Memory characteristics of nickel nanocrystals with high- k Dielectric tunneling barriers

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 12, Issue 1, 2008, Pages

  Panda, D ^a   Maikap, S ^b   Dhar, A ^a   Ray, S K ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (India)

^b CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CHARGE COUPLED DEVICES; HAFNIUM; HAFNIUM COMPOUNDS; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; LEAKAGE CURRENTS; METALLIC COMPOUNDS; MICROSCOPIC EXAMINATION; MOS DEVICES; NANOCRYSTALLINE ALLOYS; NANOCRYSTALS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOSTRUCTURES; NICKEL; NICKEL ALLOYS; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

ANNEALED SAMPLES; ATOMIC FORCES; AVERAGE DIAMETERS; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; FLATBAND VOLTAGE SHIFTS; GATE VOLTAGES; HIGH RESOLUTIONS; HIGH-K DIELECTRICS; MEMORY WINDOWS; METAL OXIDES; NICKEL NANOCRYSTALS; OPTIMIZED SAMPLES; TUNNELING BARRIERS;

HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

EID: 56049119875     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3006024     Document Type: Article

References (27)

1. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett., 68, 1377 (1996).
2. F. Rana, K. Chan, L. Shi, and H. Hanafi, Appl. Phys. Lett., 69, 1232 (1996).
3. J. H. Chen, Y. Q. Wang, W. J. Yoo, Y.-C. Yeo, G. Samudra, D. S. H. Chan, A. Y. Du, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 1840 (2004).
4. C. J. Park, K. H. Cho, W.-C. Yang, H. Y. Cho, S.-H. Choi, R. G. Elliman, J. H. Han, and C. Kim, Appl. Phys. Lett., 88, 071916 (2006).
5. S. Duguay, J. J. Grob, A. Slaoui, Y. G. Le, and M. Amann-Liess, J. Appl. Phys., 97, 104330 (2005).
6. P. Normand, D. Tsoukalas, K. Beltsios, N. Cherkashin, V. Soncini, and M. Ameen, Appl. Phys. Lett., 83, 168 (2003).
7. K. Das, M. NandaGoswami, R. Mahapatra, G. S. Kar, A. Dhar, H. N. Acharya, S. Maikap, J.-H. Lee, and S. K. Ray, Appl. Phys. Lett., 84, 1386 (2004).
8. S. Das, K. Das, R. K. Singha, A. Dhar, and S. K. Ray, Appl. Phys. Lett., 91, 233118 (2007).
9. F. M. Yang, T. C. Chang, P. T. Liu, U. S. Chen, P. H. Yeh, Y. C. Yu, J. Y. Lin, S. M. Sze, and J. C. Lou, Appl. Phys. Lett., 90, 222104 (2007).
10. B. Park, K. Cho, H. Kim, and S. Kim, Semicond. Sci. Technol., 21, 97 (2006).
11. Z. Tan, S. K. Samanta, W. J. Yoo, and S. Lee, Appl. Phys. Lett., 86, 013107 (2005).
12. D. B. Farmer and R. G. Gordon, J. Appl. Phys., 101, 124503 (2007).
13. S. K. Samanta, W. J. Yoo, G. Samudra, E. S. Tok, L. K. Bera, and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett., 87, 113110 (2005).
14. K. S. Seol, S. J. Choi, J.-Y. Choi, E.-J. Jang, B.-K. Kim, S.-J. Park, D.-G. Cha, I.-Y. Song, J.-B. Park, Y. Park, Appl. Phys. Lett., 89, 083109 (2006).
15. J.-H. Lee, S. Maikap, D. Y. Kim, R. Mahapatra, S. K. Ray, Y. S. No, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett., 83, 779 (2003).
16. S. Maikap, J.-H. Lee, D.-Y. Kim, R. Mahapatra, S. K. Ray, J.-H. Song, Y. S. No, and W.-K. Choi, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 52 (2004).
17. S. Maikap, T. Y. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee, J. R. Yang, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 90, 253108 (2007).
18. S. Maikap, P. J. Tzeng, H. Y. Lee, C. C. Wang, T. C. Tien, L. S. Lee, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 91, 043114 (2007).
19. H. I. Hanafi, S. Tiwari, and I. Khan, IEEE Trans. Electron Devices, 43, 1553 (1996).
20. J. A. Wahl, H. Silva, A. Gokirmak, A. Kumar, J. J. Welser, and S. Tiwari, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 1999, 375.
21. J. H. Sim, H. C. Wen, J. P. Lu, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 631 (2003).
22. T. Moromoto, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, H. Okano, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 1991, 653.
23. J. Dufourcq, P. Mur, M. J. Gordon, S. Minoret, R. Coppard, and T. Baron, Mater. Sci. Eng., C, 27, 1496 (2007).
24. S.-S. Yim, D.-J. Lee, K.-S. Kim, M.-S. Lee, S.-H. Kim, and K.-B. Kim, Electrochem. Solid-State Lett., 11, K89 (2008).
25. Y. N. Tan, W. K. Chim, W. K. Choi, M. S. Joo, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 654 (2006).
26. Y.-H. Lin, C.-H. Chien, C.-T. Lin, C.-Y. Chang, and T.-F. Lei, IEEE Electron Device Lett., 26, 154 (2005).
27. C. S. Tan, W. K. Choi, L. K. Bera, K. L. Pey, D. A. Antoniadis, E. A. Fitzgerald, M. T. Currie, and C. K. Maiti, Solid-State Electron., 45, 1945 (2001).