Erbium silicide formation on Si1-xCx epitaxial layers

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 156, Issue 5, 2009, Pages

  Alptekin, Emre ^a   Ozturk, Mehmet C ^a   Misra, Veena ^a   Cho, Yonah ^b   Kim, Yihwan ^b   Chopra, Saurabh ^b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b APPLIED MATERIALS INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON FILMS; ELECTRIC RESISTANCE; EPITAXIAL FILMS; ERBIUM; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL ENGINEERING; RAPID THERMAL ANNEALING; RAPID THERMAL PROCESSING; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SHEET RESISTANCE; SILICIDES; SILICON; SUBSTRATES; SUGAR (SUCROSE); SURFACE ROUGHNESS;

CARBON ACCUMULATIONS; CARBON ATOMS; CARBON CONCENTRATIONS; CARBON INCORPORATIONS; COMPOSITIONAL ANALYSIS; ERBIUM SILICIDES; ROOT MEAN SQUARES; SI SUBSTRATES; SILICIDE FILMS; TEMPERATURE RANGES;

EPITAXIAL LAYERS;

EID: 63649102677     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3097189     Document Type: Article

References (43)

1. K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Brazier, M. Buehler, A. Cappellani, R. Chau, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2007, 247.
2. K. W. Ang, K. J. Chui, V. Bliznetsov, C. H. Tung, A. Du, N. Balasubramanian, G. Samudra, M. F. Li, and Y. C. Yeo, Appl. Phys. Lett., 86, 093102 (2005).
3. S. D. Kim, C. M. Park, and J. C. S. Woo, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 457 (2002).
4. S. D. Kim, C. M. Park, and J. C. S. Woo, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 467 (2002).
5. International Technology Roadmap for Semiconductors, public.itrs.net/, 2008.
6. K. Ohuchi, C. Lavoie, C. Murray, C. D'Emic, I. Lauer, J. O. Chu, B. Yang, P. Besser, L. Gignac, J. Bruley, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2007, 1029.
7. N. Stavitski, M. J. H. van Dal, A. Lauwers, C. Vrancken, A. Y. Kovalgin, and R. A. M. Wolters, IEEE Electron Device Lett., 29, 378 (2008).
8. J. W. Strane, H. J. Stein, S. R. Lee, S. T. Picraux, J. K. Watanabe, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys., 76, 3656 (1994).
9. Z. Ye, Y. Kim, A. Zojaji, E. Sanchez, Y. Cho, M. Castle, and M. A. Foad, Semicond. Sci. Technol., 22, 171 (2007).
10. A. T.-Y. Koh, R. T.-P. Lee, F.-Y. Liu, T.-Y. Liow, K. M. Tan, X. Wang, G. S. Samudra, N. Balasubramanian, D.-Z. Chi, and Y.-C. Yeo, IEEE Electron Device Lett., 29, 464 (2008).
11. M. Bauer, V. Machkaoutsan, and C. Arena, Semicond. Sci. Technol., 22, S183 (2007).
12. M. Jang, Y. Kim, M. Jeon, C. Choi, I. Baek, S. Lee, and B. Park, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 1821 (2006).
13. T. Ernst, F. Ducroquet, J.-M. Hartmann, O. Weber, V. Loup, R. Truche, A. M. Papon, P. Holliger, B. Previtali, A. Toffoli, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol., 5A-2, 51 (2003).
14. S. Mertens, Y. Cho, F. Nouri, R. Schreutelkamp, Y. Kim, P. Verheyen, J. Steenbergen, C. Vrancken, H. Bender, O. Richard, J. Electrochem. Soc., 602, 1011 (2006).
15. V. Machkaoutsan, S. Mertens, M. Bauer, A. Lauwers, K. Verheyden, K. Vanormelingen, P. Verheyen, R. Loo, M. Caymax, S. Jakschik, Microelectron. Eng., 84, 2542 (2007).
