Optical gain in GaN epilayers

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 2, 1998, Pages 199-201

  Hess, S ^a   Taylor, R A ^a   Ryan, J F ^a   Beaumont, B ^b   Gibart, P ^b  

^a UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

^b CRHEA CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001215860     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121754     Document Type: Article

References (21)

1. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
2. H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 725 (1990).
3. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
4. H. Amano, T. Asahi, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 29, L205 (1990).
5. A. S. Zubrilov, V. I. Nikolaev, D. V. Tsvetkov, V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, J. A. Edmond, and C. H. Carter, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 533 (1995).
6. G. Frankowsky, F. Steuber, V. Härle, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 68, 3746 (1996).
7. D. Wiesmann, I. Brener, L. Pfeiffer, M. A. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 69, 3384 (1996).
8. L. Eckey, J. Holst, A. Hoffman, I. Broser, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, J. Lumin. 72-74, 59 (1998).
9. J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttger, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 72, 1439 (1999).
10. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
11. K. L. Shaklee, R. E. Nahory, and R. F. Leheny, J. Lumin. 7, 284 (1973).
12. B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Solid-State Electron. 41, 239 (1997).
13. U. Kaufmann, M. Kunzer, C. Merz, I. Akasaki, and H. Amano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 633 (1996).
14. B. M. Ashkinadze, I. P. Kretsu, S. L. Lyshkin, S. M. Ryvkin, and I. D. Yaroshetskii, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 10, 3681 (1968).
15. E. Ejder, Phys. Status Solidi A 6, 445 (1971).
16. J. Allègre, P. Lefebvre, J. Camassel, B. Beaumont, and Pierre Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 32 (1997).
17. G. Fuchs, J. Hörer, A. Hangleiter, V. Härle, F. Scholz, R. W. Glew, and L. Goldstein, Appl. Phys. Lett. 60, 231 (1992).
18. F. Binet, J. Y. Duboz, E. Rosencher, F. Scholz, and V. Härle, Phys. Rev. B 54, 8116 (1996).
19. B. K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors, 2nd ed. (Oxford Science, 1988).
20. W. F. Brinkman and T. M. Rice, Phys. Rev. B 7, 1508 (1973).
21. Y. K. Song, M. Kuball, A. V. Nurmikko, G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, M. Leonard, H. S. Kong, H. Dieringer, and J. Edmond, Appl. Phys. Lett. 72, 1418 (1998).