Charge storage characteristics of atomic layer deposited RuOx nanocrystals

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 25, 2007, Pages

  Maikap, S ^a   Wang, T Y ^b   Tzeng, P J ^c   Lin, C H ^c   Lee, L S ^c   Yang, J R ^b   Tsai, M J ^c  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; ATOMIC LAYER DEPOSITION; CAPACITORS; CHARGE TRAPPING; HAFNIUM COMPOUNDS; RUTHENIUM COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CHARGE STORAGE; CHARGE TRAPPING LAYERS; GATE VOLTAGE; MEMORY WINDOW;

NANOCRYSTALS;

EID: 34547254064     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2749857     Document Type: Article

References (21)

1. J. R. Hwang, T. L. Lee, H. C. Ma, T. C Lee, T. H. Chung, C Y. Chang, S. D. Liu, B. C Perng, J. W. Hsu, M. Y. Lee, C Y. Ting, C.-C. Huang, J. H. Shieh, and F-L. Yang, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 161.
2. Y. N. Tan, W. K. Chim, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1143 (2004).
3. S. Maikap, R-J. Tzeng, L. S. Lee, H. Y. Lee, C C Wang, P. H. Tsai, K. S. Chang-Liao, W. J. Chen, K. C Liu, P. R. Jeng, and M. J. Tsai, Proceedings of the 2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, 2006 (unpublished), p. 36.
4. M. S. Joo, S. R. Lee, H. Yang, K. Hong, S.-A. Jang, J. Koo, J. Kim, S. Shin, M. Kim, S. Pyi, N. Kwak, and J.-W. Kim, Extended Abstract of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (unpublished), p. 982.
5. S. Maikap, P. J. Tzeng, T. Y. Wang, H. Y. Lee, C. H. Lin, C. C. Wang, L. S. Lee, J. R. Yang, and M. J. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46 1803 (2007).
6. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi, and H. Hanafl, Appl. Phys. Lett. 69, 1232 (1996).
7. T. Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talelaev, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 87, 202110 (2005).
8. J. Brault, M. Saitoh, and T. Hiramoto, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 349 (2005).
9. K. Das, M. NandaGoswami, R. Mahapatra, G. S. Kar, A. Dhar, H. N. Acharya, S. Maikap, J. H. Lee, and S. K. Ray, Appl. Phys. Lett. 84, 1386 (2004).
10. T. H. Ng, W. K. Chim, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 88, 113112 (2006).
11. Y. H. Lin, C H. Chien, C T. Lin, C. Y. Chang, and T. F. Lei, IEEE Trans. Electron Devices 53, 782 (2006).
12. H.-C. You, T-H. Hsu, F.-H. Ko, J.-W. Huang, and T-F. Lei, IEEE Electron Device Lett. 27, 644 (2006).
13. Z. Liu, C Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C Kan, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1606 (2002).
14. J. J. Lee, Y. Harada, J. W. Pyun, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 86, 102505 (2005).
15. S. K. Samanta, W. J. Yoo, G. Samudra, E. S. Tok, L. K. Bera, and N. Balasubramanian, Appl. Phys. Lett. 87, 113110 (2005).
16. S.-H. Lim, K. H. Joo, J.-H. Park, S.-W. Lee, W. H. Sohn, C Lee, G. H. Choi, I.-S. Yeo, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B.-I. Ryu, 2005 Symposium. on VLSI Technology, Digest of Technical Papers (unpublished), 190.
17. S. S. Yim, M, S. Lee, K. S. Kim, and K. B. Kim, Appl. Phys. Lett. 89, 093115 (2006).
18. K. S. Seol, S. J. Choi, J. Y. Choi, E. J. Jang, B. K. Kim, S. J. Park, D. G. Cha. I. Y. Song, J. B. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 89, 083109 (2006).
19. S. Choi, S. S. Kim, M. Chang, H. Hwang, S. Jeon, and C. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 123110 (2005).
20. S. Maikap, P. J. Tzeng, S. S. Tseng, C. H. Lin, H. Y. Lee, C. C. Wang, L. S. Lee, T. C Tien, S. C Lo, P. W. Li, and M. J. Tsai, Proceedings of the 2006 International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS), Taiwan, (unpublished), 85.
21. S. Maikap, T. Y. Wang, H. Y. Lee, S. S. Tzeng, P. J. Tzeng, C. C. Wang, C H. Lin, T. C Tien, L. S. Lee, P. W. Li, J. R. Yang, and M. J. Tsai, Int. J. Nanomanufacturing (in press).