Strain-free bulk-like GaN grown by hydride-vapor-phase-epitaxy on two-step epitaxial lateral overgrown GaN template

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 1, 2004, Pages 799-806

  Gogova, D ^a,e   Kasic, A ^a   Larsson, H ^a   Hemmingsson, C ^a   Monemar, B ^a   Tuomisto, F ^b   Saarinen, K ^b   Dobos, L ^c   Pecz B ^c   Gibart, P ^d   Beaumont, B ^d  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^c RESEARCH INSTITUTE FOR TECHNICAL PHYSICS AND MATERIALS SCIENCE   (Hungary)

^d LUMILOG   (France)

^e CTRL LAB SOLAR ENER NEW ENER S   (Bulgaria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON MOBILITY; ELLIPSOMETRY; HYDRIDES; LATTICE CONSTANTS; OPTICAL MICROSCOPY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY; RESIDUAL STRESSES; SAPPHIRE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THERMAL EXPANSION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPOR PHASE EPITAXY;

BUFFER LAYERS; CRYSTALLINE QUALITY; DISLOCATION DENSITIES; HOMOEPITAXY;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 3142753021     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1753073     Document Type: Article

References (45)

1. P. Gibart, B. Beaumont, and P. Vennéguès, in Nitride Semiconductors Handbook on Materials and Devices, edited by P. Ruterana, M. Albrecht, and J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), p. 45.
2. R. F. Davis, T. Gehrke, K. J. Linthicum, T. S. Zheleva, E. A. Preble, P. Rajagopal, C. A. Zorman, and M. Mehregany, J. Cryst. Growth 225, 134 (2001).
3. N. Grandjean, B. Damilano, J. Massies, G. Neu, M. Teissere, I. Grzegory, S. Porowski, M. Gallart, P. Lefebvre, B. Gil, and M. Albrecht, J. Appl. Phys. 88, 183 (2000).
4. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L647 (2000).
5. J. L. Weyher, M. Albrecht, T. Wosinski, G. Nowak, H. P. Strunk, and S. Porowski, Mater. Sci. Eng., B 80, 318 (2001).
6. D. R. Ketchum and J. W. Kolis, J. Cryst. Growth 222, 431 (2001).
7. T. Iwahashi, F. Kawamura, M. Morishita, Y. Kai, M. Yoshimura, Y. Mori, and T. Sasaki, J. Cryst. Growth 253, 1 (2003).
8. X. Xu, R. P. Vaudo, C. Loria, A. Salant, G. R. Brandes, and J. Chaudhuri, J. Cryst. Growth 246, 223 (2002).
9. D. Gogova, H. Larsson, R. Yakimova, Z. Zolnai, I. Ivanov, and B. Monemar, Phys. Status Solidi A 200, 13 (2003).
10. P. Vennéguès, B. Beaumont, V. Bousquet, M. Vaille, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 87, 4175 (2000).
11. K. Saarinen, P. Hautojärvi, and C. Corbel, in Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola (Academic, New York, 1998), p. 209.
12. K. Saarinen, J. Nissilä, P. Hautojärvi, J. Likonen, T. Suski, I. Grzegory, B. Lucznik, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 2441 (1999).
13. A. Kasic, M. Schubert, S. Einfeldt, D. Hommel, and T. E. Tiwald, Phys. Rev. B 62, 7365 (2000).
14. The image shown in Fig. 2(b) was taken close to the wafer edge where the thickness of the HVPE-GaN was reduced. Due to the used radial nonsymmetric growth setup the thickness varied between 270 and 170 μm over the 2 in. wafer. In the central area, the GaN layer thickness is ̃270 μm, as can be seen in the scanning electron microscopy image of Fig. 1(b).
15. A. Kasic, D. Gogova, H. Larsson, C. Hemmingsson, I. Ivanov, R. Yakimova, B. Monemar, and M. Heuken (unpublished).
16. H. Morkoç, Mater. Sci. Eng., R. 33, 135 (2001).
17. J. Jasinski, W. Swider, Z. Liliental-Weber, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, H. Morkoç, S. S. Park, and K. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2297 (2001).
