A Study of compressively strained Si0.5Ge0.5 metal-oxide-semiconductor capacitors with chemical vapor deposition HfAlO as gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 2, 2007, Pages

  Huang, Jidong ^a   Fu, Jia ^a   Zhu, Chunxiang ^a   Tay, Andrew A O ^a   Cheng, Zhi Yuan ^b   Leitz, Chris W ^b   Lochtefeld, Anthony ^b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b AmberWave Systems Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL PROPERTIES; INTERFACIAL LAYERS; SURFACE NITRIDATION;

COMPRESSIVE STRESS; HAFNIUM COMPOUNDS; INTERFACIAL ENERGY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOS CAPACITORS; NITRIDING; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 33846242532     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2431464     Document Type: Article

References (18)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. M. V. Fischetti, D. A. Neumayer, and E. A. Cartier, J. Appl. Phys. 90, 4587 (2001).
3. M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, M. T. Bulsara, M. T. Currie, and A. Lochtefeld, J. Appl. Phys. 97, 011101 (2005).
4. T. Manku and A. Nathan, J. Appl. Phys. 69, 8414 (1991).
5. D. K. Nayak, J. C. S. Woo, J. S. Park, K.-L. Wang, and K. P. MacWilliams, IEEE Electron Device Lett. 12, 154 (1991).
6. C. W. Leitz, M. T. Currie, M. L. Lee, Z.-Y. Cheng, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 79, 4246 (2001).
7. Z.-Y. Cheng, J.-W. Jung, M. J. Lee, A. J. Pitera, J. L. Hoyt, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, Semicond. Sci. Technol. 19, L48 (2004).
8. K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi, H.-J. Cho, S. Gopalan, R. Nieh, S. Krishnan, and J. C. Lee, Tech. Dig. VLSI Symp. 2002, 22 (2002).
9. W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa, and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 23, 649 (2002).
10. M.-H. Cho, H. S. Chang, D. W. Moon, S. K. Kang, B. K. Min, D.-H. Ko, H. S. Kim, P. C. Mclntyre, J. H. Lee, J. H. Ku, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 1171 (2004).
11. J. D. Huang, N. Wu, Q. C. Zhang, C. X. Zhu, M. F. Li, A. A. O. Tay, Z.-Y. Cheng, C. W. Leitz, and A. Lochtefeld, Appl. Phys. Lett. 88, 143506 (2006).
12. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. X. Zhu, B. J. Cho, D. L. Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 3618 (2002).
13. S. H. Bae, C. H. Lee, R. Clark, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 24, 556 (2003).
14. D. Wu, A.-C. Lindgren, S. Persson, G. Sjoblom, M. von Haartman, J. Seger, P.-E. Hellstrom, J. Olsson, H.-O. Blom, S.-L. Zhang, M. Ostling, E. Vainonen-Ahlgren, W.-M. Li, E. Tois, and M. Tuominen, IEEE Electron Device Lett. 24, 171 (2003).
15. K. K. S. Curreem, P. F. Lee, K. S. Wong, J. Y. Dai, M. J. Zhou, J. Wang, and Quan Li, Appl. Phys. Lett. 88, 182905 (2006).
16. M. S. Joo, B. J. Cho, C. C. Yeo, D. S. H. Chan, S. J. Whang, S. Mathew, L. K. Bera, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2088 (2003).
17. NIST x-ray Photoelectron Spectroscopy Database, NIST Standard Reference Database 20, Version 3.4 (web version).
18. Q. C. Zhang, N. Wu, D. M. Y. Lai, Y. Nikolai, L. K. Bera, and C. X. Zhu, J. Electrochem. Soc. 153, G207 (2006).