Growth kinetics of amorphous interlayers and formation of crystalline suicide phases in ultrahigh vacuum deposited polycrystalline Er and Tb thin films on (001)Si

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 8, 1997, Pages 3808-3814

  Luo, C H ^a   Chen, L J ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000282963     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365743     Document Type: Article

References (25)

1. R. B. Schwarz and W. L. Johnson, Phys. Rev. Lett. 51, 415 (1983).
2. W. L. Johnson, Prog. Mater. Sci. 30, 81 (1986).
3. L. J. Chen, I. W. Wu, J. J. Chu, and C. W. Nieh, J. Appl. Phys. 63, 2778 (1988).
4. A. E. Morgan, E. K. Broadbent, K. N. Ritz, D. K. Sandana, and B. J. Burrow, J. Appl. Phys. 64, 344 (1988).
5. J. Y. Cheng and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 68, 4002 (1990).
6. J. Y. Cheng and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 69, 2161 (1991).
7. J. H. Lin and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 77, 4425 (1995).
8. T. L. Lee and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 73, 5280 (1993).
9. K. N. Tu, R. D. Thompson, and B. Y. Tsaur, Appl. Phys. Lett. 38, 626 (1981).
10. H. Norde, J. deSousa Pires, F. d'Heurle, F. Pesavento, S. Petersson, and P. A. Tove, Appl. Phys. Lett. 38, 865 (1981).
11. J. E. Baglin, F. M. d'Heurle, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett. 36, 594 (1980).
12. Z. J. Horvath, G. Molnar, B. Kovacs, G. Peto, M. Andrasi, and B. Szentpali, J. Cryst. Growth 126, 163 (1993).
13. M. H. Wang and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 71, 5918 (1992).
14. C. H. Luo, F. R. Chen, and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 76, 5744 (1994).
15. T. T. Sheng and C. C. Chang, IEEE Trans. Electron Devices ED-23, 531 (1976).
16. T. L. Alford, J. Appl. Phys. 77, 1010 (1995).
17. G. L. P. Berning, H. C. Swart, and B. de Witt, Appl. Surf. Sci. 64, 1 (1993).
18. W. A. Henle, F. P. Netzer, R. Cimino, and W. Braun, Surf. Sci. 221, 131 (1989).
19. N. Guerfi, T. A. Nguyen Tan, J. Y. Veuillen, and D. B. Lollman, Appl. Surf. Sci. 56, 501 (1992).
20. U. Goesele and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 66, 2619 (1989).
21. F. M. d'Heurle and K. Y. Ahn, J. Mater. Res. 1, 205 (1986).
22. J. S. Kwak, E. J. Chi, J. D. Choi, S. W. Park, H. K. Baik, M. G. So, and S. M. Lee, J. Appl. Phys. 78, 983 (1995).
23. R. W. Bene, J. Appl. Phys. 61, 1826 (1981).
24. A. R. Miedema, P. F. de Chatel, and F. R. de Boer, Physica B & C 100, 1 (1980).
25. M. P. Siegal, W. R. Graham, and J. J. Santiago, J. Appl. Phys. 68, 574 (1989).