Effect of nitrogen incorporation on the electronic structure and thermal stability of HfO2 gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 19, 2006, Pages

  Wang, S J ^a   Chai, J W ^a   Dong, Y F ^b   Feng, Y P ^b   Sutanto, N ^a   Pan, J S ^a   Huan, A C H ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRONIC STRUCTURE; HAFNIUM COMPOUNDS; NITRIDING; NITROGEN; THERMODYNAMIC STABILITY;

BAND GAP; HAFNIUM OXYNITRIDE (HFON); NITROGEN INCORPORATION; POSTNITRIDATION ANNEALING;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33646704489     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2202752     Document Type: Article

References (20)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
3. K. Xiong, J. Robertson, M. C. Gibson, and S. J. Clark, Appl. Phys. Lett. 87, 183505 (2005).
4. Y. P. Feng, A. T. L. Lim, and M. F. Li, Appl. Phys. Lett. 87, 062105 (2005).
5. G. Shang, P. W. Peacock, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 87, 106 (2004).
6. N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Tori, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, and T. Arikado, Appl. Phys. Lett. 86, 143507 (2005).
7. A. Stesmans and V. V. Afanas'ev, in High- κ Dielectrics, edited by, M. Houssa, (IOP, Bristol, 2004), pp. 190-216.
8. S. Toyoda, J. Okabayashi, H. Takahashi, M. Oshima, D. Lee, S. Sun, P. A. Pianetta, T. Ando, and S. Fukuda, Appl. Phys. Lett. 87, 182908 (2005).
9. P. D. Kirsch, D. G. Park, K. K. Chan, C. D'Emic, J. Bruley, and R. Jammy, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2462 (2004).
10. J. L. Gavatin, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys. 97, 053704 (2005).
11. P. Chen, H. B. Bhandari, and T. M. Klein, Appl. Phys. Lett. 85, 1574 (2004).
12. G. V. Soares, K. P. Bastos, R. P. Pezzi, L. Miotti, C. Driemeier, I. J. R. Baumvol, C. Hinkle, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 84, 4992 (2004).
13. S. Sayan, N. V. Ngugen, J. Ehrstein, J. J. Chambers, M. R. Visokay, M. A. Quevedo-Lopez, L. Colombo, D. Yoder, I. Levin, D. A. Fisher, M. Paunescu, O. Celik, and E. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 87, 212905 (2005).
14. Q. Li, S. J. Wang, K. B. Li, A. C. H. Huan, J. W. Chai, J. S. Pan, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 6155 (2004).
15. T. S. Jeon, J. M. White, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 78, 368 (2001).
16. S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 77, 1662 (2000).
17. A. S. Foster, F. Lopez Gejo, A. L. Shluger, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 65, 174147 (2002).
18. M. D. Segall, P. L. D. Lindan, M. J. Probert, C. J. Pickard, P. J. Hasnip, S. J. Clark, and M. C. Payne, J. Phys.: Condens. Matter 14, 2717 (2002).
19. N. J. Seong, S. G. Yoon, S. J. Yeon, H. K. Woo, D. S. Kil, J. S. Roh, and H. C. Sohn, Appl. Phys. Lett. 87, 132903 (2005).
20. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishina, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 2593 (2002).