Shallow donors in GaN

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 240, Issue 2, 2003, Pages 330-336

  Freitas Jr , J A ^a   Moore, W J ^b   Shanabrook, B V ^a   Braga, G C B ^a,c   Koleske, D D ^a,d   Lee, S K ^e   Park, S S ^e   Han, J Y ^e  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b SFA INC   (United States)

^c UNIVERSITY OF BRASILIA   (Brazil)

^d SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^e Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0344064311     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200303402     Document Type: Conference Paper

References (23)

1. I. Akasaki, Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1, 1 (2000).
2. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 42, 427 (1983).
3. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and T. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
4. S. Nakamura, J. Appl. Phys. 31, L139 (1992).
5. D. Jenkins, J. W. Dow, and M.-H. Tsai, J. Appl. Phys. 76, 4130 (1992).
6. C. Van de Walle, C. Stampfl, and J. Neugebauer, J. Cryst. Growth 189-190, 505 (1998).
7. F. Mireles and S. E. Ulloa, Appl. Phys. Lett. 74, 248 (1999).
8. W. J. Moore, J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, R. J. Molnar, S. K. Lee, K. Y. Lee, and I. J. Song, Appl. Phys. Lett. 79, 2570 (2001).
9. J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M. Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee, and Y. Park, J. Cryst. Growth 231, 322 (2001).
10. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Culbertson, and R. J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 73, 2018 (1998).
11. A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, R. J. Gorman, M. E. Twigg, M. Fatemi, J. A. Freitas, Jr., and W. J. Moore, J. Electron. Mater. 29, 21 (2000).
12. W. J. Moore, J. A. Freitas, Jr., S. K. Lee, S. S. Park, and J. Y. Han, Phys. Rev. B 65, 81201 (2002).
13. J. A. Freitas, Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, G. C. B. Braga, S. K. Lee, S. S. Park, J. Y. Han, and D. D. Koleske, J. Cryst. Growth 246, 307 (2002).
14. J. R. Haynes, Phys. Rev. Lett. 4, 361 (1960).
15. J. A. Freitas, Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, G. C. B. Braga, S. K. Lee, S. S. Park, and J. Y. Han, Phys. Rev. B 66, A#233311 (2002).
16. A. Wysmolek, K. P. Korona, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, J. Bloniarz, M. Potemski, R. L. Jones, D. C. Look, J. Kuhl, S. S. Park, and S. K. Lee, Phys. Rev. B 66, Art. 245317 (2002).
17. G. Neu, M. Teisseire, P. Lemasson, H. Lahreche, N. Grandjean, F. Semond, B. Beaumont, I. Grzegory, S. Porowski, and R. Triboulet, Physica B 302-303, 39 (2001).
18. B. K. Meyer, Mater. Res. Soc. Symp. 449, 497 (1997).
19. B. J. Skromme, H. Zhao, B. Goldenberg, H. S. Kong, M. T. Leonard, G. E. Bulman, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, in III-V Nitrides, edited by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, and B. A. Monemar, MRS 449, 713 (1997).
20. B. J. Skromme, J. Jayapalan, R. P. Vaudo, and V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 74, 2358 (1999).
21. M. A. Reshchikov, D. Huang, F. Yun, L. He, H. Morkoç, D. C. Reynolds, S. S. Park, and K. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 79, 3779 (2001).
22. A. E. Wickenden, L. B. Rowland, K. Doverspike, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr., D. S. Simons, and P. H. Chi, J. Electron Mater. 24, 1547 (1995).
23. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J. W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E. Weber, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).