ArF photoresist deformation in dual frequency superimposed capacitively coupled plasma (DFS-CCP) with different frequency combinations

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 44, Issue 7 B, 2005, Pages 5856-5865

  Kim, Duck Ho ^a   Cho, Su Hyun ^a   Lee, Nae Eung ^a   Kwon, Ki Chung ^b  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

^b Jusung Engineering Company Limited   (South Korea)

Author keywords

193nm photolithography; ArF photoresist; Capacitively coupled plasma; Dual frequency; Plasma etching

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CAPACITANCE; PLASMA ETCHING; PLASMAS; SURFACE ROUGHNESS;

193NM PHOTOLITHOGRAPHY; ARF PHOTORESISTS; CAPACITIVELY COUPLED PLASMAS (CCP); DUAL FREQUENCY;

PHOTORESISTS;

EID: 31844437855     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.5856     Document Type: Article

References (40)

1. J. Kim, Y. S. Chae, W. S. Lee, J. W. Shon, D. S. Nam, H. W. Kim, Y. Kang, C. J. Kang and J. T. Moon: Proc. Dry Process Int. Symp. (2001) p. 253.
2. J. Kim, Y. S. Chae, W. S. Lee, J. W. Shon, C. J. Kang, W. S. Han and J. T. Moon: J. Vac. Sci. & Technol. B 21 (2003) 790.
3. J. W. Shon, N. Webb, D. S. Jun, Y. J. Chung, Y. S. Chae, Y. J. Kim, J. W. Sun, K. J. Min, C. J. Kang and J. K. Lee: Proc. Dry Process Int. Symp. (2003) p. 211.
4. E. A. Hudson, Z. Dai, Z. Li, S. Kang, S. Lee, W.-L. Chen and R. Sadjadi: Proc. Dry Process Int. Symp. (2003) p. 253.
5. J. W. Shon, D. S. Jun, D. O. Shin, J. W. Sun, S. Y. Son, Y. J. Chung, Y. S. Chae, Y. J. Kim, K. J. Min, C. J. Kang, H. Y. Chang and J. K. Lee: Proc. Dry Process Int. Symp. (2003) p. 283.
6. N. Negishi, H. Takesue, M. Sumiya, T. Yoshida and M. Izawa: Proc. Dry Process Int. Symp. (2003) p. 287.
7. A. Kojima, H. Hayshi, I. Sakai, J. Nishiwaki, A. Takaes, M. Ohmura, T. Matsushita, E. Shinomiya and T. Ohiwa: Proc. Dry Process Int. Symp. (2003) p. 13.
8. J. Robiche, P. C. Boyle, M. M. Turner and A. R. Ellingboe: J. Phys. D: Appl. Phys. 36 (2003) 1810.
9. V. Georgieva, A. Bogaerts and R. Gijbels: J. Appl. Phys. 94 (2003) 3748.
10. P. C. Boyle, A. R. Ellingboe and M. M. Turner: Plasma Sources Sci. Technol. 13 (2004) 493.
11. P. C. Boyle, A. R. Ellingboe and M. M. Turner: J. Phys. D: Appl. Phys. 37 (2004) 697.
12. P. C. Boyle, J. Robiche and M. M. Turner: J. Phys. D: Appl. Phys. 37 (2004) 1451.
13. H. C. Kim and J. K. Lee: Phys. Rev. Lett. 93 (2004) 085003.
14. V. Georgieva, A. Bogaerts and R. Gijbels: Phys. Rev. E 69 (2004) 026406.
15. W. Tsai, G. Mueller, R. Linquest, B. Frazier and V. Vahedi: J. Vac. Sci. & Technol. B 14 (1996) 3276.
16. C. Janowiak, S. Ellingboe and I. Morey: J. Vac. Sci. & Technol. A 18 (2000) 1859.
17. F. Fracassi, R. d'Agostino, E. Fornelli, F. Illuzzi and T. Shirafuji: J. Vac. Sci. & Technol. A 21 (2003) 638.
18. S. Rauf and M. J. Kushner: IEEE Trans. Plasma Sci. 27 (1999) 1329.
19. K. Maeshige, G. Washio, T. Yagisawa and T. Makabe: J. Appl. Phys. 91 (2002) 9494.
20. H. C. Kim, J. K. Lee and J. W. Shon: Phys. Plasmas 10 (2003) 4545.
21. B. Jeon, D. S. Lee, K. H. Bai and H. Y. Chang: Proc. Dry Process Int. Symp. (2003) p. 209.
22. T. Yagisawa and T. Makabe: IEEE Trans. Plasma Sci. 4 (2003) 521.
23. G. Wakayama and K. Nanbu: IEEE Trans. Plasma Sci. 31 (2003) 638.
24. J. K. Lee, N. Y. Babaeva, H. C. Kim, O. V. Manuilenko and J. W. Shon: IEEE Trans. Plasma Sci. 32 (2004) 47.
25. T. Yagisawa, K. Maeshige, T. Shimada and T. Makabe: IEEE Trans. Plasma Sci. 32 (2004) 90.
26. T. Kitajima, Y. Takeo, N. Nakano and T. Makabe: J. Appl. Phys. 84 (1998) 5928.
27. T. Kitajima, Y. Takeo and T. Makabe: J. Vac. Sci. & Technol. A 17 (1999) 2510.
28. T. Kitajima, Y. Takeo, Z. Lj. Petrovic and T. Makabe: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 489.
29. M. J. Colgan, M. Meyyappan and D. E. Murnick: Plasma Sources Sci. Technol. 3 (1994) 181.
30. H. H. Goto, H.-D. Lowe and T. Ohmi: J. Vac. Sci. & Technol. A 10 (1992) 3048.
31. M. Surendra and D. B. Graves: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 2091.
32. E. Abdel-Fattah and H. Sugai: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1533.
33. T. Ohta, K.-I. Hara, T. Ishida, M. Hori, T. Goto, M. Ito, S. Kawakami and N. Ishii: J. Appl. Phys. 94 (2003) 1428.
34. T. Ohta, T. Ishida, M. Hori, T. Goto, M. Ito and S. Kawakami: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L94.
35. C. Steinbruchel: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1960.
36. C. Steinbruchel: J. Vac. Sci. & Technol. A 8 (1990) 1663.
37. K. Pelhos, V. M. Donnely, A. Kornblit, M. L. Green, R. B. Van Dover, L. Manchanda, Y. Hu, M. Morris and E. Bauer: J. Vac. Sci. & Technol. A 19 (2001) 1361.
38. M. F. Doemling, N. R. Rueger, G. S. Oehrlein and J. M. Cook: J. Vac. Sci. & Tehcnol. B 16 (1998) 1998.
39. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vendor and M. Haverlag: J. Vac. Sci. & Technol. A 12 (1994) 323.
40. T. Shirasaki, F. Moguet, L. Lozano, A. Tressaud, G. Nase and E. Papirer: Carbon 37 (1999) 1891.