Comparison of electrical and chemical characteristics of ultrathin HfON versus HfSiON dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 3, 2006, Pages

  Pant, G ^a   Gnade, A ^a   Kim, M J ^a   Wallace, R M ^a   Gnade, B E ^a   Quevedo Lopez, M A ^b   Kirsch, P D ^b   Krishnan, S ^b  

^a The University of Texas at Dallas   (United States)

^b SEMATECH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ANNEALING; CHEMICAL CHARACTERISTICS; PHYSICAL THICKNESS;

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC PROPERTIES; GATES (TRANSISTOR); PHASE SEPARATION; THICKNESS CONTROL; ULTRATHIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 33746288039     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2226991     Document Type: Article

References (28)

1. M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 80, 3183 (2002).
2. S. B. Samavedam, H. H. Tseng, P. J. Tobin, J. Mogab, S. Dakshina-Murthy, L. B. La, J. Smith, J. Schaeffer, M. Zavala, R. Martin, B.-Y. Nguyen, L. Hebert, O. Adetutu, V. Dhandapani, T.-Y. Luo, R. Garcia, P. Abramowitz, M. Moosa, D. C. Gilmer, C. Hobbs, W. J. Taylor, J. M. Grant, R. Hegde, S. Bagchi, E. Luckowski, V. Arunachalam, and M. Azrak, Tech. Dig. VLSI Symp., 24 (2002).
3. G. Pant, P. Punchaipetch, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, Thin Solid Films 460, 242 (2004).
4. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
5. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2000, 31.
6. K. Kukli, M. Ritala, J. Sundqvist, J. Aarik, J. Lu, T. Sajavaara, M. Leskelä, and A. Hårsta, J. Appl. Phys. 92, 5698 (2002).
7. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2000, 857.
8. M. A. Quevedo-Lopez, M. R. Visokay, J. J. Chambers, M. J. Bevan, A. LiFatou, L. Colombo, M. J. Kim, B. E. Gnade, and R. M. Wallace, J. Appl. Phys. 97, 0435308 (2005).
9. P. Sivasubramani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, L. F. Edge, D. G. Schlom, H. S. Craft, and J.-P. Maria, Appl. Phys. Lett. 86, 201901 (2005).
10. H. Kim, A. Marshall, P. C. McIntyre, and K. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 84, 2064 (2004).
11. B.-H. Lee, L. Kang, R. Neih, W. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
12. C. D. Young, P. Zeitzoff, G. A. Brown, G. Bersuker, B.-H. Lee, and J. R. Hauser, IEEE Electron Device Lett. 26, 586 (2005).
13. M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, P. D. Kirsch, G. Pant, B. E. Gnade, M. J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 87, 262902 (2005).
14. P. D. Kirsch, J. H. Sim, S. C. Song, S. Krishnan, J. Peterson, H.-J. Li, M. A. Quevedo-Lopez, C. D. Young, R. Choi, N. Moumen, P. Majhi, Q. Wang, J. G. Ekerdt, G. Bersuker, and B.-H. Lee, Proc. 35th European Solid-State Circuits Conference, 12-16 September 2005, p. 367 (IEEE, Piscataway, 2005).
15. J. J. Peterson, C. D. Young, J. Barnett, S. Gopalan, N. Moumen, B.-H. Lee, G. Bersuker, G. A. Brown, P. M. Zeitzoff, M. I. Gardner, R. M. Murto, and H. R. Huff, Electrochem. Solid-State Lett. 7, 164 (2004).
16. Y. Senzaki, S. Park, H. Chatham, L. Bartholomew, and W. Nieveen, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1175 (2004).
17. R. Puthenkovilakam, Y. S. Lin, J. Choi, J. Lu, H.-O. Blom, P. Pianetta, D. Devine, M. Sendler, and J. P. Chang, J. Appl. Phys. 97, 0237041 (2005).
18. N. Terasawa, K. Akimoto, Y. Mizuno, A. Ichimiya, K. Sumitani, T. Takahashi, X. W. Zhang, H. Sugiyama, H. Kawata, T. Nabatame, and A. Toriumi, Appl. Surf. Sci. 244, 16 (2005).
19. G. He, M. Liu, L. Q. Zhu, M. Chang, Q. Fang, and L. D. Zhang, Surf. Sci. 276, 67 (2005).
20. M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, P. D. Kirsch, H. J. Li, J. H. Sim, C. Huffman, J. J. Peterson, B. H. Lee, G. Pant, B. E. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, D. Guo, H. Bu, and T. P. Ma, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 431.
21. G. Pant,A Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, B. E. Gnade, M. A. Quevedo-Lopez, and P. D. Kirsch, Appl. Phys. Lett. 88, 032901 (2006).
22. H. Y. Yu, H. F. Lim, J. H. Chen, M. F. Li, C. Zhu, C. H. Tung, A. Y. Du, W. D. Wang, D. Z. Chi, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 24, 230 (2003).
23. D. Triyoso, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, N. V. Edwards, R. Gregory, D. Werho, J. Kulik, G. Tam, E. Irwin, X.-D. Wang, L. B. La, C. Hobbs, R. Garcia, J. Baker, B. E. White, Jr., and P. Tobina, J. Electrochem. Soc. 151, F220 (2004).
24. Jang-Hyuk Hong, Tae-Hyoung Moon, and Jae-Min Myoung, Microelectron. Eng. 75, 63 (2004).
25. K. N. Andersena, W. E. Svendsen, T. Stimpel-Lindner, T. Sulima, and H. Baumgartner, Appl. Surf. Sci. 243, 401 (2005).
26. A. Arranz, Surf. Sci. 563, 1 (2004).
27. G. Shang, P. W. Peacock, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 84, 106 (2004).
28. J. L. Gavartin, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys. 97, 053704 (2005).