Elimination of the major deep levels in n- and p-type 4H-SiC by two-step thermal treatment

Applied Physics Express

Volumn 2, Issue 9, 2009, Pages

  Hiyoshi, Toru ^a   Kimoto, Tsunenobu ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

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ADDITIONAL ANNEALING; AS-GROWN; DEEP LEVEL; DEFECT GENERATION; DEPTH PROFILE; HIGH CONCENTRATION; P-TYPE; SIC EPILAYERS; THERMAL OXIDATION; THERMAL TREATMENT;

CARRIER LIFETIME; HEAT TREATMENT; OXIDATION; SILICON CARBIDE;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 70349099954     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.2.091101     Document Type: Article

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