Improvement in electrical properties and thermal stability of low-temperature-processed Hf-Al-O gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 18, 2006, Pages

  Essary, C R ^a   Ramani, K ^a   Craciun, V ^a   Singh, R K ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FLOWING NITROGEN; GATE DIELECTRICS; INTERFACIAL PROPERTIES; OXIDATION ANNEALING;

DEPOSITION; ELECTRIC PROPERTIES; HAFNIUM; SURFACE PROPERTIES; THERMODYNAMIC STABILITY; ULTRAVIOLET RADIATION; VOLTAGE CONTROL;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33646510787     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2193046     Document Type: Article

References (32)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. J. Kim, S. Kim, H. Kang, J. Choi, H. Jeon, M. Cho, K. Chung, S. Back, K. Yoo, and C. Bae, J. Appl. Phys. 98, 094504 (2005).
3. L. Kang, B. H. Lee, W. J. Qi, Y. Jeon, R. Nieh, S. Gopalan, K. Onishi, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 21, 181 (2000).
4. P. D. Kirsch, C. S. Kang, J. Lozano, J. C. Lee, and J. G. Ekerdt, J. Appl. Phys. 91, 4353 (2002).
5. R. M. Wallace and G. D. Wilk, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28, 231 (2003).
6. S. Chatterjee, Y. Kuo, J. Lu, J. Y. Tewg, and P. Majhi, Microelectron. Reliab. 46, 69 (2006).
7. S. Stemmer, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 791 (2004).
8. M. Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, P. I. Raisanen, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett. 81, 4218 (2002).
9. O. Auciello, W. Fan, B. Kabius, S. Saha, J. A. Carlisle, R. P. H. Chang, C. Lopez, E. A. Irene, and R. A. Baragiola, Appl. Phys. Lett. 86, 042904 (2005).
10. P. F. Lee, J. Y. Dai, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Appl. Phys. Lett. 82, 2419 (2003).
11. P. F. Lee, J. Y. Dai, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, J. Appl. Phys. 93, 3665 (2003).
12. Y. Yang, W. J. Zhu, T. P. Ma, and S. Stemmer, J. Appl. Phys. 95, 3772 (2004).
13. P. F. Lee, J. Y. Dai, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Integr. Ferroelectr. 57, 1213 (2003).
14. M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 80, 3183 (2002).
15. M. Lee, Z. H. Lu, W. T. Ng, D. Landheer, X. Wu, and S. Moisa, Appl. Phys. Lett. 83, 2638 (2003).
16. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishnan, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 2593 (2002).
17. J. F. Kang, H. Y. Yu, C. Ren, M. F. Li, D. S. H. Chan, H. Hu, H. F. Lim, W. D. Wang, D. Gui, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 84, 1588 (2004).
18. C. S. Kang, H. J. Cho, R. Choi, Y. H. Kim, C. Y. Kang, S. J. Rhee, C. W. Choi, M. S. Akbar, and J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 51, 220 (2004).
19. C. Y. Kang, S. J. Rhee, C. H. Choi, C. S. Kang, R. Choi, M. S. Akbar, M. Zhang, S. A. Krishnan, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 222906 (2005).
20. H. S. Yang, J. Y. Choi, V. Craciun, and R. K. Singh, J. Appl. Phys. 93, 7873 (2003).
21. H. S. Yang, J. Choi, S. J. Song, and R. K. Singh, Electrochem. Solid-State Lett. 7, C4 (2004).
22. V. Craciun, A. Srivastava, J. M. Howard, R. K. Singh, and J. Perriere, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, S787 (1999).
23. V. Craciun, J. M. Howard, N. D. Bassim, and R. K. Singh, Appl. Surf. Sci. 168, 123 (2000).
24. V. Craciun, I. W. Boyd, B. Hutton, and D. Williams, Appl. Phys. Lett. 75, 1261 (1999).
25. S. Ramanathan, D. Chi, P. C. McIntyre, C. J. Wetteland, and J. R. Tesmer, J. Electrochem. Soc. 150, F110 (2003).
26. D. Kumar, S. V. Pietambaram, V. Craciun, R. K. Singh, J. Perriere, and J. Sankar, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 198 (2002).
27. V. Craciun and R. K. Singh, Appl. Phys. Lett. 76, 1932 (2000).
28. P. Y. Hung, C. Gondran, A. Ghatak-Roy, S. Terada, B. Bunday, H. Yeung, and A. Diebold, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2244 (2005).
29. K. Ramani, C. R. Essary, S. Y. Son, V. Craciun, and R. K. Singh (unpublished).
30. G. Lucovsky, Y. Wu, H. Niimi, V. Misra, and J. C. Phillips, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1806 (1999).
31. W. R. Runyan and T. J. Shaffner, Semiconductor Measurements and Instrumentation, 2nd ed. (McGraw-Hill, New York, 1998).
32. B. Brar, G. D. Wilk, and A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 69, 2728 (1996).