Lateral size effects on domain structure in epitaxial PbTiO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 5, 2006, Pages

  Lee, Kilho ^a   Yi, Hyunjung ^b   Park, Wang Hyun ^b   Kim, Yong Kwan ^a   Baik, Sunggi ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRESS; DIELECTRIC RELAXATION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); FINITE ELEMENT METHOD; LEAD COMPOUNDS;

EPITAXIAL THIN FILMS; FERROELASTIC DOMAIN STRUCTURES; MISFIT STRAIN; PLANAR SIZE;

THIN FILMS;

EID: 33748850137     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2337358     Document Type: Article

References (49)

1. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Oxford University Press, Oxford, 1982).
2. O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51(7), 22 (1998).
3. O. Auciello and R. Ramesh, MRS Bull. 21, 25 (1996).
4. B. S. Kwak, A. Erbil, B. J. Wilkens, J. D. Budai, M. F. Chisholm, and L. A. Boatner, Phys. Rev. Lett. 68, 3733 (1992).
5. B. S. Kwak, A. Erbil, J. D. Budai, M. F. Chisholm, L. A. Boatner, and B. J. Wilkens, Phys. Rev. B 49, 14865 (1994).
6. N. A. Pertsev and A. G. Zembilgotov, J. Appl. Phys. 80, 6401 (1996).
7. C. M. Foster, Z. Li, M. Buckett, D. Miller, P. M. Baldo, L. E. Rehn, G. R. Bai, D. Guo, H. You, and K. L. Merkle, J. Appl. Phys. 78, 2607 (1995).
8. J. S. Speck and W. Pompe, J. Appl. Phys. 76, 466 (1994).
9. S. P. Alpay and A. L. Roytburd, J. Appl. Phys. 83, 4714 (1998).
10. N. Sridhar, J. M. Rickman, and D. J. Srolovitz, Acta Mater. 44, 4085 (1996);
11. N. Sridhar, J. M. Rickman, and D. J. Srolovitz, Acta Mater. 44, 4097 (1996).
12. K. Lee, K. S. Lee, Y. K. Kim, and S. Baik, Integr. Ferroelectr. 46, 307 (1997).
13. K. S. Lee, J. H. Choi, J. Y. Lee, and S. Baik, J. Appl. Phys. 90, 4095 (2001).
14. K. Lee, K. S. Lee, and S. Baik, J. Appl. Phys. 90, 6327 (2001);
15. ABACUS, ABACUS Inc., Rising Sun Mills, 166 Valley Street, Providence, RI 02909-2499.
16. Y. K. Kim, K. Lee, and S. Baik, J. Appl. Phys. 95, 236 (2004).
17. C. Basceri, S. K. Streiffer, A. I. Kingon, and R. Waser, J. Appl. Phys. 82, 2497 (1997).
18. W.-Y. Hsu and R. Raj, Appl. Phys. Lett. 67, 792 (1995).
19. K. S. Lee and S. Baik, J. Appl. Phys. 87, 8035 (2000).
20. Y. K. Kim, S. S. Kim, H. Shin, and S. Baik, Appl. Phys. Lett. 84, 5085 (2004).
21. V. Nagarajan, I. G. Jenkins, S. P. Alpay, H. Li, S. Aggarwal, L. Salamanca-Riba, A. L. Roytburd, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 86, 595 (1999).
22. Z. Li, C. M. Foster, D. Guo, H. Zhang, G. R. Bai, P. M. Baldo, and L. E. Rehn, Appl. Phys. Lett. 65, 1106 (1994).
23. D. D. Fong, G. B. Stephenson, S. K. Streifter, J. A. Eastman, O. Auciello, P. H. Fuoss, and C. Thompson, Science 304, 1650 (2004).
24. S. K. Streiffer et al., Phys. Rev. Lett. 89, 067601 (2002).
25. V. Nagarajan et al., J. Appl. Phys. (to be published).
26. J. Junquera and Ph. Ghosez, Nature (London) 422, 506 (2003).
27. T. M. Shaw, S. Trolier-McKinstry, and P. C. McIntyre, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 263 (2000).
28. Y. G. Wang, W. L. Zhong, and P. L. Zhang, Phys. Rev. B 51, 17235 (1995).
29. A. L. Roytburd, S. P. Alpay, V. Nagarajan, C. S. Ganpule, S. Aggarwal, E. D. Williams, and R. Ramesh, Phys. Rev. Lett. 85, 190 (2000).
30. V. Nagarajan et al., Nat. Mater. 2, 43 (2003).
31. C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, Q. Su, S. Aggarwal, J. MeIngailis, E. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 75, 409 (1999).
32. S. Bühlmann, B. Dwir, J. Baborowski, and P. Muralt, Appl. Phys. Lett. 80, 3195 (2002).
33. M. Alexe, C. Harnagea, W. Erfurth, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 70, 247 (2000).
34. M. Hiratani, C. Okazaki, H. Hasegawa, N. Sugii, Y. Tarutani, and K. Takagi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5219 (1997).
35. V. Nagarajan, C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, B. T. Liu, and R. Ramesh, Microsc. Microanal. 8, 333 (2002).
36. K. S. Lee and S. Baik, J. Appl. Phys. 85, 1995 (1999).
37. K. S. Lee, Y. M. Kang, and S. Baik, Integr. Ferroelectr. 14, 43 (1997).
38. A. L. Roytburd, S. P. Alpay, L. A. Bendersky, V. Nagarajan, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 89, 553 (2001).
39. Ferroelectrics: Oxides, Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol. 16, edited by K.-H. Hellwege and A. M. Hellwege (Springer-Verlag, Berlin, 1981).
40. D. Freire and R. S. Katiyar, Phys. Rev. B 37, 2074 (1988).
41. G. Simmons and H. Wang, Single Crystal Elastic Constants and Calculated Aggregate. Properties: A Handbook (MIT, Cambridge, 1971), pp. 210 and 280.
42. S. C. Jian, H. E. Maes, K. Pinardi, and I. De Wolf, J. Appl. Phys. 79, 8145 (1996).
43. K. Lee, K. Kim, S.-J. Kwon, and S. Baik, Appl. Phys. Lett. 85, 4711 (2004).
44. K. Lee, Y. K. Kim, and S. Baik, Integr. Ferroelectr. 68, 237 (2004).
45. K. Lee and S. Baik, Appl. Phys. Lett. 86, 202901 (2005).
46. S. B. Ren, C. J. Lu, J. S. Liu, H. M. Shen, and Y. N. Wang, Phys. Rev. B 54, R14337 (1996).
47. M.-W. Chu, I. Szafraniak, R. Scholz, C. Harnagea, D. Hesse, M. Alexe, and U. Gösele, Nat. Mater. 3, 87 (2004).
48. H. Nonomura, H. Fujisawa, M. Shimizu, H. Niu, and K. Honda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 5918 (2003).
49. C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, S. Aggarwal, J. Melngailis, E. Williams, R. Ramesh, V. Joshi, and C. Paz de Araujo, Appl. Phys. Lett. 75, 3874 (1999).