Homoepitaxial growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy: A benchmark for GaN technology

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 8, 1999, Pages 1098-1100

  Kirchner, C ^a   Schwegler, V ^a   Eberhard, F ^a   Kamp, M ^a   Ebeling, K J ^a   Kornitzer, K ^a   Ebner, T ^a   Thonke, K ^a   Sauer, R ^a   Prystawko, P ^b   Leszczynski, M ^b   Grzegory, I ^b   Porowski, S ^b  

^a UNIVERSITY OF ULM   (Germany)

^b INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000850487     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124609     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 799 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
3. M. Kamp, Opt. Quantum Electron, (to be published).
4. N. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 83, 3656 (1998).
5. Z. L. Liau, R. L. Aggarwal, P. A. Maki, R. J. Molnar, J. N. Walpole, R. C. Williamson, and I. Melngallis, Appl. Phys. Lett. 69, 1665 (1996).
6. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
7. S. Porowski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.3 (1999).
8. A. Pelzmann, C. Kirchner, M. Mayer, V. Schwegler, M. Schauler, M. Kamp, K. J. Ebeling, I. Grzegory, M. Leszczynski, G. Nowak, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 189-190, 167 (1998).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
10. M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K. J. Ebeling, H. Teisseyre, G. Nowak, M. Leszczynski, I. Grzegory, M. Bockowski, and S. Krukowski, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1634 (1997).
11. J. Baranowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 393 (1997).
12. J. A. Van Vechten, Phys. Rev. B 7, 9 (1973).
13. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
14. J. L. Weyher, S. Müller, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 182, 17 (1997).
15. M. Schauler, F. Eberhard, C. Kirchner, V. Schwegler, A. Pelzmann, M. Kamp, and K. J. Ebeling, Appl. Phys. Lett. 74, 1123 (1999).
16. M. Leszczynski, I. Grzegory, H. Teisseyre, T. Suski, M. Bockowski, J. Jun, J. M. Baranowski, S. Porowski, and J. Domagala, J. Cryst. Growth 169, 235 (1997).
17. B. Beaumont, M. Vaille, G. Nataf, A. Bouillé, J.-C. Guillaume, P. Vénnègues, S. Haffouz, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 20 (1998).