Air-bridged lateral epitaxial overgrowth of GaN thin films

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 25, 2000, Pages 3768-3770

  Kidoguchi, Isao ^a   Ishibashi, Akihiko ^a   Sugahara, Gaku ^a   Ban, Yuzaburoh ^a  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001223299     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126775     Document Type: Article

References (20)

1. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
2. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
3. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998).
4. H. Marchand, X. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 747 (1998).
5. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. Fini, S. Chichibu, S. J. Rosner, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Proceedings of 25th International Symposium on Compound Semicond., Nara, Japan (1998).
6. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchand, J. P. Ibbetson, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 75, 1706 (1999).
7. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
8. O. H. Nam, T. S. Zheleva, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
9. K. J. Linthincum, T. Gehrke, D. B. Thomson, E. P. Carlson, P. Rajagopal, T. P. Smith, A. D. Batchelor, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 75, 196 (1999).
10. T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, T. Gehrke, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, E. Carlson, W. M. Ashmawi, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.38 (1999).
11. K. J. Linthincum, T. Gehrke, D. B. Thomson, M. K. Tracy, E. P. Carlson, T. P. Smith, T. S. Zheleva, C. A. Zorman, M. Mehregany, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.9 (1999).
12. T. Mukai, K. Takekawa, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 7B, L839 (1998).
13. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Seno, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
14. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Seno, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L226 (1999).
15. M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura, A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui, and M. Mizuta, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L184 (1999).
16. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. Fini, X. W. Hu, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.5 (1999).
17. K. Tadamoto, Y. Ohuchi, H. Okagawa, H. Itoh, H. Miyake, and K. Hiramatsu, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.1 (1999).
18. H. Sone, S. Nambu, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Iyechika, T. Maeda, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L356 (1999).
19. I. Kim, C. Sone, O. Nam, Y. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 4109 (1999).
20. P. Fini, H. Marchand, J. P. Ibbetson, B. Moran, L. Zhao, S. P. Denbaars, J. P. Speck, and U. K. Mishra, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 572, 315 (1999).