Effect of thickness on the crystallization of ultrathin HfSiON gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 3, 2006, Pages 1-3

  Pant, G ^a   Gnade, A ^a   Kim, M J ^a   Wallace, R M ^a   Gnade, B E ^a   Quevedo Lopez, M A ^b   Kirsch, P D ^b  

^a The University of Texas at Dallas   (United States)

^b SEMATECH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPANT ACTIVATION; MONOCLINIC; ULTRATHIN HAFNIUM SILICON OXYNITRIDE (HFSION); VOLTAGE INSTABILITY;

ACTIVATION ANALYSIS; CRYSTALLINE MATERIALS; DIELECTRIC MATERIALS; ULTRATHIN FILMS; X RAY DIFFRACTION;

CRYSTALLIZATION;

EID: 31144455203     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2165182     Document Type: Article

References (24)

1. R. M. Wallace, R. A. Stolz and G. D. Wilk, U.S. Patent Nos. 6,013,553 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,020,243 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,866 (2001); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,867 (2001).
2. R. M. Wallace, R. A. Stolz and G. D. Wilk, U.S. Patent Nos. 6,013,553 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,020,243 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,866 (2001); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,867 (2001).
3. R. M. Wallace, R. A. Stolz and G. D. Wilk, U.S. Patent Nos. 6,013,553 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,020,243 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,866 (2001); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,867 (2001).
4. R. M. Wallace, R. A. Stolz and G. D. Wilk, U.S. Patent Nos. 6,013,553 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,020,243 (2000); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,866 (2001); R. M. Wallace, R. A. Stolz and and G. D. Wilk, 6,291,867 (2001).
5. M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 80, 3183 (2002).
6. M. Takayanagi, T. Watanbe, R. Iijima, A. Kaneko, S. Inumiya, I. Hirano, K. Sekine, A. Nishiyama, K. Eguchi, and Y. Tsunashima, International Workshop on Gate Insulator, 6-7 November 2003, p. 128.
7. G. Pant, P. Punchaipetch, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, Thin Solid Films 460, 242 (2004).
8. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
9. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, International Electron Devices Meeting, Technical Digest, 10-13 December 2000, p. 31.
10. L. Kang, K. Onishi, Y. Jeon, B. H. Lee, C. Kang, Q. Wen-Jie, R. Neih, S. Gopalan, R. Choi, and J. C. Lee, International Electron Devices Meeting, Technical Digest, 10-13 December 2000, p. 35.
11. M. A. Quevedo-Lopez, M. R. Visokay, J. J. Chambers, M. J. Bevan, A. LiFatou, L. Colombo, M. J. Kim, B. E. Gnade, and R. M. Wallace, J. Appl. Phys. 97, 0435308 (2005).
12. H. Kim, A. Marshall, P. C. McIntyre and K. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 84, 2064 (2004).
13. B.-H. Lee, L. Kang, R. Neih, W. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
14. C. D. Young, P. Zeitzoff, G. A. Brown, G. Bersuker, B.-H. Lee, and J. R. Hauser, IEEE Electron Device Lett. 26, 586-9 (2005).
15. M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, P. D. Kirsch, G. Pant, B. E. Gnade, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 87, 262902 (2005).
16. P. D. Kirsch, J. H. Sim, S. C. Song, S. Krishnan, J. Peterson, H.-J. Li, M. A. Quevedo-Lopez, C. D. Young, R. Choi, N. Moumen, P. Majhi, Q. Wang, J. G. Ekerdt, G. Bersuker, and B.-H. Lee, Proceedings of 2005 EESDERC, 2005, p. 357.
17. M. Mizutani, T. Hayashi, M. Inoue, J. Yugami, K. Nomura, J. Tsuchimoto, Y. Ohno, and M. Yoneda, Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005, pp. 8-9.
18. S. Ramanathan, P. C. McIntyre, J. Luning, P. S. Lysaght, Y. Yang, Z. Chen, and S. Stemmer, J. Electrochem. Soc. 150, F173 (2003).
19. A. van der Lee, J. Durand, D. Blin, Ph. Holliger, and F. Martin, Eur. Phys. J. B 39, 273 (2004).
20. N. Terasawa, K. Akimoto, Y. Mizuno, A. Ichimiya, K. Sumitani, T. Takahashi, X. W. Zhang, H. Sugiyama, H. Kawata, T. Nabatame, and A. Toriumi, Appl. Surf. Sci. 244, n1 (2005).
21. G. He, M. Liu, L. Q. Zhu, M. Chang, Q. Fang, and L. D. Zhang, Surf. Sci. 276, 67 (2005).
22. Y. Senzaki, S. Park, H. Chatham, L. Bartholomew, and W. Nieveen, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1175 (2004).
23. H. Y. Yu, H. F. Lim, J. H. Chen, M. F. Li, C. Zhu, C. H. Tung, A. Y. Du, W. D. Wang, D. Z. Chi, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 24, 230 (2003).
24. S. A. Krishnan, M. A. Quevedo-Lopez, R. Choi, P. D. Kirsch, C. Young, R. Harris, J. J. Peterson, H.-J. Li, B.-H. Lee, and J. C. Lee, Proceedings of the IEEE International Integrated Reliability Workshop, Lake Tahoe, CA, 17-20 October 2005.