18. F. Tuomisto, T. Suski, H. Teisseyre, M. Krysko, M. Leszczynski, B. Lucznik, I. Grzegory, S. Porowski, D. Wasik, A. Witowski, W. Gebicki, P. Hageman, and K. Saarinen, Phys. Status Solidi B 240, 289 (2003).
19. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzynski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
20. J. Oila, J. Kivioja, V. Ranki, K. Saarinen, D. C. Look, R. J. Molnar, S. S. Park, S. K. Lee, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett. 82, 3433 (2003).
21. D. Gogova, A. Kasic, H. Larsson, B. Pécz, R. Yakimova, B. Magnusson, B. Monemar, F. Tuomisto, K. Saarinen, C. R. Miskys, M. Stutzmann, C. Bundesmann, and M. Schubert, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1264 (2004).
22. M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K. J. Ebeling, H. Teisseyre, G. Nowak, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, and G. Karczewski, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1634 (1997).
23. J. A. Freitas, Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, G. C. B. Braga, S. K. Lee, S. S. Park, and J. Y. Han, Phys. Rev. B 66, 233311 (2002).
24. B. Monemar, J. Phys.: Condens. Matter 13, 7011 (2001).
25. J. A. Freitas, Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, G. C. B. Braga, D. D. Koleske, S. K. Lee, S. S. Park, and J. Y. Han, Phys. Status Solidi B 240, 330 (2003).
26. J. Oila, V. Ranki, J. Kivioja, K. Saarinen, P. Hautojärvi, J. Likonen, J. M. Baranowski, K. Pakula, T. Suski, M. Leszczynski, and I. Grzegory, Phys. Rev. B 63, 045205 (2001).
27. A. Wysmolek, K. P. Korona, R. Stȩpniewski, J. M. Baranowski, J. Bloniarz, M. Potemski, R. L. Jones, D. C. Look, J. Kuhl, S. S. Park, and S. K. Lee, Phys. Rev. B 66, 245317 (2002).
28. K. Kornitzer, T. Ebner, K. Thonke, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. B 60, 1471 (1999).
29. B. J. Skromme, K. C. Palle, C. D. Poweleit, H. Yamane, M. Aoki, and F. J. DiSalvo, Appl. Phys. Lett. 81, 3765 (2002).
30. S. Permogorov, in Modern Problems in Condensed Matter Science, edited by E. I. Rashba and M. D. Sturge (North-Holland, Amsterdam, 1982), Vol. 2, p. 177.
31. V. Kirilyuk, P. R. Hageman, P. C. M. Christianen, P. K. Larsen, and M. Zielinski, Appl. Phys. Lett. 79, 4109 (2001).
32. B. J. Skromme and G. L. Martinez, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W9 (2000).
33. B. J. Skromme, J. Jayapalan, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 74, 2358 (1999).
34. K. Pakulła, A. Wysmolłek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stȩpniewski, I. Grzegory, M. Boćkowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wroblewski, and S. Porowski, Solid State Commun. 97, 919 (1996).
35. O. Lagerstedt and B. Monemar, J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974).
36. S. J. Rhee, S. Kim, E. E. Reuter, S. G. Bishop, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 73, 2636 (1998).
37. P. W. Yu, C. S. Park, and S. T. Kim, J. Appl. Phys. 89, 1692 (2001).
38. J. Jayapalan, B. J. Skromme, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 73, 1188 (1998).
39. Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1686 (1995).
40. S. O. Kucheyev, M. Toth, M. R. Phillips, J. S. Williams, C. Jagadish, and G. Li, J. Appl. Phys. 91, 5867 (2002).
41. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 64, 857 (1994).
42. J.-M. Wagner and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 66, 115202 (2002).
43. V. Yu. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobsen, and O. K. Semchinova, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
44. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
45. A. R. Goñi, H. Siegle, K. Syassen, C. Thomsen, and J.-M. Wagner, Phys. Rev. B 64, 035205 (2001).