Deep defects in GaN/AlGaN/SiC heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 105, Issue 9, 2009, Pages

  Kindl, D ^a   Hubik P ^a   Kristofik J ^a   Mares J J ^a   Vborn, Z ^a   Leys, M R ^b   Boeykens, S ^b  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Czech Republic)

^b IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

4H-SIC SUBSTRATE; AL CONTENT; ALGAN; APPARENT ACTIVATION ENERGY; CAPTURE CROSS SECTIONS; CARRIER CAPTURE; DEEP DEFECTS; DEEP LEVEL; DLTS SPECTRA; ELECTRICAL FIELD; GAN LAYERS; HETEROJUNCTION INTERFACES; HETEROSTRUCTURES; INTERFACE DEFECTS; LOW-PRESSURE METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MAJORITY CARRIERS; N-ALGAN; NUCLEATION LAYERS; OFF-AXIS; P-TYPE; POOLE-FRENKEL EFFECT; THREADING DISLOCATION;

ALUMINA; ALUMINUM; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALS; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; DEFECTS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; PHASE INTERFACES; POINT DEFECTS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON CARBIDE;

ACTIVATION ENERGY;

EID: 67249146418     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3122290     Document Type: Article

References (48)

1. S. Strite and H. Morko̧, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10, 1237 (1992). 10.1116/1.585897
2. H. Kim, S.-J. Park, and H. Hwang, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 49, 1715 (2002). 10.1109/TED.2002.802625
3. R. D. Dupuis, J. Cryst. Growth 0022-0248 178, 56 (1997). 10.1016/S0022-0248(97)00079-1
4. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 60, 2917 (1992). 10.1063/1.106819
5. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, M. Blasingame, and A. R. Bhattarai, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 63, 2455 (1993). 10.1063/1.110473
6. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 66, 1083 (1995). 10.1063/1.113579
7. M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 63, 1214 (1993). 10.1063/1.109775
8. W. Götz, N. M. Johnson, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 65, 463 (1994). 10.1063/1.112337
9. P. Hacke and H. Okushi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 71, 524 (1997). 10.1063/1.119598
10. W. Shan, J. W. Ager III, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Martin, W. R. McKinney, and W. Yang, J. Appl. Phys. 0021-8979 85, 8505 (1999). 10.1063/1.370696
11. J. Osaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 87, 222112 (2005). 10.1063/1.2137901
12. M. C. Wagener, G. R. James, and F. Omǹs, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 83, 4193 (2003). 10.1063/1.1628396
13. M. S. Mazzola, S. E. Saddow, P. G. Neudeck, V. K. Lakdawala, and S. We, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 64, 2730 (1994). 10.1063/1.111457
14. N. I. Kuznetsov and A. S. Zubrilov, Mater. Sci. Eng., B 0921-5107 29, 181 (1995). 10.1016/0921-5107(94)04035-3
15. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, S. Sridhara, L. L. Clemen, R. P. Devaty, W. J. Choyke, T. Dalibor, C. Peppermüller, and G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 67, 2833 (1995). 10.1063/1.114800
16. W. Götz, N. M. Johnson, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 69, 2379 (1996). 10.1063/1.117643
17. J. T. Torvik, C. -H. Qiu, M. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 72, 945 (1998). 10.1063/1.120881
18. J. T. Torvik, M. Leksono, J. I. Pankove, B. van Zeghbroeck, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 72, 1371 (1998). 10.1063/1.121058
19. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, B. Luo, J. Kim, R. Mehandru, F. Ren, K. P. Lee, S. J. Pearton, A. V. Osinsky, and P. E. Norris, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 80, 3352 (2002). 10.1063/1.1477273
20. E. Danielsson, C. -M. Zetterling, M. Östling, A. Nikolaev, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 48, 444 (2001). 10.1109/16.906434
