth, 310, 4115 (2008).
39. J. Johansson, B. A. Wacaser, K. A. Dick and W. Seifert, Nanotechnology, 17, S355 (2006).
40. V. G. Dubrovksii and N. V. Sibirev, Phys. Rev. B, 77, 035414 (2008).
41. P. Caroff, K. A. Dick, J. Johansson, M. E. Messing, K. Deppert and L. Samuelson, Nature Nanotech., 4, 50 (2008).
42. Z. Ikonic, G. P. Srivastava and J. C. Inkson, Solid State Comm., 86, 799 (1993);
43. Phys. Rev. B, 48, 17181 (1993);
44. Phys. Rev. B, 52, 14078 (1995).
45. A. L. Moore, S. K. Saha, R. S. Prasher and L. Shi, Appl. Phys. Lett., 93, 083112 (2008).
46. R. E. Algra, M. A. Verheijen, M. T. Borgström, L. F. Feiner, G. Immink, W. J. P. van Enckenvort, E. Vlieg and E. P. A. M. Bakkers, Nature, 456, 369 (2008).
47. T. Martensson, J. B. Wagner, E. Hilner, A. Mikkelsen, C. Thelander, J. Stangl, B. J. Ohlsson, A. Gustafsson, E. Lundgren, L. Samuelson and W. Seifert, Adv. Mater., 19, 1801 (2007).
48. S. Piscanec, M. Cantoro, A. C. Ferrari, J. A. Zapien, Y. Lifshitz, S. T. Lee, S. Hofmann and J. Robertson, Phys. Rev. B, 68, 214312 (2003).
49. G. D. Mahan, R. Gupta, Q. Xiong, C. K. Adu and P. C. Eklund, Phys. Rev. B, 68, 073402 (2003).
50. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties, Springer (2005).
51. N. Begum, M. Piccin, F. Jabeen, G. Bais, S. Rubini, F. Martelli and A. S. Bhatti, J. Appl. Phys., 104, 104311 (2008).
52. S. K. Mohanta, R. K. Soni, N. Gosvani, S. Tripathy and D. Kanjilal, Appl. Surf. Sci., 253, 4531 (2007).
53. K. W. Adu, Q. Xiong, H. R. Gutierrez, G. Chem and P. C. Eklund, Appl. Phys. A, 85, 287 (2006).
54. D. Spirkoska, G. Abstreiter and A. F. i Morral, Nanotechnology, 19, 433704 (2008).
55. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B, 27, 985 (1993).
56. X. X. Xu, K. H. Yu, B. Peng, S. H. Huang, Z. H. Chen and X. S. Shen, Appl. Phys. Lett., 89, 253117 (2006).