Comparison of interfacial and electrical characteristics of HfO2 and HfAlO high-k dielectrics on compressively strained Si1-xGe x

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 18, 2006, Pages

  Curreem, K K S ^a   Lee, P F ^a   Wong, K S ^a   Dai, J Y ^a   Zhou, M J ^b   Wang, J ^b   Li, Quan ^b  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

^b CHINESE UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; DIELECTRIC FILMS; ELECTRIC PROPERTIES; RAPID THERMAL ANNEALING; SURFACE PROPERTIES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

INTERFACIAL REACTIONS; POST-THERMAL ANNEALING; PULSED-LASER DEPOSITION;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 33646524777     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2201887     Document Type: Article

References (20)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. T. C. Chen, L. S. Lee, W. Z. Lai, and C. W. Liu, Mater. Sci. Semicond. Process. 8, 209 (2005).
3. C. K. Maiti, S. K. Samanta, S. Chatterjee, G. K. Dalapati, and L. K. Bera, Solid-State Electron. 48, 1369 (2004).
4. S. H. Jeong, Y. Roh, N. E. Lee, and C. W. Yang, Surf. Coat. Technol. 200, 258 (2005).
5. J. H. Lee, S. Maikap, D. Y. Kim, R. Mahapatra, S. K. Ray, Y. S. No, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 83, 779 (2003).
6. J. Kim, S. Kim, H. Jeon, M. H. Cho, K. B. Chung, and C. Bae, Appl. Phys. Lett. 87, 053108 (2005).
7. P. F. Lee, J. Y. Dai, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Appl. Phys. Lett. 82, 2419 (2003).
8. D. Y. Cho, K. S. Park, B. H. Choi, and S. J. Oh, Appl. Phys. Lett. 86, 041913 (2005).
9. J. F. Damlencourt, O. Weber, O. Renault, J. M. Hartmann, C. Poggi, F. Ducroquet, and T. Billon, J. Appl. Phys. 96, 5478 (2004).
10. M.-H. H. Tae-Hyoung Moon, Appl. Surf. Sci. 240, 105 (2004).
11. M. S. Kim, Y. D. Ko, M. S. Yun, J. H. Hong, M. C. Jeong, J. M. Myoung, and I. G. Yun, Mater. Sci. Eng., B B123, 20 (2005).
12. T. J. Park, S. K. Kim, J. H. Kim, J. Park, M. J. Cho, S. W. Lee, S. H. Hong, and C. S. Hwang, Microelectron. Eng. 80, 222 (2005).
13. M. Houssa, B. De Jaeger, A. Delabie, S. Van Elshocht, V. V. Afanas'ev, J. L. Autran, A. Stesmans, M. Meuris, and M. M. Heyns, J. Non-Cryst. Solids 351, 1902 (2005).
14. Z. H. Shi, D. Onsongo, and S. K. Banerjee, Appl. Surf. Sci. 224, 248 (2004).
15. K. I. Seo, P. C. McIntyre, S. Sun, D. I. Lee, P. Pianetta, and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 87, 042902 (2005).
16. N. Lu, W. Bai, A. Ramirez, C. Mouli, A. Ritenour, M. L. Lee, D. Antoniadis, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 87, 051922 (2005).
17. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. X. Zhu, B. J. Cho, D. L. Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 3618 (2002).
18. V. Mikhelashvili, R. Brener, O. Kreinin, B. Meyler, J. Shneider, and G. Eisenstein, Appl. Phys. Lett. 85, 5950 (2004).
19. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Thin Solid Films 416, 72 (2002).
20. J. Robertson, Solid-State Electron. 49, 283 (2005).