21. E. Danielsson, C. -M. Zetterling, M. Östling, D. Tsvetkov, and V. A. Dmitriev, J. Appl. Phys. 0021-8979 91, 2372 (2002). 10.1063/1.1430892
22. S. Boeykens, M. R. Leys, M. Germain, R. Belmans, and G. Borghs, J. Cryst. Growth 0022-0248 272, 312 (2004). 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.047
23. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, K. Tadatomo, and K. Miyake, J. Appl. Phys. 0021-8979 76, 304 (1994). 10.1063/1.357144
24. Z. -Q. Fang, D. C. Look, D. H. Kim, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 87, 182115 (2005). 10.1063/1.2126145
25. W. I. Lee, T. C. Huang, J. D. Guo, and M. S. Feng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 67, 1721 (1995). 10.1063/1.115028
26. H. K. Cho, K. S. Kim, C. -H. Hong, and H. J. Lee, J. Cryst. Growth 0022-0248 223, 38 (2001). 10.1016/S0022-0248(00)00982-9
27. C. B. Soh, S. J. Chua, H. F. Lim, D. Z. Chi, W. Liu, and S. Tripathy, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 16, 6305 (2004). 10.1088/0953-8984/16/34/027
28. C. B. Soh, S. J. Chua, H. F. Lim, D. Z. Chi, S. Tripathy, and W. Liu, J. Appl. Phys. 0021-8979 96, 1341 (2004). 10.1063/1.1757654
29. D. Haase, M. Schmid, W. Kürner, A. Dörnen, V. Härle, F. Scholz, M. Burkard, and H. Schweizer, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 69, 2525 (1996). 10.1063/1.117727
30. L. Lee, W. C. Lee, H. M. Chung, M. C. Lee, W. H. Chen, W. K. Chen, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 81, 1812 (2002). 10.1063/1.1499739
31. C. D. Wang, L. S. Yu, S. S. Lau, E. T. Yu, W. Kim, A. E. Botchkarev, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 72, 1211 (1998). 10.1063/1.121016
32. Z. -Q. Fang, D. C. Look, W. Kim, Z. Fan, A. Botchkarev, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 72, 2277 (1998). 10.1063/1.121274
33. C. J. Park, Y. S. Park, H. S. Lee, I. T. Yoon, T. W. Kang, H. Y. Cho, J. E. Oh, and K. L. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 44, 1722 (2005). 10.1143/JJAP.44.1722
34. Y. S. Park, C. J. Park, C. M. Park, J. H. Na, J. S. Oh, I. T. Yoon, H. Y. Cho, T. W. Kang, and J. E. Oh, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 86, 152109 (2005). 10.1063/1.1887817
35. A. Hierro, A. R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 80, 805 (2002). 10.1063/1.1445274
36. P. J. Sellin and J. Vaitkus, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 0168-9002 557, 479 (2006). 10.1016/j.nima.2005.10.128
37. M. Ikeda, H. Matsunami, and T. Tanaka, Phys. Rev. B 0163-1829 22, 2842 (1980). 10.1103/PhysRevB.22.2842
38. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 0021-8979 89, 5815 (2001). 10.1063/1.1368156
39. S. Makram-Ebeid and M. Lannoo, Phys. Rev. B 0163-1829 25, 6406 (1982). 10.1103/PhysRevB.25.6406
40. J. L. Hartke, J. Appl. Phys. 0021-8979 39, 4871 (1968). 10.1063/1.1655871
41. H. K. Cho, C. -H. Hong, E. -K. Suh, and H. J. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 41, 197 (2002). 10.1143/JJAP.41.197
42. P. Omling, E. R. Weber, L. Montelius, H. Alexander, and J. Michel, Phys. Rev. B 0163-1829 32, 6571 (1985). 10.1103/PhysRevB.32.6571
43. T. Figielski, Solid-State Electron. 0038-1101 21, 1403 (1978). 10.1016/0038-1101(78)90216-2
44. T. Wosiński, J. Appl. Phys. 0021-8979 65, 1566 (1989). 10.1063/1.342974
45. A. Hierro, A. R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi B 0370-1972 228, 309 (2001). 10.1002/1521-3951(200111)228:1<309::AID-PSSB309>3.0.CO;2-N
46. W. Schröter, J. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel, and M. Seibt, Phys. Rev. B 0163-1829 52, 13726 (1995). 10.1103/PhysRevB.52.13726
47. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 0163-1829 39, 3317 (1989). 10.1103/PhysRevB.39.3317
48. A. A. Lebedev, Semiconductors 1063-7826 33, 107 (1999). 10.1134/1.1187657