Electrical performance of GaN Schottky rectifiers on Si substrates

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 7, 2006, Pages

  Voss, L ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^b   Bove, P ^c   Lahreche, H ^c   Thuret, J ^c  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c Picogiga International   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC RECTIFIERS; GALLIUM NITRIDE; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SUBSTRATES;

BREAKDOWN VOLTAGES; REVERSE BIASES; SCHOTTKY RECTIFIERS;

SILICON;

EID: 33744920309     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2202146     Document Type: Article

References (29)

1. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 407 (2001).
2. R. T. Kemerley, H. B. Wallace, and M. N. Yoder, Proc. IEEE, 90, 1059 (2002).
3. T. Ericsen, Proc. IEEE, 90, 1077 (2002).
4. G. T. Heydt and B. J. Skromme, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 483, 3 (1998).
5. M. Trivedi and K. Shenai, J. Appl. Phys., 85, 6889 (1999).
6. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
7. Z. Z. Bandic, D. M. Bridger, E. C. Piquette, T. C. McGill, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett., 74, 1266 (1999).
8. A. P. Zhang, J. W. Johnson, F. Ren, J. Han, A. J. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, K. P. Lee, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 78, 823 (2001).
9. A. P. Zhang, G. Dang, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, X. A. Cao, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett., 76, 1767 (2000).
10. J. W. Johnson, J. R. LaRoche, F. Ren, B. P. Gila, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, J. I. Chyi, C. C. Chuo, T. E. Nee, C. M. Lee, K. P. Lee, S. S. Park, J. I. Park, and S. J. Pearton, J. Solid State Electrochem., 45, 405 (2001).
11. J. W. Johnson, A. P. Zhang, W. B. Luo, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and J.-I. Chyi, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 32 (2002).
12. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, D. Palmer, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, Solid-State Electron., 46, 911 (2002).
13. K. H. Baik, Y. Irokawa, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 2169 (2002).
14. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chti, T. E. Nee, and C. C. Chuo, Solid-State Electron., 44, 619 (1999).
15. T. G. Zhu, D. J. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, V. Chowdhurg, and R. D. Dupis, Appl. Phys. Lett., 77, 2918 (2000).
16. B. S. Shelton, T. G. Zhu, D. J. Lambert, and R. D. Dupis, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 1498 (2001).
17. P. G. Neudeck and C. Fazi, IEEE Electron Device Lett., 18, 67 (1997).
18. D. T. Morisette, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, G. M. Dolng, P. M. Shenoy, M. Zakari, and J. Gladish, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 349 (2001).
19. A. Itoh, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Electron Device Lett., 17, 139 (1996).
20. V. Saxena, J. N. Su, and A. J. Steckl, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 456 (1999).
21. M. C. Tarplee, V. P. Madangarli, Q. Zhang, and T. S. Sudarshan, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 2659 (2001).
22. N. V. Dyakonova, P. A. Ivanov, V. A. Koglov, M. E. Levinshtein, J. W. Palmour, S. L. Pumyantsev, and R. Singh, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 2188 (1999).
23. G. Brezeane, J. Fernandez, J. Millan, J. Rebello, M. Badila, and G. Dilimot, Mater. Sci. Forum, 264-268, 941 (1998).
24. K. Fujihira, S. Tamura, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 150 (2002).
25. P. G. Neudeck and C. Fazi, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 485 (1999).
26. R. Singh, K. G. Irvine, D. C. Capell, J. T. Richmond, D. Berning, A. R. Hefner, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 2308 (2002).
27. K. V. Vassilevski, A. B. Horsfall, C. M. Johnson, N. G. Wright, and A. G. O'Neill, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 947 (2002).
28. J. W. Johnson, E. L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, J. C. Roberts, J. D. Brown, S. Singhal, and K. J. Linthicum, IEEE Electron Device Lett., 25, 459 (2004).
29. A. Minko, V. Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducateau, C. Gaquiere, D. Theron, J. C. Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, and P. Bove, IEEE Electron Device Lett., 25, 453 (2004).