Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 4, 2005, Pages 1637-1640

  Di, Zengfeng ^a,b   Zhang, Miao ^a   Liu, Weili ^a   Luo, Suhua ^a,b   Song, Zhitang ^a   Lin, Chenglu ^a   Huang, Anping ^b   Chu, Paul K ^b  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CONDENSATION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); FABRICATION; GERMANIUM; OXIDATION; SANDWICH STRUCTURES;

CROSSHATCH PATTERNS; SILICON CAP; SILICON-GERMANIUM ON INSULATOR (SGOI);

SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY;

EID: 31144434526     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1978900     Document Type: Article

References (27)

1. S. Takagi, IEICE Trans. Electron. E85-C, 1064 (2002).
2. D. K. Nayak, J. C. S. Woo, J. S. Park, K. L. Wang, and K. P. MacWillianms, Appl. Phys. Lett. 62, 2853 (1993).
3. J. Welser, J. L. Hoyt, S. Takagi, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 947, 337 (1994).
4. T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake, A. Kurobe, and A. Toriumi, IEEE Electron Device Lett. 21, 230 (2000).
5. K. Ismail, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1995, 509 (1995).
6. Y. Ishikawa, N. Shibata, and S. Fukatsu, Appl. Phys. Lett. 75, 983 (1999).
7. S. Fukatsu, Y. Ishikawa, T. Saito, and N. Shibata, Appl. Phys. Lett. 72, 3485 (1998).
8. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Cannaperi, C. P. D. Emic, R. M. Anderson, S. J. Koester, and H.-S. P. Wong, Appl. Phys. Lett. 78, 1267 (2001).
9. L. J. Huang, J. O. Chu, S. A. Goma, C. P. D'Emic, S. J. Koester, D. F. Canaperi, P. M. Mooney, S. A. Cordes, J. L. Speidell, R. M. Anderson, and H.-S. P. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1566 (2002).
10. Z. Y. Cheng, M. T. Currie, C. W. Leitz, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, J. L. Hoyt, and D. A. Antoniadas, IEEE Electron Device Lett. 22, 321 (2001).
11. H. Yin, R. Huang, K. D. Hobart, Z. Suo, T. S. Kuan, C. K. Inole, S. R. Shieh, T. S. Duffy, F. J. Kub, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 91, 9716 (2002).
12. T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, J. Appl. Phys. 94, 7553 (2003).
13. T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi, and T. Kawakubo, Appl. Phys. Lett. 80, 3560 (2002).
14. I. Barin and O. Knacke, Thermochemical Properties of Inorganic Substances (Springer, Berlin, 1973).
15. S. J. Kilpatrick, R. J. Jaccodine, and P. E. Thompson, J. Appl. Phys. 81, 8018 (1997).
16. M. Spadafora, G. Privitera, A. Terrasi, S. Scalese, C. Bomgiorno, A. Carnera, M. Di Marino, and E. Napolitani, Appl. Phys. Lett. 83, 3713 (2003).
17. P.-E Hellberg, S.-L. Zhang, F. M. d'Heurle, and C. S. Petersson, J. Appl. Phys. 82, 5773 (1997).
18. A. Terrasi, S. Scalese, R. Adorno, E. Ferlito, M. Spadafora, and E. Rimini, Mater. Sci. Eng., B 89, 269 (2002).
19. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsel, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
20. J. T. Law and P. S. Meigs, J. Electrochem. Soc. 104, 154 (1957).
21. Y. S. Lim, J. S. Jeong, J. Y. Lee, H. S. Kim, H. K. Shon, H. K. Kim, and D. W. Moon, J. Electron. Mater. 31, 529 (2002).
22. E. A. Fitzgerald, S. B. Samavedam, Y. H. Xie, and L. M. Giovane, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1048 (1997).
23. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
24. J. C. Tsang, P. M. Mooney, F. Dacol, and J. O. Chu, J. Appl. Phys. 75, 8099 (1994).
25. Y. H. Luo, J. L. Liu, G. Jin, J. Wan, K. L. Wang, C. D. Moore, M. S. Goorsky, C. Chih, and K. N. Tu, Appl. Phys. Lett. 78, 1219 (2001).
26. E. P. EerNisse, Appl. Phys. Lett. 38, 8 (1979).
27. H. Yin, K. D. Hobart, F. J. Kub, S. R. Shieh, T. S. Duffy, and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 84, 3624 (2004).