Stimulated emission due to spatially separated electron-hole plasma and exciton system in homoepitaxial GaN

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 69, Issue 24, 2004, Pages

  Kazlauskas, K ^a   Tamulaitis, G ^a   Zukauskas A ^a   Suski, T ^b   Perlin, P ^b   Leszczynski, M ^b   Prystawko, P ^b   Grzegory, I ^b  

^a VILNIUS UNIVERSITY   (Lithuania)

^b INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM; GALLIUM NITRIDE; NITROGEN DERIVATIVE; UNCLASSIFIED DRUG;

ARTICLE; ATOMIC PARTICLE; CALCULATION; CRYSTALLIZATION; DENSITY; DIFFUSION; ELECTRON; ENERGY; EXCITON; GAS; HIGH TEMPERATURE; LIGHT EMITTING DIODE; LIGHT IRRADIANCE; LOW TEMPERATURE; MATHEMATICAL ANALYSIS; PHOTOSTIMULATION; TEMPERATURE SENSITIVITY;

EID: 42749100327     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.69.245316     Document Type: Article

References (61)

1. S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol. 14, R27 (1999).
2. S. Nakamura, Solid State Commun. 102, 237 (1997).
3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer-Verlag, Berlin, 1997).
4. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
5. A. Žukauskas, M. S. Shur, and R. Gaska, Introduction to Solid-State Lighting (Wiley, New York, 2002).
6. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
7. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major, W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
8. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
9. T. Sugahara, H. Sato, M. S. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998).
10. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
11. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
12. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L647 (2000).
13. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L316 (1998).
14. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
15. P. Vennegues, B. Beaumont, V. Bousquet, M. Vaille, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 87, 4175 (2000).
16. I. Kidoguchi, A. Ishibashi, G. Sugahara, and Y. Ban, Appl. Phys. Lett. 76, 3768 (2000).
17. T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 28, L5 (1999).
18. S. Porowski, I. Grzegory, and J. Jun, in High Pressure Chemical Synthesis, edited by J. Jurczak, and B. Baranowski (Elsevier, Amsterdam, 1989), p. 21.
19. C. Kirchner, V. Schwegler, F. Eberhard, M. Kamp, K. J. Ebeling, K. Kornitzer, T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 1098 (1999).
20. M. Leszczynski, B. Beaumont, E. Frayssinet, W. Knap, P. Prystawko, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 1276 (1999).
21. S. Juršėnas, N. Kurilčik, G. Kurilčik, A. Žukauskas, P. Prystawko, M. Leszcynski, T. Suski, P. Perlin, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 78, 3776 (2001).
22. I. Grzegory, Acta Phys. Pol. A 98, 183 (2000).
23. F. Kawamura, T. Iwahashi, M, Morishita, K. Omae, M. Yoshimura, Y. Mori, and T. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L4 (2003).
24. I. Grzegory and S. Porowski, Thin Solid Films 367, 281 (2000).
25. M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, and T. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996).
26. E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Simin, X. Hu, M. A. Khan, M. S. Shur, R. Gaska, and D. Maude, Appl. Phys. Lett. 77, 2551 (2000).
27. W. W. Chow, A. Knorr, and S. W. Koch, Appl. Phys. Lett. 67, 754 (1995).
28. G. Frankowsky, F. Steuber, V. Harle, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 68, 3746 (1996).
29. R. Cingolani, M. Ferrara, and M. Lugara, Solid State Commun. 60, 705 (1986).
30. K. Domen, K. Kondo, A. Kuramata, and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 69, 94 (1996).
31. S. Bidnyk, T. J. Schmidt, B. D. Little, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 74, 1 (1999).
32. J.-C. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 25 (1997).
33. L. Eckey, J.-C. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, T. Detchprom, and K. Hiramatsu, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 1 (1997).
34. W. D. Herzog, G. E. Bunea, M. S. Unlu, B. B. Goldberg, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 4145 (2000).
35. S. Bidnyk, J. B. Lam, B. D. Little, Y. H. Kwon, J. J Song, G. E. Bulman, H. S. Kong, and T. J. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 75, 3905 (1999).
36. K. L. Shaklee, R. E. Nahory, and R. F. Leheny, J. Lumin. 7, 284 (1973).
37. S. T. Kim, H. Amano, I. Akasaki, and N. Koide, Appl. Phys. Lett. 64, 1535 (1994).
38. S. Hess, R. A. Taylor, J. F. Ryan, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 73, 199 (1998).
39. R. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheny, and R. B. Zetterstrom, Appl. Phys. Lett. 19, 5 (1971).
40. J. M. Hvam and E. Ejder, J. Lumin. 12/13, 611 (1976).
41. R. Dai, W. Zhuang, K. Bohnert, and C. Klingshirn, Z. Phys. B: Condens. Matter 46, 189 (1982).
42. I. M. Catalano, A. Cingolani, M. Ferrara, M. Lugara, and A. Minafra, Solid State Commun. 25, 349 (1978).
43. S. Bidnyk, B. D. Little, T. J. Schmidt, Y. H. Cho, J. Krasinski, J. J. Song, B. Goldenberg, W. Yang, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 85, 1792 (1999).
44. S. Juršėnas, G. Kurilčik, N. Kurilčik, G. Tamulaitis, K. Kazlauskas, A. Žukauskas, P. Prystawko, M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, I. Grzegory, and S. Porowski, Proc. SPIE 123, 4318 (2001).
45. S. Juršėnas, G. Kurilčik, G. Tamulaitis, A. Žukauskas, R. Gaska, M. S. Shur, M. A. Khan, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 76, 2388 (2000).
46. B. Monemar, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10, 227 (1999).
47. K. Komitzer, M. Grehl, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Physica B 273-274, 66 (1999).
48. V. Kirilyuk, A. R. A. Zauner, P. C. M. Christianen, J. L. Weyher, P. R. Hageman, and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett. 76, 2355 (2000).
49. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and M. S. Shur, Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, and SiGe (Wiley, New York, 2001).
50. C. F. Klingshirn, Semiconductor Optics (Springer-Verlag, Berlin, 1997).
51. T. Taliercio, M. Gallart, P. Lefebvre, A. Morel, B. Gil, J. Allèegre, N. Grandejan, J. Massies, I. Grzegory, and S. Porowski, Solid State Commun. 117, 445 (2001).
52. K. Bohnert, G. Schmieder, and C. Klingshim, Phys. Status Solidi B 98, 175 (1980).
53. H. Saito and E. O. Göbel, Phys. Rev. B 31, 2360 (1985).
54. S. Bidnyk, T. J. Schmidt, G. H. Park, and J. J, Song, Appl. Phys. Lett. 71, 729 (1997).
55. L. Bányai and S. W. Koch, Z. Phys. B: Condens. Matter 63, 283 (1986).
56. W. W. Chow and S. W. Koch, Semiconductor-Laser Fundamentals (Springer-Verlag, Berlin, 1999).
57. T. Moriya and T. Kushida, J. Phys. Soc. Jpn. 40, 1668 (1976).
58. T. Moriya and T. Kushida, J. Phys. Soc. Jpn. 40, 1676 (1976).
59. C. Benoit à La Guillaume, J.-M. Debever, and F. Salvan, Phys. Rev. 177, 567 (1969).
60. R. Stepniewski, K. R Korona, A. Wysmolek, J. M. Baranowski, K. Pakula, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. B 56, 15151 (1997).
61. K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Lucznik, M. Wroblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).