Effect of interfacial oxynitride layer on the band alignment and thermal stability of LaAlO3 films on SiGe

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 4, 2007, Pages

  Mi, Y Y ^a   Wang, S J ^b   Chai, J W ^b   Seng, H L ^b   Pan, J S ^b   Foo, Y L ^b   Huan, C H A ^b   Ong, C K ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHEMICAL MODIFICATION; ELECTRONIC STRUCTURE; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; LANTHANUM COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY;

INTERFACIAL DIPOLE; INTERFACIAL OXYNITRIDE LAYERS;

THIN FILMS;

EID: 34547455371     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2762277     Document Type: Article

References (26)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. H. R. Huff and D. C. Gilmer, High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications (Springer, Berlin, 2004), Chap., p. 223.
3. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 0034-4885 10.1088/0034-4885/69/2/R02 69, 327 (2006); P. W. Peacock and J. Robertson, J. Appl. Phys. 92, 4712 (2002).
4. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 0034-4885 10.1088/0034-4885/69/2/R02 69, 327 (2006); P. W. Peacock and J. Robertson, J. Appl. Phys. 92, 4712 (2002).
5. A. D. Li, Q. Y. Shao, H. Q. Ling, J. B. Cheng, D. Wu, Z. G. Liu, N. B. Ming, C. Wang, H. W. Zhou, and B. Y. Nguyen., Appl. Phys. Lett. 83, 3540 (2003).
6. L. Miotti, C. Driemeier, F. Tatsch, C. Radtke, V. Edon, M. C. Hugon, O. Voldoire, B. Agius, and I. J. R. Baumvol, Electrochem. Solid-State Lett. 9, F49 (2006).
7. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. Holländer, and J. Schubert, Appl. Phys. Lett. 84, 726 (2004).
8. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, C. Zhao, M. Caymax, T. Heeg, J. Schubert, Y. Jia, D. G. Schlom, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 85, 5917 (2004).
9. P. Sivasubramani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, L. F. Edge, D. G. Schlom, H. S. Craft, and J.-P. Maria, Appl. Phys. Lett. 86, 201901 (2005).
10. K. K. S. Curreem, P. F. Lee, K. S. Wong, J. Y. Dai, M. J. Zhou, J. Wang, and Q. Li, Appl. Phys. Lett. 88, 182905 (2006).
11. X. B. Lu, P. F. Lee, and J. Y. Dai, Appl. Phys. Lett. 86, 203111 (2005).
12. J.-F. Damlencourt, O. Weber, O. Renault, J.-M. Hartmann, C. Poggi, F. Ducroquet, and T. Billon, J. Appl. Phys. 96, 5478 (2004).
13. J. H. Lee, S. Maikap, D. Y. Kim, R. Mahapatra, S. K. Ray, Y. S. No, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 83, 779 (2003).
14. J. D. Huang, J. Fu, C. X. Zhu, A. A. O. Tay, Z. Y. Cheng, C. W. Leitz, and A. Lochtefeld, Appl. Phys. Lett. 90, 023502 (2007).
15. J. D. Huang, N. Wu, Q. C. Zhang, C. X. Zhu, M. F. Li, A. A. O. Tay, Z. Y. Cheng, C. W. Leitz, and A. Lochtefeld, Appl. Phys. Lett. 88, 143506 (2006).
16. C. C. Fulton, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 84, 580 (2004).
17. S. Hong, Y. L. Foo, K. A. Bratland, T. Spila, K. Ohmori, M. R. Sardela, Jr., J. E. Greene, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 83, 4321 (2003).
18. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, and C. K. Maiti, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1682 (1996).
19. D. Aubel, M. Diani, J. L. Bischoff, D. Bolmont, and L. Kubler, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2699 (1994).
20. Y. Y. Mi, S. J. Wang, J. W. Chai, J. S. Pan, A. C. H. Huan, Y. P. Feng, and C. K. Ong, J. Appl. Phys. 101, 063708 (2007).
21. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
22. Y. Y. Mi, S. J. Wang, J. W. Chai, J. S. Pan, A. C. H. Huan, M. Ning, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 89, 202107 (2006).
23. A. Fissel, J. Dbrowski, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 91, 8986 (2002).
24. K. Xiong, J. Robertson, and S. J. Clark, Appl. Phys. Lett. 89, 022907 (2006).
25. S. J. Wang, J. W. Chai, Y. F. Dong, Y. P. Feng, N. Sutanto, J. S. Pan, and A. C. H. Huan, Appl. Phys. Lett. 88, 192103 (2006).
26. Y. Y. Mi, S. J. Wang, J. W. Chai, J. S. Pan, A. C. H. Huan, Y. P. Feng, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 89, 231922 (2006).