Study of Hf-Al-O high-k gate dielectric thin films grown on Si

Integrated Ferroelectrics

Volumn 57, Issue , 2003, Pages 1213-1219

  Lee, P F ^a   Dai, J Y ^a   Chan, H L W ^a   Choy, C L ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

Hf Al O; High k gate dielectric; MOS; Pulsed laser deposition

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALLINE MATERIALS; FREE ENERGY; HAFNIUM COMPOUNDS; MOS CAPACITORS; PARTIAL PRESSURE; PULSED LASER DEPOSITION; SILICON; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ULTRATHIN FILMS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GATE DIELECTRIC THIN FILMS; HAFNIUM ALUMINATE; OXIDE THICKNESS; RELATIVE PERMITTIVITY;

AMORPHOUS FILMS;

EID: 30144431664     PISSN: 10584587     EISSN: 16078489     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1080/714040777     Document Type: Article

References (18)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallance, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. W. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, Y. Di, J. Kim, R. Camithers, M. Gibson, and T. Furukawa, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet (2001) 20.4.
3. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D.-L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 376 (2002).
4. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, Chunxiang Zhu, B. J. Cho, D.-L Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 3618 (2002).
5. M.-Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, Petri I. Räisänen, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett. 81, 4218 (2002).
6. M. H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D. H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee. N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81, 1071 (2002).
7. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and W. Tsai, Appl. Phys. Lett. 82, 245 (2002).
8. P. F. Lee, J. Y. Dai, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, J. Appl. Phys. 93, 3665 (2003).
9. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
10. M. Copel, E. Cartier, E. P. Gusev, S. Guha, N. Bojarczuk, and M. Poppeller, Appl. Phys. Lett. 78, 2670 (2001).
11. Y. Ma, Y. Ono, L. Stecker, D. R. Evans, and S. T. Hsu, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1999, p. 149.
12. L. Manchanda, M. L. Green, R. B. van Dover, M. D. Morris, A. Kerber, Y. Hu, J. P. Han, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, G. Weber et al., Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2000, p. 23.
13. R. B. van Dover, D. V. Lang, M. L. Green, and L. Manchanda, J. Vac. Sci., Technol. A 19, 2779 (2001).
14. D. C. Gilmer, R. Hegder, R. Cotton, R. Garcia, V. Dhandapani, D. Triyoso, D. Roan, A. Franke, R. Lai, L. Prabhu, C. Hobbs, J. M. Grand, L. La, S. Samavedam, B. Taylor, H. Tseng, and P. Tobin, Appl. Phys. Lett. 81, 1288 (2002).
15. R. S. Johnson, J. G. Hong, C. Hinkle, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1126 (2002).
16. P. F. Lee, J. Y. Dai, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Appl. Phys Lett. 82, 2419 (2003).
17. P. D. Kirsch, C. S. Kang, J. Lozano, J. C. Lee, and J. G. Ekerdt, J. Appl. Phys. 91, 4353 (2002).
18. K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Kubota, and M. Niwa, Appl. Phys. Lett. 81, 2053 (2002).