16. R. T. P. Lee, L.-T. Yang, T.-Y. Liow, K.-M. Tan, A. E.-J. Lim, K.-W. Ang, D. M. Y. Lai, K. M. Hoe, G.-Q. Lo, G. S. Samudra, IEEE Electron Device Lett., 29, 89 (2008).
17. J.-H. Yoo, H.-J. Chang, B.-G. Min, D.-H. Ko, M.-H. Cho, H. Sohn, and T.-W. Lee, Mater. Sci. Eng., B, 154-155, 183 (2008).
18. W. Huang, G. P. Ru, Y. L. Jiang, X. P. Qu, B. Z. Li, and R. Liu, Thin Solid Films, 516, 4252 (2008).
19. M. Jang, Y. Kim, J. Shin, and S. Lee, Mater. Sci. Eng., B, 114-115, 51 (2004).
20. J. Y. Duboz, P. A. Badoz, F. A. d'Avitaya, and C. A. Chroboczek, Appl. Phys. Lett., 55, 84 (1989).
21. A. Travlos, N. Salamouras, and E. Flouda, Appl. Surf. Sci., 120, 355 (1997).
22. H. J. Osten, J. Griesche, and S. Scalese, Appl. Phys. Lett., 74, 836 (1999).
23. N. Frangis, J. Van Landuyt, G. Kaltsas, A. Travlos, and A. G. Nassiopoulos, J. Cryst. Growth, 172, 175 (1997).
24. M. P. Siegal, F. H. Kaatz, W. R. Graham, J. J. Santiago, and J. van der Spiegel, J. Appl. Phys., 66, 2999 (1989).
25. W. C. Tsai, K. S. Chi, and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 96, 5353 (2004).
26. E. J. Tan, M. Bouville, D. Z. Chi, K. L. Pey, P. S. Lee, D. J. Srolovitz, and C. H. Tung, Appl. Phys. Lett., 88, 021908 (2006).
27. E. J. Tan, M. L. Kon, K. L. Pey, P. S. Lee, Y. W. Zhang, W. D. Wang, and D. Z. Chi, Thin Solid Films, 504, 157 (2006).
28. R. D. Thompson, B. Y. Tsaur, and K. N. Tu, Appl. Phys. Lett., 38, 535 (1981).
29. J. A. Knapp, S. T. Picraux, C. S. Wu, and S. S. Lau, J. Appl. Phys., 58, 3747 (1985).
30. A. Travlos, N. Salamouras, and N. Boukos, J. Phys. Chem. Solids, 64, 87 (2003).
31. C. S. Wu, S. S. Lau, T. F. Kuech, and B. X. Liu, Thin Solid Films, 104, 175 (1983).
32. T. L. Lee, L. J. Chen, and F. R. Chen, J. Appl. Phys., 71, 3307 (1992).
33. C. H. Luo and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 82, 3808 (1997).
34. N. Frangis, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, P. Muret, and T. T. A. Nguyen, J. Alloys Compd., 234, 244 (1996).
35. M. P. Siegal, W. R. Graham, and J. J. Santiago-Aviles, J. Appl. Phys., 68, 574 (1990).
36. F. H. Kaatz, W. R. Graham, and J. van der Spiegel, Appl. Phys. Lett., 62, 1748 (1993).
37. Y. L. Jiang, Q. Xie, C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, G. P. Ru, X. P. Qu, B. Z. Li, and P. K. Chu, J. Appl. Phys., 102, 033508 (2007).
38. O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, and S. Zaima, Microelectron. Eng., 82, 479 (2005).
39. A. S. W. Wong, D. Z. Chi, M. Loomans, D. Ma, M. Y. Lai, W. C. Tjiu, S. J. Chua, C. W. Lim, and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett., 81, 5138 (2002).
40. P. S. Lee, D. Mangelinck, K. L. Pey, J. Ding, D. Z. Chi, J. Y. Dai, and A. See, J. Electron. Mater., 30, 1554 (2001).
41. T. L. Cottrell, The Strengths of Chemical Bonds, Butterworths, London (1958).
42. R. T. Sanderson, Chemical Bonds and Bond Energy, Academic Press, New York (1971).
43. J. E. Baglin, F. M. d'Heurle, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett., 36, 594 (1980).